體翻轉180°，使漿料盆再上升并使陶瓷載體下端面浸入漿料約3mm，停頓2秒后，漿料盆下降回至原位；
3.7、使陶瓷載體上方壓力高于常壓，高壓氣流對陶瓷載體蜂窩狀內表面進行吹掃，在陶瓷載體端面漿料收口干凈后，陶瓷載體進入漿料上載量稱重裝置；；
4、上漿后稱重:在漿料上載量稱重裝置甲上稱量上漿后的陶瓷載體甲的重量，在漿料上載量稱重裝置乙上稱量上漿后的陶瓷載體乙的重量；
5、烘干:在烘干裝置甲上對陶瓷載體甲的漿料層進行烘干，在烘干裝置乙上對陶瓷載體乙的漿料層進行烘干，包括以下步驟:
5.1、低溫烘干:在低溫烘干裝置甲對陶瓷載體甲的漿料層進行烘干，在低溫烘干裝置乙上對陶瓷載體乙的漿料層進行烘干；
5.2、中溫烘干:在中溫烘干裝置甲對陶瓷載體甲的漿料層進行烘干，在中溫烘干裝置乙上對陶瓷載體乙的漿料層進行烘干；
5.3、高溫烘干:在高溫烘干裝置甲對陶瓷載體甲的漿料層進行烘干，在高溫烘干裝置乙上對陶瓷載體乙的漿料層進行烘干；
6、下料:烘干完成后，由卸料裝置將陶瓷載體乙從涂覆系統中卸下，由風干卸載裝置將陶瓷載體甲從涂覆系統中卸下。
[0037]
采用上述實施例中的涂覆系統進行分段涂覆的方法，包括以下步驟:
1、通過人工分選后由配有專用機械抓手的智能機器人17將陶瓷載體裝載上料裝置甲
I;
2、稱量質量:在稱重裝置甲2上稱量沒有上漿前陶瓷載體的重量；
3、涂覆上漿:在上漿裝置甲3上對陶瓷載體蜂窩狀的下半部分內表面進行上漿，包括以下步驟:
3.1、上升楽料盆，使陶瓷載體下端面與楽料接觸并浸入楽料8?1mm；
3.2、下降密封罩從而與夾具相接，密封罩、陶瓷載體與漿料液面形成一個密閉腔；
3.3、使陶瓷載體上方壓力低于常壓，漿料在負壓作用下不斷上升浸入陶瓷載體蜂窩狀的內表面；
3.4、漿料液面距陶瓷載體下端面的高度為陶瓷載體高度的40%時，升高瓷載體上方的空氣壓力，但壓力仍低于常壓，在漿料緩慢上升，當漿料液面距陶瓷載體下端面的高度為陶瓷載體高度的50%時使陶瓷載體上方壓力等于常壓，停頓3秒后使漿料盆下降歸位；
3.5、使陶瓷載體上方壓力高于常壓，產生的正壓氣流將載體蜂窩狀內表面附著的多余漿料吹出，5秒后使密封罩上升，同時使陶瓷載體上方壓力等于常壓；
3.6、夾具將陶瓷載體翻轉180°，使陶瓷載體上方壓力高于常壓，高壓氣流對陶瓷載體蜂窩狀內表面進行吹掃；
4、上漿后稱重:在漿料上載量稱重裝置甲4上稱量上漿后的陶瓷載體重量，然后將陶瓷載體送入烘干裝置甲；
5、烘干固化:在烘干裝置甲對陶瓷載體的漿料層進行烘干固化，包括以下步驟:
5.1、低溫烘干:在低溫烘干裝置甲5對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
5.2、中溫烘干:在中溫烘干裝置甲6對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
5.3、高溫烘干:在高溫烘干裝置甲7對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
6、風干冷卻:依次在風干卸載裝置8、風干上料裝置9對陶瓷載體進行風干冷卻；
7、稱量質量:在稱重裝置乙10上稱量陶瓷載體的重量；
8、涂覆上漿:在上漿裝置乙11上對陶瓷載體蜂窩狀的下半部分內表面進行上漿，并依次按照步驟3.1?3.6進行上漿；
9、上漿后稱重:在漿料上載量稱重裝置乙12上稱量上漿后的陶瓷載體重量；
10、烘干固化:在烘干裝置乙對陶瓷載體的漿料層進行烘干固化，包括以下步驟:
10.1、低溫烘干:在低溫烘干裝置乙13對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
10.2、中溫烘干:在中溫烘干裝置乙14對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
10.3、高溫烘干:在高溫烘干裝置乙15對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
11、下料:烘干完成后由卸料裝置將陶瓷載體從涂覆系統中卸下。
[0038]
采用上述實施例中的涂覆系統進行雙層涂覆的方法，包括以下步驟:
