。例如，位于相對兩側的導線300對于裝置區115而言錯位且非對稱地排列，然而位于相對兩側的導線300仍可選擇性具有相同或不同的形狀及/或尺寸。或者，位于相對兩側的導線300對于裝置區115而言對稱地排列，然而位于相對兩側的導線300具有不同的形狀及/或尺寸。在其他實施例中，延伸至凹口 200內的導線300可分別與位于另一相對側的凹口 200內的導線300具有完全非對稱的配置方式(亦即，具有不同的形狀、尺寸及排列位置)。
[0032]在本實施例中，晶片封裝體可進一步設置于一電路板(未繪示)上，且通過導電結構(未繪示，例如焊線或焊球)，將延伸至凹口 200內的導線300電性連接至電路板。
[0033]請參照圖1E及5，其分別繪示出根據本發明另一實施例的晶片封裝體的剖面示意圖及局部立體示意圖，其中相同于前述圖1F及2至4的實施例的部件使用相同的標號并省略其說明。為了清楚顯示相對位置關系，圖5中并未繪示出圖1E中的介電層130及鈍化護(passivat1n)層 160。
[0034]在本實施例中，晶片封裝體包括具有一基底的晶片/晶粒。基底包括一半導體基底100、一介電層130及多個導電墊150，且包括一裝置區115。裝置區115內可包括電子元件或感測元件(未繪示)。半導體基底100具有一第一表面10a及與其相對的一第二表面100b，且介電層130設置于半導體基底100的第一表面10a上。一般而言，介電層130可由層間介電層(ILD)、金屬間介電層(MD)及覆蓋的鈍化護層組成。
[0035]導電墊150設置于第一表面10a上的介電層130內，其可鄰近于介電層130的上表面，且介電層130具有露出導電墊150的開口。導電墊150可為單層導電層或具有多層的導電層結構，且通過介電層130內的內連線結構(未繪示)而與裝置區115內的電子元件或感測元件電性連接。
[0036]一凹口 200位于半導體基底100內且鄰接于晶片封裝體的半導體基底100的一側邊101 (如圖5所示)，并自第一表面10a朝第二表面10b延伸。在本實施例中，凹口 200的側壁可垂直或傾斜于半導體基底100的第一表面100a，且凹口 200的底部可平行或非平行于半導體基底100的第一表面100a。在一實施例中，凹口 200的側壁及底部210可能凹凸不平而呈現鋸齒狀輪廓。在其他實施例中，半導體基底100內可具有由多個連續凹口所構成的多階凹口(未繪示)。
[0037]一間隔部400突出于凹口 200的底部210，如圖5所示。間隔部400為半導體基底100的一部分，因此間隔部400的高度等于或小于凹口 200的深度。換句話說，可視為間隔部400將凹口 200區隔成兩凹口，且間隔部400設置于兩凹口之間。另外，可以理解的是，圖式中間隔部400的數量及外型僅作為范例說明，并不限定于此，其實際數量及外型取決于設計需求。
[0038]在本實施例中，晶片封裝體還包括一鈍化護層160，設置于基底的介電層130上，且延伸至介電層130的開口內而覆蓋導電墊150的一部分。鈍化護層160還進一步延伸至凹口 200的側壁及底部210及凹口之間的間隔部400上。在一實施例中，鈍化護層160未覆蓋間隔部400的頂部。在本實施例中，鈍化護層160可包括環氧樹脂、無機材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金屬氧化物或前述的組合)、有機高分子材料(例如，聚酰亞胺樹脂、苯環丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的介電材料。
[0039]導線300及導線310 (繪示于圖5)設置于鈍化護層160上，且延伸至從鈍化護層160露出的導電墊150上而與其電性連接。導線300及310還進一步延伸至凹口 200的側壁及底部210上。在一實施例中，導線300及310可僅延伸至凹口 200的側壁上。在本實施例中，導線300及310可包括銅、鋁、金、鉑、鎳、錫、前述的組合或其他適合的導電材料。
