00A/m的直流磁場一邊在340°C下進行了兩個小時的 熱處理。
[0140] -卷繞磁芯的鐵損一
[0141] 通過將一次繞線和二次繞線卷繞在磁芯上，以頻率50Hz使勵磁磁通密度在 1. 35T~1. 50T的范圍進行變化來測量了鐵損。在下述表3中表示測量結果。表3中的卷 繞磁芯的試樣No分別與所述表1中的薄帶試樣No相對應。
[0142] [表 3]
[0143]
[0144] 采用實施了激光處理的薄帶試樣2~薄帶試樣5而制作出的卷繞磁芯2~5與采 用未進行激光處理的薄帶試樣1而制作出的卷繞磁芯1相比，在各磁通密度中都顯示低鐵 損。此外，按照每個照射能量對比鐵損。
[0145] 在將照射能量設為0. 3mJ/Pulse的薄帶材料2、3中，采用薄帶試樣3的本發明的 卷繞磁芯3與采用薄帶試樣2的比較用的卷繞磁芯2相比，在各磁通密度中都顯示低鐵損。
[0146] 在將照射能量設為1. 26mJ/Pulse的薄帶材料4、5中，采用薄帶試樣5的本發明的 卷繞磁芯5與采用薄帶試樣4的比較用的卷繞磁芯4相比，在各磁通密度中都是相同的鐵 損或者顯示低鐵損。
[0147] 特別是，例如B= 1.50(T)時，采用薄帶試樣5的本發明的卷繞磁芯5能夠得到比 采用薄帶試樣4的比較用的卷繞磁芯4低出0. 01W/kg的鐵損，采用薄帶試樣3的本發明的 卷繞磁芯3能夠得到比采用薄帶試樣2的卷繞磁芯2低出0. 01W/kg的鐵損。
[0148] 在此，對于0. 01W/kg的鐵損差來說，由于是相對于鐵損是0. 14W/kg而言的0. 01W/ kg，因此可知，表示減少了 7%~8%鐵損，是較大的減少效果。
[0149] 根據這些結果可知：在卷繞Fe基非晶態合金薄帶而做成卷繞磁芯的情況下，通過 在Fe基非晶態合金薄帶的寬度方向端部不實施激光處理、也就是僅對中央部進行激光處 理，與采用未進行激光處理的合金薄帶的卷繞磁芯1、采用對幅寬整個區域進行了激光處理 的合金薄帶的卷繞磁芯2、4相比顯示低鐵損。
[0150] (實施例2)
[0151] 在實施例1中，除了如下述表4所示變更激光處理的條件之外，與實施例1同樣在 薄帶寬度方向上的中央部形成凹部列，如圖1 一 A所示制作了在除了距寬度方向兩端預定 的區域之外的中央部（長度與整個幅寬1之比參照表4)形成有多個凹部的試樣（薄帶試 樣7~薄帶試樣13)。此時，照射能量設為0. 3mJ/PulSe，凹部之間的間隔（數密度）設為 6 個 /mm〇
[0152] [表 4]
[0153]
[0154] -卷繞磁芯的制作和其熱處理一
[0155] 接著，針對所述表4所示的薄帶試樣6~薄帶試樣13中，與實施例1同樣地制作 卷繞磁芯，進行了熱處理。在熱處理中，溫度、直流磁場施加等條件是同樣的，但熱處理爐使 用不同的熱處理爐。
[0156] -卷繞磁芯的鐵損一
[0157] 通過將一次繞線和二次繞線卷繞在磁芯上，以頻率50Hz使勵磁磁通密度在 1. 35 (T)~1.50 (T)的范圍內進行變化來測量了鐵損。在下述表5中表示測量結果。表5 中的卷繞磁芯的試樣No分別與所述表4中的薄帶試樣No相對應。
[0158] [表 5]
[0159]
[0160] 采用向除了距寬度方向兩端部5mm、7mm、10mm之外的中央部（長度與整個幅寬之 比：分別是0. 6、0. 44、0. 2)照射了激光的薄帶試樣8~10的卷繞磁芯8~10與采用未進 行激光處理的薄帶試樣6的卷繞磁芯6相比，在各磁通密度中都顯示低鐵損。此外，該卷繞 磁芯8~10與向除了距寬度方向兩端部1mm之外的中央部（長度與整個幅寬之比：0. 92) 照射了激光的薄帶試樣7的卷繞磁芯7相比，在各磁通密度中都顯示低鐵損。
[0161] 根據這些結果可知：在卷繞Fe基非晶態合金薄帶而做成卷繞磁芯的情況下，通過 在Fe基非晶態合金薄帶的寬度方向兩端部不實施激光處理、即僅對除了距寬度方向兩端 部預定的區域之外的中央部（長度與整個幅寬之比：〇. 6、0. 44、或者0. 2)進行激光處理，從 而與合金薄帶是未進行激光處理的卷繞磁芯6、對合金薄帶的接近整個幅寬的區域（長度 與整個幅寬之比：〇. 92)實施了激光處理的卷繞磁芯7相比顯示低鐵損。
