部400及半導體基底100，以形成彼此分離的多個晶片封裝體，如圖14所示。在本實施例中，半導體基底100包括多個凹口 200及220，其鄰接半導體基底100的不同側邊101及103，且對于半導體基底100的中心(例如，裝置區115)而言，其中一導線300與另一導線320具有非對稱的配置方式。
[0102]根據上述實施例，晶片封裝體具有凹口位于半導體基底內，使得導線可延伸至凹口內，因此能夠降低與導線電性連接的導電結構的高度，進而有效降低晶片封裝體的整體尺寸。再者，由于凹口橫跨半導體基底的側邊而延伸至半導體基底的角落，因此可減少應力而避免半導體基底破裂，且有效縮短導線的導電路徑，進而增加輸出信號的布局彈性。再者，由于半導體基底具有間隔部突出于凹口的底部且位于兩導線之間，因此可避免導線發生短路的問題，進而提升晶片封裝體的可靠度。
[0103]以上所述僅為本發明較佳實施例，然其并非用以限定本發明的范圍，任何熟悉本項技術的人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，可在此基礎上做進一步的改進和變化，因此本發明的保護范圍當以本申請的權利要求書所界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一半導體基底； 一凹口，位于該半導體基底內，其中該半導體基底具有至少一間隔部，該至少一間隔部突出于該凹口的一底部；以及 一導線，設置于該半導體基底上，且延伸至該凹口內。
2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一間隔部的高度等于或小于該凹口的深度。
3.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該凹口鄰接該半導體基底的一側邊，且該至少一間隔部沿著該導線的延伸方向而延伸至該側邊。
4.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中該至少一間隔部位于該導線與該另一導線之間。
5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導體基底包括間隔排列的多個間隔部，且該導線延伸至所述間隔部中的兩者之間。
6.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中所述間隔部中的至少一個位于該導線與該另一導線之間。
7.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，所述間隔部之間具有相同或不同的間距。
8.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該凹口延伸至該半導體基底的邊緣。
9.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導體基底包括多個凹口，所述凹口鄰接該半導體基底的不同側邊，且該晶片封裝體包括多個導線，所述導線分別延伸至所述凹口內，且對于該半導體基底的中心而言，所述導線的其中一個與另一個具有非對稱的配置方式。
10.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一半導體基底； 一凹口，位于該半導體基底內且鄰接該半導體基底的一側邊并橫跨該側邊，其中該凹口的一側壁具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來看，該第一部分與該側邊之間的一第一距離大于該第二部分與該側邊之間的一第二距離；以及 一導線，設置于該半導體基底上，且延伸至該凹口內。
11.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該凹口的該側壁還包括一第三部分，該第三部分鄰接于該第二部分，且從俯視方向來看，該第三部分與該側邊之間的一第三距離相同或不同于該第一距離。
12.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該凹口還橫跨該半導體基底中與該側邊相鄰的至少一側邊。
13.根據權利要求12所述的晶片封裝體，其特征在于，該凹口具有橫跨該至少一側邊的另一側壁，且該另一側壁具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來看，該另一側壁的該第一部分與該至少一側邊之間的一第三距離不同于該另一側壁的該第二部分與該至少一側邊之間的一第四距離。
14.根據權利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該第三距離或該第四距離相同或不同于該第二距離。
15.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括另一凹口，該另一凹口位于該半導體基底內且與相對于該側邊的另一側邊鄰接并橫跨該另一側邊。
16.根據權利要求15所述的晶片封裝體，其特征在于，該另一凹口的一側壁具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來看，該另一凹口的該側壁的該第一部分與該另一側邊之間的一第三距離不同于該另一凹口的該側壁的該第二部分與該另一側邊之間的一第四距離。
17.根據權利要求16所述的晶片封裝體，其特征在于，該第三距離或該第四距離相同或不同于該第二距離。
18.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導體基底包括至少一間隔部，該至少一間隔部突出于該凹口的一底部。
19.根據權利要求18所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中該至少一間隔部位于該導線與該另一導線之間。
20.根據權利要求18所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導體基底包括間隔排列的多個間隔部，且該導線延伸至所述間隔部中的兩者之間。
21.根據權利要求18所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中所述間隔部中的至少一個位于該導線與該另一導線之間。
22.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該半導體基底包括多個凹口，所述凹口鄰接該半導體基底的不同側邊，且該晶片封裝體包括多個導線，所述導線分別延伸至所述凹口內，且對于該半導體基底的中心而言，所述導線的其中一個與另一個具有非對稱的配置方式。
23.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括: 提供一半導體基底； 去除該半導體基底的一部分，以在該半導體基底內形成一凹口且在該半導體基底內形成至少一間隔部，其中該至少一間隔部突出于該凹口的一底部；以及 在該半導體基底上形成一導線，該導線延伸至該凹口內。
24.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括切割該至少一間隔部及該半導體基底。