[0040]在一實施例中，間隔部400沿著導線300及310的延伸方向而延伸至側邊101，且間隔部400位于導線300及310之間，如圖5所示。在另一實施例中，晶片封裝體的半導體基底100可具有間隔排列的多個間隔部400，間隔部400之間可具有相同的間距Pl及P2 (如圖6所示)，也可具有不同的間距Pl及P3(如圖7所示)。在一實施例中，導線300及310可分別延伸至間隔部400中的任兩者之間，且導線300及310之間具有一間隔部400，如圖6所示。又另一實施例中，導線300及310之間可具有多個間隔部400，如圖7所示。在一實施例中，如圖14所示，導線300可延伸至兩間隔部400’之間，且兩間隔部400’之間的間距不大于導線300的寬度，使得導線300與兩間隔部400’相連。再者，導線320可延伸至間隔部400與間隔部400’之間，且間隔部400與間隔部400’之間的間距大于導線320的寬度，而導線320具有與間隔部400’鄰接的一側邊。
[0041]在本實施例中，晶片封裝體可進一步設置于一電路板(未繪示)上，且通過導電結構(未繪示，例如焊線或焊球)，將延伸至凹口 200內的導線300及310電性連接至電路板。根據上述實施例，晶片封裝體具有凹口位于半導體基底內，使得導線可延伸至凹口內，因此當晶片封裝體的導線通過導電結構與電路板電性連接時，能夠降低導電結構的高度，進而有效降低晶片封裝體的整體尺寸。另外，由于半導體基底具有間隔部突出于凹口的底部且位于兩導線之間，因此可避免導線發生短路的問題，進而提升晶片封裝體的可靠度。
[0042]可以理解的是，本發明的實施方式具有許多變化，而并不限定于上述實施例。舉例來說，凹口 200可進一步延伸至半導體基底100的邊緣，且可具有曲折的側壁(如圖8所示)或具有平直的側壁(如圖9所示)。再者，不論位于相對兩側的凹口 200的形狀、尺寸或排列位置是否相同，延伸至凹口 200內的多個導線300可分別與位于另一相對側的凹口200內的多個導線300具有對稱的配置方式，如圖9所示。另外，不論位于相對兩側的凹口200的形狀、尺寸或排列位置是否相同，延伸至凹口 200內的導線300亦可與位于另一相對側的凹口 200內的導線300具有不完全對稱的配置方式，如圖8所示。例如，位于相對兩側的導線300對于裝置區115而言錯位且非對稱地排列，然而位于相對兩側的導線300仍可選擇性具有相同或不同的形狀及/或尺寸(如圖8、13及14所示)。或者，位于相對兩側的導線300對于裝置區115而言對稱地排列，然而位于相對兩側的導線300具有不同的形狀及/或尺寸。在其他實施例中，延伸至凹口 200內的導線300可分別與位于另一相對側的凹口 200內的導線300具有完全非對稱的配置方式。
[0043]請參照圖1F及10，其分別繪示出根據本發明又另一實施例的晶片封裝體的剖面示意圖及平面示意圖，其中相同于前述圖1F及2至9的實施例的部件使用相同的標號并省略其說明。為了清楚顯示相對位置關系，圖10中并未繪示出圖1F中的介電層130及鈍化護層160。
[0044]在本實施例中，晶片封裝體包括具有一基底的晶片/晶粒。基底包括一半導體基底100、一介電層130及多個導電墊150，且包括一裝置區115。裝置區115內可包括電子元件或感測元件(未繪示)。半導體基底100具有一第一表面10a及與其相對的一第二表面100b，且介電層130設置于半導體基底100的第一表面10a上。一般而言，介電層130可由層間介電層(ILD)、金屬間介電層(MD)及覆蓋的鈍化護層組成。
[0045]導電墊150設置于第一表面10a上的介電層130內，其可鄰近于介電層130的上表面，且介電層130具有露出導電墊150的開口。導電墊150可為單層導電層或具有多層的導電層結構，且通過介電層130內的內連線結構(未繪示)而與裝置區115內的電子元件或感測元件電性連接。
