、聚氧乙烯脂肪醇醚、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段 共聚物中至少一種；所述分散劑為乙烯基雙硬脂酰胺、油酸酰、硬脂酸單甘油酯、三硬脂酸 甘油酯、液體石蠟、微晶石蠟、硬脂酸鋇、硬脂酸鋅、硬脂酸鈣、聚乙烯蠟、聚乙二醇中至少 一種；所述非離子型滲透劑包含JFC(脂肪醇聚氧乙烯醚）、JFC-1 (烷基酚聚氧乙烯醚）、 JFC-2(聚氧乙烯醚化合物）、JFC-E(脂肪醇聚氧乙烯醚）中的至少一種；所述陰離子型滲 透劑包含快速滲透劑T (磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽）、耐堿滲透劑AEP(脂肪酸與環氧乙烷縮 合物）和高溫滲透劑JFC-Μ(聚氧乙烯醚化合物）中的至少一種；所述助溶劑包括苯甲酸、 苯甲酸鈉、水楊酸、水楊酸鈉、對氨基苯甲酸、烏拉坦、尿素、酰胺、乙酰胺、硼砂和碘化鉀中 至少一種；所述潛溶劑包括乙醇、甘油、丙二醇和聚乙二醇中至少一種。
[0019] 作為本發明含硫電極材料制備方法的一種改進，在步驟2中，對混合后的含硫前 驅體或多孔基體施加超聲處理；霧化處理后的霧狀物顆粒粒徑小于或等于20 μπι;霧化后 顆粒越小，其與基材接觸的越充分，顆粒見的填充越均勻。
[0020] 作為本發明含硫電極材料制備方法的一種改進，步驟3中去除溶劑的方法包括負 壓干燥、加熱干燥和冷凍干燥中的至少一種。
[0021] 本發明還包括一種硫電極材料，該電極材料由多孔基體及填充于所述多孔基體中 的含硫組分組成，所述含硫組分的質量占整個電極材料的質量的比例為30%~98%。
[0022] 本發明的有益效果在于：首先將含硫組分分散于溶劑中得到均勻的溶液/懸濁 液，再通過噴霧處理，將含硫溶液/懸濁液噴成微米、納米級霧狀顆粒，霧狀顆粒再與多孔 基材混合，使得霧狀顆粒均勻的分散于每個多孔基材表面，進而滲透浸潤孔結構中；從而實 現對每個多孔基材顆粒的均勻、充分填充，之后去除溶劑，即得到含硫電極材料。
【具體實施方式】
[0023] 下面結合【具體實施方式】對本發明及其有益效果進行詳細說明，但本發明的實施方 式不限于此。
[0024] 比較例，選擇粒徑在10 μ m~20 μ m、孔徑為10nm~50nm、孔隙率為80%的多孔碳材料 作為基材，之后與硫單質混合均勻（質量比為3:7)，再置于170°C環境中煅燒2h，之后冷卻 至室溫得到硫碳復合材料待用； 實施例1，與比較例不同之處在于，本實施例包括如下步驟： 含硫前驅體的配制：將硫單質、二硫化碳混合均勻得到硫的二硫化碳溶液待用； 含硫溶液填充：選擇粒徑在10 μ m~20 μ m、孔徑為10nm~50nm、孔隙率為80%的多孔碳材 料作為基材；將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:7的質量關系稱量）霧化成 200nm左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與多孔碳基材充分接觸，并不斷滲透浸入基材的孔結 構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷攪拌基材； 干燥：完成噴霧填充后，將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含 硫電極材料。
[0025] 其余與比較例相同，不再贅述。
[0026] 實施例2,與實施例1不同的是，本實施例包括如下步驟： 含硫前驅體的配制：將硫單質、二硫化碳混合均勻得到硫的二硫化碳溶液待用； 第一份含硫溶液填充：選擇粒徑在10 μπι~20 μπκ孔徑為10nm~50nm、孔隙率為80%的 多孔碳材料作為基材；將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:2的質量關系稱 量）霧化成200nm左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與多孔碳基材充分接觸，并不斷滲透浸入 基材的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨基材； 第一次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含部分填充的硫電極材料。
[0027] 第二份含硫溶液填充：將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:5的質量 關系稱量）霧化成200nm左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與上述部分填充的硫電極材料，并 不斷滲透浸入基材的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨 基材； 第二次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含硫電極材料。
[0028] 其它與實施例1的相同，這里不再重復。