[0162] 另外，對于沒有照射激光的卷繞磁芯的鐵損而言，在對表1~表2所記載的No. 1 和表4~表5所記載的No. 6進行對比時，No. 6的鐵損大于No. 1的鐵損。其原因可推測為 使用了不同的熱處理爐。
[0163] 在對采用改變薄帶長度方向上的凹部形成間隔DL(mm)并照射了激光的合金薄帶 吣.8、11、12、13(01分別是5_、2_、7_、1〇111111)的卷繞磁芯8、11、12、13、采用未進行激光 處理的合金薄帶的卷繞磁芯6、以及采用對接近整個幅寬的區域（長度與整個幅寬之比： 0. 92)進行了激光處理的合金薄帶7的卷繞磁芯7進行對比時，卷繞磁芯8、11、12、13與卷 繞磁芯6相比在各磁通密度中大致全都顯示低鐵損。另外，在DL = 2mm的卷繞磁芯11中， 其在B = 1. 45T和1. 50T時的損耗與卷繞磁芯7在B = 1. 45T和1. 50T時的損耗是大致相 同程度，這表示在薄帶長度方向上的DL是2mm以下時利用激光處理實現的卷繞磁芯的低鐵 損化效果變小。根據上述結果可知：薄帶長度方向上的凹部形成間隔DL優選為2mm以上。
[0164] 產業h的可利用件
[0165] 本發明適合配電用變壓器、高頻變壓器、可飽和電抗器、磁開關等領域。
[0166] 日本申請2013 - 051035公開的全部內容通過參照編入到本說明書中。
[0167] 本說明書所記載的全部文獻、專利申請、以及技術標準以與各個文獻、專利申請、 以及技術標準通過參照想要編入的內容是具體地記載且各自記載的情況下的內容相同的 程度通過參照編入到本說明書中。
【主權項】
1. 一種卷繞磁芯，其中， 該卷繞磁芯通過卷繞Fe基非晶態合金薄帶而成，在Fe基非晶態合金薄帶的寬度方向 上的中央部具有凹部列，該中央部的該寬度方向上的長度與該Fe基非晶態合金薄帶的該 寬度方向上的整個幅寬之比是〇. 2以上且0. 8以下，該凹部列由利用激光照射形成的多個 凹部構成。2. 根據權利要求1所述的卷繞磁芯，其中， 所述凹部列的、合金薄帶長度方向上的間隔是2mm以上且20mm以下。3.根據權利要求1或2所述的卷繞磁芯，其中， 所述Fe基非晶態合金薄帶的厚度是15 y m以上且40 y m以下。4.根據權利要求1~3中任一項所述的卷繞磁芯，其中， 所述Fe基非晶態合金薄帶的整個幅寬是15mm以上且250mm以下。5.根據權利要求1~4中任一項所述的卷繞磁芯，其中， 所述凹部列的相鄰的凹部之間的中心間距離均等，而且所述凹部的形成間隔在寬度方 向上是4個/mm以上且8個/mm以下的范圍。6. 根據權利要求5所述的卷繞磁芯，其中， 俯視所述凹部時的形狀是圓形或橢圓形。7. -種卷繞磁芯的制造方法，其中， 該制造方法包括： 凹部形成工序，在該凹部形成工序中，通過向Fe基非晶態合金薄帶的寬度方向上的中 央部以脈沖狀照射激光而形成凹部，該中央部的該寬度方向上的長度與該Fe基非晶態合 金薄帶的該寬度方向上的整個幅寬之比是0. 2以上且0. 8以下；以及 卷繞工序，在該卷繞工序中，通過卷繞已形成有所述凹部的Fe基非晶態合金薄帶而做 成磁芯。8. 根據權利要求7所述的卷繞磁芯，其中， 在所述凹部形成工序中，通過在合金薄帶長度方向上設置2mm以上且20mm以下的間隔 并以脈沖狀照射激光而形成所述凹部。9.根據權利要求7或8所述的卷繞磁芯的制造方法，其中， 所述Fe基非晶態合金薄帶的厚度是15 y m以上且40 y m以下。
【專利摘要】本發明提供卷繞磁芯和其制造方法。該卷繞磁芯通過卷繞Fe基非晶態合金薄帶而成，在Fe基非晶態合金薄帶的寬度方向上的中央部具有凹部列，該中央部的該寬度方向上的長度與該Fe基非晶態合金薄帶的該寬度方向上的整個幅寬之比是0.2以上且0.8以下，該凹部列由利用激光照射形成的多個凹部構成。
【IPC分類】H01F41/02, H01F27/24, H01F27/25
【公開號】CN105074841
【申請號】CN201480014465
【發明人】東大地, 伊藤直輝, 佐佐木淳, 和井伸一
【申請人】日立金屬株式會社
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2014年3月12日
【公告號】WO2014142204A1