化娃、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦，有機材料可以包括聚酰亞胺、聚酯或丙烯酸樹脂。在一些示例實施例中，緩沖層105可以被省略。
[0122]半導體層可以使用例如氧化物半導體、多晶硅、摻雜多晶硅、非晶硅和摻雜非晶硅中的至少一種而形成在緩沖層105上，并且然后半導體層可以被部分蝕刻以形成有源圖案110和115。例如，半導體層可以使用氧化物半導體通過使用多個靶的濺射工藝來形成。在示例實施例中，第一有源圖案110可以被形成在顯示區域(I )中，并且第二有源圖案115可以被形成在第一外圍區域(II )中。
[0123]然后，柵絕緣層120可以被形成為覆蓋有源圖案110和115。在示例實施例中，柵絕緣層120可以使用氧化硅、氮化硅或氧化鋁通過化學氣相沉積(CVD)工藝或濺射工藝來形成。
[0124]參見圖6，第一布線126及柵電極122和124可以被形成在柵絕緣層120上。第一導電層可以被形成在柵絕緣層120上，并且然后第一導電層可以被部分去除以形成第一布線126及柵電極122和124。第一布線126及柵電極122和124可以被同時形成。可替代地，第一布線126及柵電極122和124可以被順序形成。
[0125]在示例實施例中，第一柵電極122可以與第一有源圖案110重疊，并且第二柵電極124可以與第二有源圖案115重疊。此外，第一布線126可以被形成在第一外圍區域(II )中。
[0126]然后，雜質可以通過使用柵電極122和124作為離子注入掩模被注入有源圖案110和115的一部分中，由此形成源區112和117以及漏區113和118。溝道區111和116可以被限定在源區112和117與漏區113和118之間。第一絕緣夾層130可以被形成為覆蓋第一布線126及柵電極122和124。
[0127]參見圖7，源電極131和134、漏電極132和133、第二布線135及第三布線136可以被形成在第一絕緣夾層130上。
[0128]第一絕緣夾層130和/或柵絕緣層120可以被部分去除以形成接觸孔，第二導電層可以被形成在第一絕緣夾層130上以填充接觸孔，并且然后第二導電層可以被部分去除以分別形成源電極131和134、漏電極132和133、第二布線135及第三布線136。
[0129]因此，第一有源圖案110、第一柵電極122、第一源電極131和第一漏電極132可以構建第一薄膜晶體管，并且第二有源圖案115、第二柵電極124、第二源電極134和第二漏電極133可以構建第二薄膜晶體管。在示例實施例中，第一薄膜晶體管可以構建用于控制設置在發光部(P1、P2、P3)中的有機發光元件的像素電路。第二薄膜晶體管可以構建圖2中描述的掃描驅動電路20和發光控制電路30。此外，布線126、135和136可以構建圖2中描述的布線結構60。
[0130]然后，平坦化層140可以被設置在第一絕緣夾層130上。例如，平坦化層140可以使用諸如環氧基樹脂、丙烯酸樹脂、二萘嵌苯基樹脂、聚酰亞胺樹脂、或它們的混合物之類的透明材料來形成。
[0131]參見圖8，開口 162和164可以通過部分去除平坦化層140、第一絕緣夾層130、柵絕緣層120和緩沖層105來形成，并且然后下電極150和像素限定層160可以被形成。
[0132]在示例實施例中，第一開口 162可以被形成為與顯示區域(I )中的第一透射部(Tl)對應，并且第二開口 164可以被形成為與第一外圍區域(II )中的第二透射部(T2)對應。因為形成開口 162和164，所以可以提高第一和第二透射部(T1、T2)的透射率。
[0133]在示例實施例中，開口 162和164可以通過如圖8中所示去除平坦化層140、第一絕緣夾層130、柵絕緣層120和緩沖層105來形成，然而實施例并不限于此。例如，開口可以通過只去除平坦化層140來形成。然后，平坦化層140可以被部分去除以形成接觸孔，并且下電極150可以被形成為填充接觸孔。
[0134]此外，像素限定層160可以被形成為部分覆蓋下電極150。在示例實施例中，像素限定層160可以被形成在平坦化層140的上表面上以及平坦化層140、第一絕緣夾層130、柵絕緣層120和緩沖層105的側壁上。在這種情況下，像素限定層160可以如圖8中所示覆蓋第一和第二透射部(T1、T2)的邊緣部分。可替代地，像素限定層160可以被形成在平坦化層140的上表面上。在這種情況下，像素限定層160可以不覆蓋第一和第二透射部(Tl、Τ2)。
[0135]參見圖9，有機層結構170、上電極175和蓋層180可以被形成。
[0136]有機層結構170可以包括至少一個有機發光層。有機層結構170可以可選地包括空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層和/或電子注入層。上電極175可以通過使用鋁(Al)、鉑(Pt)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)或其合金來形成在有機層結構170和像素限定層160上。
[0137]在示例實施例中，導電金屬層可以被形成在有機層結構170和像素限定層160上，并且然后導電金屬層可以被部分去除以形成上電極175。在這種情況下，上電極175可以不與第一和第二透射部(Τ1、Τ2)重疊。
[0138]在一些實施例中，有機層結構可以通過使用可相對于金屬具有相對弱的粘合特性的材料(例如，喹啉鋰(LiQ))來形成，并且然后上電極175可以在不使用掩模的情況下通過金屬自圖案化工藝來形成。在一些實施例中，上電極175可以完全或部分覆蓋第一和第二透射部(Τ1、Τ2)。然后，蓋層180可以被形成為覆蓋并保護有機發光元件和像素電路。
