技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置包括：襯底；積層體，設(shè)置在所述襯底上；及積層膜，具有半導(dǎo)體膜及電荷儲(chǔ)存膜。所述積層體具有：多個(gè)電極膜，隔著空隙而積層；第1絕緣膜，設(shè)置在所述多個(gè)電極膜中的最下層的電極膜與所述襯底之間，作為金屬氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；及第2絕緣膜，設(shè)置在所述多個(gè)電極膜中的最上層的電極膜之上，作為金屬氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜。所述半導(dǎo)體膜在所述積層體內(nèi)沿所述積層體的積層方向延伸，所述電荷儲(chǔ)存膜設(shè)置在所述半導(dǎo)體膜與所述電極膜之間。
技術(shù)研發(fā)人員：荒井伸也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社東芝
文檔號(hào)碼：201610576858
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.20
技術(shù)公布日：2017.03.01