1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：
襯底；
積層體，設(shè)置在所述襯底上，且具有：多個(gè)電極膜，隔著空隙而積層；第1絕緣膜，設(shè)置在所述多個(gè)電極膜中的最下層的電極膜與所述襯底之間，且為金屬氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；及第2絕緣膜，設(shè)置在所述多個(gè)電極膜中的最上層的電極膜之上，且為金屬氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；以及
積層膜，具有：半導(dǎo)體膜，在所述積層體內(nèi)沿所述積層體的積層方向延伸；及電荷儲(chǔ)存膜，設(shè)置在所述半導(dǎo)體膜與所述電極膜之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述金屬氧化膜包含氧化鉭、氧化鋯、及氧化鉿的至少任一者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述積層膜包含設(shè)置在最外側(cè)的金屬氧化膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1絕緣膜與所述襯底的表面及所述最下層的電極膜相接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述第1絕緣膜及所述第2絕緣膜相對(duì)于磷酸的蝕刻速率為氮化硅膜相對(duì)于磷酸的蝕刻速率的1/30以下，
所述第1絕緣膜及所述第2絕緣膜相對(duì)于氫氟酸的蝕刻速率為氧化硅膜相對(duì)于氫氟酸的蝕刻速率的1/30以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體膜的下端與所述襯底相接，
且還包括導(dǎo)電部，該導(dǎo)電部在所述積層體內(nèi)沿所述積層方向延伸，且具有與所述襯底相接的下端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：在所述導(dǎo)電部的側(cè)面與所述積層體之間，形成著與所述空隙相連且沿所述積層方向延伸的狹縫。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電部的側(cè)面與所述積層體之間的第3絕緣膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述電極膜的所述導(dǎo)電部側(cè)的端部的所述積層方向的厚度比所述電極膜的與所述積層膜相鄰的部分的厚度更厚，
所述第3絕緣膜堵塞所述空隙中的所述導(dǎo)電部側(cè)的端部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在所述電極膜中的與所述空隙相鄰的上表面及下表面的第4絕緣膜。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括：
襯底；
積層體，設(shè)置在所述襯底上，且具有：多個(gè)電極膜，隔著空隙而積層；后柵極，設(shè)置在所述多個(gè)電極膜中的最下層的電極膜與所述襯底之間；及第1絕緣膜，設(shè)置在所述多個(gè)電極膜中的最上層的電極膜之上，且為金屬氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜；
積層膜，具有：第1半導(dǎo)體膜，在所述積層體內(nèi)沿所述積層體的積層方向延伸；及電荷儲(chǔ)存膜，設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體膜與所述電極膜之間；
導(dǎo)電部，在所述積層體內(nèi)沿所述積層體的積層方向延伸；
第2半導(dǎo)體膜，設(shè)置在所述后柵極之下，且與所述第1半導(dǎo)體膜及所述導(dǎo)電部連接；以及
柵極絕緣膜，設(shè)置在所述后柵極與所述第2半導(dǎo)體膜之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述金屬氧化膜包含氧化鉭、氧化鋯、及氧化鉿的至少任一者。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述后柵極包含硅作為主成分。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述積層膜包含設(shè)置在最外側(cè)的金屬氧化膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：在所述導(dǎo)電部的側(cè)面與所述積層體之間，形成著與所述空隙相連且沿所述積層方向延伸的狹縫。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電部的側(cè)面與所述積層體之間的第2絕緣膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述電極膜的所述導(dǎo)電部側(cè)的端部的所述積層方向的厚度比所述電極膜的與所述積層膜相鄰的部分的厚度更厚，
所述第2絕緣膜堵塞所述空隙中的所述導(dǎo)電部側(cè)的端部。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：還包括設(shè)置在所述電極膜中的與所述空隙相鄰的上表面及下表面的第3絕緣膜。
19.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括如下步驟：
在襯底上形成作為金屬氧化膜、碳化硅膜、碳氮化硅膜、或半導(dǎo)體膜的基底膜；
在所述基底膜上形成具有交替地積層的多個(gè)第1層及多個(gè)第2層的積層體；
形成在所述積層體內(nèi)沿所述積層體的積層方向延伸的孔；
在所述孔的側(cè)面，形成包含電荷儲(chǔ)存膜及半導(dǎo)體膜的積層膜；
在所述積層體上，形成覆蓋所述積層體膜的上端且作為金屬氧化膜、碳化硅膜、或碳氮化硅膜的絕緣膜；
形成貫通所述絕緣膜及所述積層體的槽；以及
利用通過(guò)所述槽供給的蝕刻液，所述基底膜及所述絕緣膜保留的同時(shí)，將所述多個(gè)第2層去除而在所述多個(gè)第1層之間形成空隙。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：所述第2層包含氧化硅作為主成分，所述蝕刻液包含氫氟酸。