[0139]參見圖10，封裝結構190可以封裝被設置在第一基板100和封裝結構190之間的有機發光元件。在示例實施例中，封裝結構190可以包括可被順序且交替堆疊的至少一個有機層和至少一個無機層。例如，封裝結構190可以通過順序堆疊第一有機層192、第一無機層194、第二有機層196和第二無機層198來形成。
[0140]在示例實施例中，第一有機層192和第二有機層196可以通過旋涂工藝、噴涂工藝、絲網印刷工藝、噴墨印刷工藝、滴涂工藝等來形成。可替代地，第一有機層192和第二有機層196可以通過諸如濺射工藝、CVD工藝、電子束沉積工藝、熱蒸發工藝、熱離子束輔助沉積(IBAD)工藝等的沉積工藝形成。在示例實施例中，第一無機層194和第二無機層198可以通過諸如濺射工藝、CVD工藝、電子束沉積工藝、熱蒸發工藝、熱離子束輔助沉積(IBAD)工藝等的沉積工藝形成。
[0141]參見圖11，黑矩陣205、濾色器210和保護層220可以被形成在第二基板200上。
[0142]黑矩陣205可以被形成在第二基板200的底表面上。黑矩陣205可以不與第一透射部(Tl)、第二透射部(Τ2)和發光部(Ρ1、Ρ2、Ρ3)重疊。例如，黑矩陣205可以包括有機材料或諸如鉻(Cr)或氧化鉻(CrOx)的無機材料。
[0143]濾色器210可以對應于發光部(Ρ1、Ρ2、Ρ3)被形成在第二基板200的底表面上。在示例實施例中，濾色器210可以用于減小或防止外部光的反射，由此提高有機發光顯示設備的可視性。
[0144]參見圖12，填充物250可以被形成在第一基板100和第二基板200之間，并且附加固定構件260可以被形成。此外，填充物250可以填充第一基板100和第二基板200之間的空間。填充物250可以包括諸如聚氨酯基樹脂、甲基丙烯酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚異戊二烯、乙烯樹脂、環氧樹脂和纖維素基樹脂之類的有機材料。填充物250可以防止或減小氧和/或濕氣的滲透。
[0145]在示例實施例中，附加固定構件260可以被形成為使第一基板100和第二基板200接合。例如，附加固定構件260可以是包括玻璃料材料的密封件。可替代地，附加固定構件260可以是包括金屬或聚合物的框架。
[0146]圖13示出根據一些示例實施例的有機發光顯示設備的剖視圖。除了封裝結構191之外，該有機發光顯示設備可以基本上類似于結合圖1至4描述的有機發光顯示設備。
[0147]封裝結構191可以被設置在蓋層180上。封裝結構191可以封裝被設置在第一基板100和封裝結構191之間的有機發光元件。
[0148]在示例實施例中，封裝結構191可以包括至少一個無機層。例如，封裝結構191可以包括第一無機層193和第二無機層195。無機層193和195可以包括透明材料，諸如氮化娃、氮化鋁、氮化錯、氮化鈦、氮化給、氮化鉭、氧化娃、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鋪、氮氧化硅(S1N)等。
[0149]在一些示例實施例中，封裝結構191可以在無機層193和195之間包括至少一個有機層。根據示例實施例，即使封裝結構191具有簡化結構，封裝結構191也可以有效封裝有機發光元件。
[0150]圖14示出根據一些示例實施例的有機發光顯示設備的平面圖，并且圖15是根據一些示例實施例的圖14的區域(E)的放大平面圖。除了第一外圍區域(II’)和第二外圍區域(III’)之外，該有機發光顯示設備可以基本上類似于結合圖1至4描述的有機發光顯示設備。
[0151]參見圖14，有機發光顯示設備可以具有顯示區域(I ’)、第一外圍區域(II’)和第二外圍區域(III’ )。根據有機發光顯示設備的架構，第一基板101也可以被劃分為顯示區域(I ’)、第一外圍區域(II’)和第二外圍區域(III’)。
[0152]顯示區域(I ’)可以被設置在例如有機發光顯示設備的中心部分處，并且可以被配置為傳輸圖像輸出。顯示區域(I ’)可以具有各種平面形狀，例如矩形形狀。
[0153]第一外圍區域(II’)可以被設置在例如有機發光顯示設備的邊緣部分處。第一外圍區域(II’ )可以圍繞顯示區域(I ’)的至少一側。例如，第一外圍區域(II’ )可以圍繞顯示區域(I ’)的右側、左側和上側，并且可以進一步部分圍繞顯示區域(I ’)的底側，如圖14中所示。
[0154]第二外圍區域(III’ )可以被設置在有機發光顯示設備的邊緣部分處。第二外圍區域(II’)可以圍繞顯示區域(I ’)的不設置第一外圍區域(II’)的至少一側。
[0155]在示例實施例中，如圖14所示，第二外圍區域(III’ )可以在第一方向上延伸，并且可以部分圍繞顯示區域(I ’)的底側。在一些示例性實施例中，第二外圍區域(III’)可以在第二方向上延伸，并且可以部分圍繞顯示區域(I ’)的右側或左側。
[0156]參見圖15，顯示區域(I ’)可以包括多個像素(P)，并且第一外圍區域(II’)可以包括多個第二透射部(T2)。如上面提及，顯示區域(I ’)可以包括可被布置在第一方向和第二方向上的多個像素(P)。像素(P)中的每一個可以包括第一透射部(Tl)和至少一個發光部(P1、P2、P3)。
[0157]因為多個第一透射部(Tl)被布置在第一方向和第二方向上，所以顯示區域(I ’)可以具有預定透射率。另外，因為多個第二透射部(T2)被布置在第一方向和第二方向上，所以第一外圍區域(II’)可以具有預定透射率。
[0158]根據示例實施例，多個第二透射部(T2)可以提高第一外圍