25.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一間隔部的高度等于或小于該凹口的深度。
26.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該凹口鄰接該半導體基底的一側邊，且該至少一間隔部沿著該導線的延伸方向而延伸至該側邊。
27.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該半導體基底上形成另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中該至少一間隔部位于該導線與該另一導線之間。
28.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，去除該半導體基底的一部分的步驟包括在該凹口內形成間隔排列的多個間隔部，且該導線延伸至所述間隔部中的兩者之間。
29.根據權利要求28所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該半導體基底上形成另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中所述間隔部中的至少一個位于該導線與該另一導線之間。
30.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，所述間隔部之間具有相同或不同的間距。
31.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該半導體基底具有多個裝置區，且該晶片封裝體的制造方法包括在所述裝置區之間的該半導體基底內形成多個凹口，使得所述凹口的底部之間的該半導體基底構成該至少一間隔部，且該至少一間隔部將相鄰的所述凹口彼此隔離。
32.根據權利要求31所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括從所述凹口的底部邊緣進行切割制程，去除所述凹口的底部之間的該至少一間隔部，以形成彼此分離的多個晶片封裝體。
33.根據權利要求31所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括形成多個導線，所述導線分別延伸至所述凹口內，其中對于該至少一間隔部而言，所述導線的其中一個與另一個具有非對稱的配置方式。
34.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該凹口延伸至該半導體基底的邊緣。
35.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括在該半導體基底內形成多個凹口，所述凹口鄰接該半導體基底的不同側邊，且該晶片封裝體的制造方法包括在該半導體基底上形成多個導線，所述導線分別延伸至所述凹口內，其中對于該半導體基底的中心而言，所述導線的其中一個與另一個具有非對稱的配置方式。
36.根據權利要求23所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該凹口具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來看，該第一部分的兩相對側壁之間的一第一距離大于該第二部分的兩相對側壁之間的一第二距離。
37.根據權利要求36所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該凹口還包括一第三部分，該第三部分鄰接于該第二部分，且從俯視方向來看，該第三部分的兩相對側壁之間的一第三距離相同或不同于該第一距離。
38.根據權利要求36所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，去除該半導體基底的一部分的步驟還包括在該半導體基底內形成一第二凹口，該第二凹口垂直于該凹口且與該凹口鄰接。
39.根據權利要求38所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二凹口具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來看，該第二凹口的該第一部分的兩相對側壁之間的一第三距離不同于該第二凹口的該第二部分的兩相對側壁之間的一第四距離。
40.根據權利要求39所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第三距離或該第四距離相同或不同于該第二距離。
41.根據權利要求36所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，去除該半導體基底的一部分的步驟還包括在該半導體基底內形成一第二凹口，該第二凹口平行于該凹口。
42.根據權利要求41所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二凹口具有一第一部分及與該第一部分鄰接的一第二部分，且從俯視方向來看，該第二凹口的該第一部分的兩相對側壁之間的一第三距離不同于該第二凹口的該第二部分的兩相對側壁之間的一第四距離。
43.根據權利要求42所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第三距離或該第四距離相同或不同于該第二距離。
44.根據權利要求43所述的晶片封裝體的制造方法，還包括在該半導體基底上形成另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中該至少一間隔部位于該導線與該另一導線之間。
45.根據權利要求44所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，去除該半導體基底的一部分的步驟包括在該凹口內形成間隔排列的多個間隔部，且該導線延伸至所述間隔部中的兩者之間。
46.根據權利要求45所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該半導體基底上形成另一導線，該另一導線延伸至該凹口內，其中所述間隔部中的至少一個位于該導線與該另一導線之間。
【專利摘要】本發明提供一種晶片封裝體及其制造方法，該晶片封裝體包括：一半導體基底；一凹口，位于半導體基底內，其中半導體基底具有至少一間隔部，該至少一間隔部突出于凹口的一底部；以及一導線，設置于半導體基底上，且延伸至凹口內。本發明能夠降低與導線電性連接的導電結構的高度，進而有效降低晶片封裝體的整體尺寸，且可避免導線發生短路的問題，進而提升晶片封裝體的可靠度。
【IPC分類】H01L21-56, H01L21-60, H01L23-14
【公開號】CN104835793
【申請號】CN201510071815
【發明人】鄭家明, 劉滄宇, 廖季昌, 黃玉龍
【申請人】精材科技股份有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年2月11日
【公告號】US20150228557