[0046]一凹口 200位于半導體基底100內且自第一表面10a朝第二表面10b延伸。凹口 200鄰接于晶片封裝體的半導體基底100的一側邊101，且橫跨側邊101的全部長度(如圖10所示)。凹口 200具有一側壁部分200a及與其鄰接的另一側壁部分200b，且從俯視方向來看，側壁部分200a與側邊101之間的距離大于側壁部分200b與側邊101之間的距離。在另一實施例中，側壁部分200a與側邊101之間的距離可小于側壁部分200b與側邊101之間的距離。另外，可以理解的是，圖式中側壁部分的數量、側壁部分與側邊之間的距離、導線的延伸方向及導電墊的位置僅作為范例說明，并不限定于此。
[0047]在本實施例中，晶片封裝體還包括一鈍化護層160，設置于基底的介電層130上，且延伸至介電層130的開口內而覆蓋導電墊150的一部分。鈍化護層160還進一步延伸至凹口 200的側壁及底部210上。
[0048]導線300設置于鈍化護層160上，且延伸至從鈍化護層160露出的導電墊150而與其電性連接。導線300還進一步延伸至凹口 200的側壁及底部210上。在一實施例中，導線300可僅延伸至凹口 200的側壁上。在本實施例中，導線300可延伸至凹口 200的第一部分200a或第二部分200b。
[0049]根據上述實施例，由于凹口 200橫跨側邊101的全部長度而延伸至半導體基底100的角落，因此可減少應力而避免半導體基底破裂，且使得距離凹口 200的側壁部分200a較遠的導線可直接延伸至凹口 200的側壁部分200b，進而有效縮短導線的導電路徑，增加信號傳遞速度，且可節省導線所占用的半導體基底100的表面面積。
[0050]請參照圖11至14，其繪示出根據本發明各種實施例的晶片封裝體的平面示意圖，其中相同于圖10中的部件使用相同的標號并省略其說明。為了清楚顯示相對位置關系，圖11至14中并未繪示出圖1F中的介電層130及鈍化護層160。
[0051]圖11中的晶片封裝體的結構類似于圖10中的晶片封裝體的結構，差異在于圖11中的凹口 200還具有另一側壁部分200c，鄰接于側壁部分200b，且從俯視方向來看，側壁部分200c與側邊101之間的距離大于側壁部分200a與側邊101之間的距離且大于側壁部分200b與側邊101之間的距離。
[0052]在另一實施例中，側壁部分200c與側邊101之間的距離可大于側壁部分200b與側邊101之間的距離且小于或等于側壁部分200a與側邊101之間的距離。又另一實施例中，側壁部分200c與側邊101之間的距離可小于側壁部分200b與側邊101之間的距離且相同或不同于側壁部分200a與側邊101之間的距離。
[0053]圖12中的晶片封裝體的結構類似于圖11中的晶片封裝體的結構，差異在于凹口200還橫跨半導體基底100中與側邊101相鄰的一側邊102。在另一實施例中，凹口 200可橫跨半導體基底100中與側邊101相鄰的兩側邊。在本實施例中，凹口 200具有橫跨至側邊102的側壁部分200(1、20(^、20(^、20(^及20011。從俯視方向來看，側壁部分200d與側邊102之間的距離大于鄰接的側壁部分200e與側邊101之間的距離。側壁部分200d與側邊102之間的距離等于側壁部分200a與側邊101之間的距離，且側壁部分200e與側邊102之間的距離等于側壁部分200b與側邊101之間的距離。
[0054]再者，側壁部分200f與側邊102之間的距離大于鄰接的側壁部分200g與側邊102之間的距離。側壁部分200f及200g與側邊102之間的距離大于側壁部分200a及200b與側邊101之間的距離。在另一實施例中，側壁部分200f與側邊102之間的距離可等于或小于側壁部分200a與側邊101之間的距離且相同或不同于側壁部分200b與側邊101之間的距離。在另一實施例中，側壁部分200g與側邊102之間的距離可等于或小于側