在圖3B中的第一組導電線路302’包括奇數個導電線路。第二組導電線路304’對應于第二組導電線路304 (圖3A)，第二組導電線路304’包括偶數個線段。通孔306’對應于通孔306(圖3A)并將第一組導電線路302’和第二組導電線路304’中的導電線路電連接至單元308’內的一個或多個其他層中的導電線路。
[0091]單元308’包括為第一功率軌LB的第一導電軌302’和為第二功率軌LB的第二導電線路302’。單元308’具有介于第一功率軌LB和第二功率軌LB之間的總數為偶數個的導電線路302’和304’。
[0092]圖4是根據一些實施例的對應于集成電路400的布局設計的傳輸柵極的電路圖。第一正型金屬氧化物半導體（PM0S)晶體管402包括柵極端子A1、漏極（D)端子和源極（S)端子。第一負型金屬氧化物半導體（NM0S)晶體管404包括柵極端子B2、D端子和S端子。第一 PM0S晶體管402的D端子電連接至第一 NM0S晶體管404的S端子并且第一 PM0S晶體管的S端子電連接至第一 NM0S晶體管的D端子以形成第一晶體管對。
[0093]第二PM0S晶體管406包括柵極端子Bl、D端子和S端子。第二NM0S晶體管408包括柵極端子A2、D端子和S端子。第二PM0S晶體管406的D端子電連接至第二NM0S晶體管408的S端子并且第二PM0S晶體管的S端子電連接至第二NM0S晶體管的D端子以形成第二晶體管對。
[0094]第一 PM0S晶體管402的柵極端子A1電連接至第二NM0S晶體管408的柵極端子A2。第二PM0S晶體管406的柵極端子B1電連接至第一 NM0S晶體管404的柵極端子B2。第一 PM0S晶體管402的S端子和第一 NM0S晶體管404的D端子電連接至第二PM0S晶體管406的D端子和第二NM0S晶體管408的S端子以形成傳輸柵極400。在一些實施例中，傳輸柵極400位于單個單元中。
[0095]圖5是根據一些實施例的用于集成電路500的具有傳輸柵極單元的布局設計的示意圖。傳輸柵極單元500對應于圖4中的傳輸柵極，例如，第一 PM0S晶體管的柵極端子A1電連接至第二NM0S晶體管的柵極端子A2并且第二PM0S晶體管的柵極端子B1電連接至第一 NM0S晶體管的柵極端子B2。如本文中所用短語“電連接”包括短語“導電連接”。在一些實施例中，傳輸柵極單元500包括金屬1(M1)部分、MD 2(MD2)部分、通孔0(V0)部分、金屬-多晶硅連接（MP)部分、氧化物定義（OD)部分、多晶硅（Poly)部分和切斷多晶硅（CPO)部分。在一些實施例中，Ml部分包含在傳輸柵極單元500中的金屬層的部分中。在一些實施例中，Ml部分是傳輸柵極單元500中的唯一金屬層的部分。在一些實施例中，通過利用第一掩模圖案和第二掩模圖案的雙圖案化將Ml部分沿一個方向布置。
[0096]在一些實施例中，Poly部分也被稱為沿著第一預定方向在導電層（S卩，多晶硅層）中延伸的一組導電部件。在一些實施例中，MD2部分也被稱為沿著第一預定方向在導電層(即，MD2層）中延伸的一組導電部件。在一些實施例中，Ml部分也被稱為沿著第二預定方向在導電層（即，Ml層）中延伸的一組導電部件。
[0097]在一些實施例中，傳輸柵極單元500包括第一組導電線路502中的四個導電線路和第二組導電線路504中的三個導電線路，總數等于七個導電線路。在一些實施例中，第一組導電線路502和第二組導電線路504被雙圖案化為金屬層的Ml部分。在一些實施例中，第一組導電線路502和第二組導電線路504被雙圖案化為金屬層的Ml部分中的七個金屬線。
[0098]柵極端子Al、A2、B1和B2由Poly部分形成。第一 Poly部分中的柵極端子A1通過第一通孔V0_1部分電連接至第一 Ml金屬部分，第一 Ml金屬部分通過第二通孔部分電連接至MD2部分，MD2部分通過第三通孔部分電連接至第二Ml部分，第二Ml部分通過第四通孔V0_4電連接至第二Poly部分中的柵極端子A2。
[0099]第三Poly部分中的柵極端子B1通過第五通孔V0_2部分電連接至第三Ml金屬部分，第三Ml金屬部分通過第六通孔部分電連接至第四Poly部分，第四Poly部分通過第七通孔部分電連接至第四Ml部分，第四Ml部分通過第八通孔V0_3電連接至第四Poly部分中的柵極端子B2。在一些實施例中，傳輸柵極單元500包括至少六個Poly部分。在一些實施例中，傳輸柵極單元500包括十個Poly部分。
[0100]在一些實施例中，第一導電層中位于電連接至電源電壓的導電線路和電連接至接地電源的導電線路之間的導電線路的數量為五，例如以形成該傳輸柵極單元。
[0101]圖6是根據一些實施例的用于集成電路600的具有傳輸柵極單元的布局設計的示意圖。除了此處所述和圖6所示外，本文中與圖5相關的描述可應用于圖6。在一些實施例中，傳輸柵極單元600包括第一組導電線路602中的四個導電線路和第二組導電線路604中的三個導電線路，總數等于七個導電線路。在一些實施例中，第一組導電線路602和第二組導電線路604被雙圖案化為金屬層的Ml部分。在一些實施例中，第一組導電線路602和第二組導電線路604被雙圖案化為金屬層的Ml部分中的七個金屬線。