[0029] 實施例3,與實施例1不同的是，本實施例包括如下步驟： 含硫前驅體的配制：將硫單質、二硫化碳混合均勻得到硫的二硫化碳溶液待用； 第一份含硫溶液填充：選擇粒徑在10 μπι~20 μπκ孔徑為10nm~50nm、孔隙率為80%的 多孔碳材料作為基材；將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:2的質量關系稱 量）霧化成20 μ m左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與多孔碳基材充分接觸，并不斷滲透浸入 基材的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨基材； 第一次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含部分填充的硫電極材料。
[0030] 第二份含硫溶液填充：將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:5的質量 關系稱量）霧化成20 μ m左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與上述部分填充的硫電極材料，并 不斷滲透浸入基材的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨 基材； 第二次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含硫電極材料。
[0031] 其它與實施例1的相同，這里不再重復。
[0032] 實施例4,與實施例1不同的是，本實施例包括如下步驟： 含硫前驅體的配制：將硫單質、二硫化碳混合均勻得到硫的二硫化碳溶液待用； 第一份含硫溶液填充：選擇粒徑在?ο μ m~20 μ m、孔徑為10nm~50nm、孔隙率為80%的多 孔碳材料作為基材；將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:2的質量關系稱量） 霧化成2 μ m左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與多孔碳基材充分接觸，并不斷滲透浸入基材 的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨基材； 第一次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含部分填充的硫電極材料。
[0033] 第二份含硫溶液填充：將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:5的質量 關系稱量）霧化成2 μ m左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與上述部分填充的硫電極材料，并 不斷滲透浸入基材的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨 基材； 第二次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含硫電極材料。
[0034] 其它與實施例1的相同，這里不再重復。
[0035] 實施例5,與實施例1不同的是，本實施例包括如下步驟： 含硫前驅體的配制：將硫單質、二硫化碳混合均勻得到硫的二硫化碳溶液待用； 第一份含硫溶液填充：選擇粒徑在?ο μ m~20 μ m、孔徑為10nm~50nm、孔隙率為80%的多 孔碳材料作為基材；將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:2的質量關系稱量） 霧化成20nm左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與多孔碳基材充分接觸，并不斷滲透浸入基材 的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨基材； 第一次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含部分填充的硫電極材料。
[0036] 第二份含硫溶液填充：將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:5的質量 關系稱量）霧化成20nm左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與上述部分填充的硫電極材料，并 不斷滲透浸入基材的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨 基材； 第二次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥箱中，去除溶劑，得到含硫電極材料。
[0037] 其它與實施例1的相同，這里不再重復。
[0038] 實施例6,與實施例1不同的是，本實施例包括如下步驟： 含硫前驅體的配制：將硫單質、二硫化碳混合均勻得到硫的二硫化碳溶液待用； 第一份含硫溶液填充：選擇粒徑在10 μπι~20 μπκ孔徑為10nm~50nm、孔隙率為80%的 多孔碳材料作為基材；將上述溶液置于霧化反應器中（按照基材：硫=3:2的質量關系稱 量）霧化成5nm左右的霧狀顆粒，之后霧狀顆粒與多孔碳基材充分接觸，并不斷滲透浸入基 材的孔結構中；為了保證霧狀顆粒與不同基材的充分接觸，可以不斷球磨基材； 第一次干燥：完成噴霧填充后，向盛裝基材的容器中施加 lOMPa的氣壓，并保壓lmin ; 之后將填充了硫溶液的基材置于真空干燥