1、通過人工分選后由配有專用機械抓手的智能機器人17將陶瓷載體裝載上料裝置甲
I;
2、稱量質量:在稱重裝置甲2上稱量沒有上漿前陶瓷載體的重量； 3、涂覆上漿:在上漿裝置甲3上對陶瓷載體蜂窩狀的所有內表面進行上漿，包括以下步驟:
3.1、上升楽料盆，使陶瓷載體下端面與楽料接觸并浸入楽料8?1mm；
3.2、下降密封罩從而與夾具相接，密封罩、陶瓷載體與漿料液面形成一個密閉腔；
3.3、使陶瓷載體上方壓力低于常壓，漿料在負壓作用下不斷上升浸入陶瓷載體蜂窩狀的內表面；
3.4、漿料液面距陶瓷載體頂端約3mm時，使陶瓷載體上方壓力等于常壓，漿料液面在重力作用下不在下降，然后使漿料盆下降從而陶瓷載體脫離漿料液面；
3.5、使陶瓷載體上方壓力高于常壓，產生的正壓氣流將載體蜂窩狀內表面附著的多余漿料吹出，5秒后使密封罩上升，同時使陶瓷載體上方壓力等于常壓；
3.6、夾具將陶瓷載體翻轉180°，使漿料盆再上升并使陶瓷載體下端面浸入漿料約3mm，停頓2秒后，漿料盆下降回至原位；
3.7、使陶瓷載體上方壓力高于常壓，高壓氣流對陶瓷載體蜂窩狀內表面進行吹掃，在陶瓷載體端面漿料收口干凈后，陶瓷載體進入漿料上載量稱重裝置甲4;
4、上漿后稱重:在漿料上載量稱重裝置甲4上稱量上漿后的陶瓷載體重量；
5、烘干固化:在烘干裝置甲對陶瓷載體的漿料層進行烘干固化，包括以下步驟:
5.1、低溫烘干:在低溫烘干裝置甲5對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
5.2、中溫烘干:在中溫烘干裝置甲6對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
5.3、高溫烘干:在高溫烘干裝置甲7對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
6、風干冷卻:依次在風干卸載裝置8、風干上料裝置9對陶瓷載體進行風干冷卻；
7、稱量質量:在稱重裝置乙10上稱量陶瓷載體的重量；
8、涂覆上漿:在上漿裝置乙11上對陶瓷載體蜂窩狀的所有內表面進行上漿，并依次按照步驟3.1?3.7進行上楽；
9、上漿后稱重:在漿料上載量稱重裝置乙12上稱量上漿后的陶瓷載體重量；
10、烘干固化:在烘干裝置乙對陶瓷載體的漿料層進行烘干固化，包括以下步驟:
10.1、低溫烘干:在低溫烘干裝置乙13對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
10.2、中溫烘干:在中溫烘干裝置乙14對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
10.3、高溫烘干:在高溫烘干裝置乙15對陶瓷載體的漿料層進行烘干；
11、下料:烘干完成后由卸料裝置將陶瓷載體從涂覆系統中卸下。
[0039]現有技術中，在涂層涂覆上陶瓷載體之后，直接采用一個高溫烘干裝置對涂覆后的陶瓷載體進行高溫烘干，烘干溫度一般為80°C以上，且在100°C以內，由于涂層在剛涂覆上載體不久，涂層表面具有水份，涂層與陶瓷載體粘合處具有水份，且涂層內部也具有水份，在突然受到高于80°C的高溫加熱，涂層表面的水份、粘合處的水份和涂層內的水份同時受熱蒸發，涂層表面的水份首先被蒸發完，此時粘合處和涂層內仍然存在水份，而涂層表面繼續受熱，此時涂層表面的溫度高于粘合處和涂層內部的溫度，造成涂層內外溫差，隨著時間的推移，粘合處的水份在受熱后排向涂層表面，涂層表面由干燥變為濕潤，涂層表面溫度降低，在粘合處的水份蒸發完成后，涂層表面又會恢復干燥，從而涂層表面溫度升高，而此時涂層內還存在結晶水，再次在涂層上形成內外溫差，繼續加熱，結晶水會從涂層表面排出，此時涂層表面再次濕潤，溫度再次降低，待結晶水蒸發完成后，涂層表面溫度升高，如此反復，涂層表面的溫度會變化，引起涂層表面的伸縮，容易導致涂層開裂，從而涂層質量差。
[0040]而在上述涂覆方法的實施例中，在對上漿后的陶瓷載體進行烘干時，采用分溫度段進行烘干，低溫烘干、中溫烘干和高溫烘干過程中均采用單獨的烘干裝置，先采用低溫烘干去除涂層表面的水份，再擦用