[0102]柵極端子Al、A2、B1和B2由Poly部分形成。第一 Poly部分中的柵極端子A1通過第一通孔V0_1部分電連接至第一 Ml金屬部分，第一 Ml金屬部分通過第二通孔部分電連接至MD2部分，MD2部分通過第三通孔部分電連接至第二Ml部分，第二Ml部分通過第四通孔V0_4電連接至第二Poly部分中的柵極端子A2。
[0103]第三Poly部分中的柵極端子B1通過第五通孔V0_2部分電連接至第三Ml金屬部分，第三Ml金屬部分通過第六通孔部分電連接至第四Poly部分，第四Poly部分通過第七通孔部分電連接至第四Ml部分，第四Ml部分通過第八通孔V0_3電連接至第四Poly部分中的柵極端子B2。在一些實施例中，傳輸柵極單元600包括至少六個Poly部分。在一些實施例中，傳輸柵極單元600包括七個Poly部分。
[0104]圖7是根據一些實施例的用于集成電路700的具有傳輸柵極單元的布局設計的示意圖。除了此處所述和圖7所示外，本文中與圖5相關的描述可應用于圖7。在一些實施例中，傳輸柵極單元700包括第一組導電線路702中的兩個導電線路和第二組導電線路704中的兩個導電線路，總數等于四個導電線路。在一些實施例中，第一組導電線路702和第二組導電線路704被雙圖案化為金屬層的Ml部分。在一些實施例中，第一組導電線路702和第二組導電線路704被雙圖案化為金屬層的Ml部分中的四個金屬線。
[0105]柵極端子Al、A2、B1和B2由Poly部分形成。第一 Poly部分中的柵極端子A1通過第一通孔V0_1部分電連接至第一 Ml金屬部分，第一 Ml金屬部分通過第二通孔部分電連接至MD2部分，MD2部分通過第三通孔部分電連接至第二Ml部分，第二Ml部分通過第四通孔V0_4電連接至第二Poly部分中的柵極端子A2。
[0106]第三Poly部分中的柵極端子B1通過第五通孔V0_2部分電連接至第三Ml金屬部分，第三Ml金屬部分通過第六通孔部分電連接至第四Poly部分，第四Poly部分通過第七通孔部分電連接至第四Ml部分，第四Ml部分通孔第八通孔V0_3電連接至第四Poly部分中的柵極端子B2。在一些實施例中，傳輸柵極單元700包括至少六個Poly部分。在一些實施例中，傳輸柵極單元700包括八個Poly部分。
[0107]圖8是根據一些實施例的用于集成電路800的具有傳輸柵極單元的布局設計的示意圖。除了此處所述和圖8所示外，本文中與圖5相關的描述可應用于圖8。在一些實施例中，傳輸柵極單元800包括第一組導電線路802中的三個導電線路和第二組導電線路804中的兩個導電線路，總數等于五個導電線路。在一些實施例中，第一組導電線路802和第二組導電線路804被雙圖案化為金屬層的Ml部分。在一些實施例中，第一組導電線路802和第二組導電線路804被雙圖案化為金屬層的Ml部分中的五個金屬線。
[0108]柵極端子A1、A2、B1和B2由Poly部分形成。柵極端子A1與柵極端子A2共享第一 Poly部分。第一 Poly部分通過第一通孔V0_2電連接至第一 Ml金屬部分。
[0109]第二Poly部分中的柵極端子B1通過第二通孔V0_3部分電連接至第二Ml金屬部分，第二Ml金屬部分通過第三通孔V0_1部分電連接至第三Poly部分中的柵極端子B2。在一些實施例中，傳輸柵極單元800包括至少三個未破損Poly部分。未破損Poly部分未與一個或多個其他Poly部分垂直分隔開。在一些實施例中，傳輸柵極單元800包括五個Poly部分。
[0110]圖9是根據一些實施例的用于集成電路900的具有傳輸柵極單元的布局設計的示意圖。除了此處所述和圖9所示外，本文中與圖5相關的描述可應用于圖9。在一些實施例中，傳輸柵極單元900包括第一組導電線路902中的兩個導電線路和第二組導電線路904中的兩個導電線路，總數等于四個導電線路。在一些實施例中，第一組導電線路902和第二組導電線路904被雙圖案化為金屬層的Ml部分。在一些實施例中，第一組導電線路902和第二組導電線路904被雙圖案化為金屬層的Ml部分中的四個金屬線。
[0111]柵極端子Al、A2、B1和B2由Poly部分形成。柵極端子A1與柵極端子A2共享第一 Poly部分。第一 Poly部分通過第一通孔V0_2電連接至第一 Ml金屬部分。
[0112]第二Poly部分中的柵極端子B1通過第二通孔V0_1部分電連接至第二Ml金屬部分，第二Ml金屬部分通過第三通孔V0_3部分電連接至第三Poly部分中的柵極端子B2。在一些實施例中，第一 Poly部分的底部形成第一偽晶體管。在一些實施例中，MP部分形成第二偽晶體管。在一些實施例中，傳輸柵極單元900包括至少三個未破損Poly部分。在一些