樹脂組合物形成的絕緣層在粗糙化處理后顯示低的表面粗糙度。在 一個實施方式中，粗糙化處理后的絕緣層表面的算術平均粗糙度Ra優選為500nm以下，更 優選為480nm以下，進而優選為450nm以下，進而更優選為400nm以下、360nm以下或320nm 以下。使用本發明的樹脂組合物形成的絕緣層即使在Ra為這樣小的情況下，也呈現對于導 體層的優異的密合強度。Ra值的下限沒有特別限定，優選為0.5nm以上，更優選為Inm以上。 絕緣層表面的算術平均粗糙度Ra可以使用非接觸型表面粗糙度計進行測定。作為非接觸 型表面粗糙度計的具體例子，可以列舉匕、一 3 4 社制的"WYKO NT3300"。
[0121] 工序（V)是在絕緣層表面上形成導體層的工序。
[0122] 導體層中使用的導體材料沒有特別限定。在合適的實施方式中，導體層含有選自 金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫和銦中的1種以上的金屬。導體層可以是 單金屬層或合金層，作為合金層，可以列舉例如由選自上述中的2種以上的金屬的合金（例 如鎳-鉻合金、銅-鎳合金和銅-鈦合金）形成的層。其中，從導體層形成的通用性、成本、圖 案形成的容易性等角度考慮，優選為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅的單金屬層、或鎳-鉻 合金、銅-鎳合金、銅-鈦合金的合金層，更優選為絡、鎳、鈦、錯、鋅、金、鈀、銀或銅的單金屬 層、或鎳-鉻合金的合金層，進而優選為銅的單金屬層。
[0123] 導體層可以是單層結構，也可以是2層以上的由不同種類的金屬或合金形成的單 金屬層或合金層疊層的多層結構。導體層為多層結構時，與絕緣層相接的層優選是鉻、鋅或 鈦的單金屬層、或鎳-鉻合金的合金層。
[0124] 導體層的厚度依賴于期望的印刷線路板的設計，但一般為3 μπι~35 μπι，優選為 5 μ m ~ 30 μ m〇
[0125] 導體層可以利用鍍敷來形成。例如可以利用半添加法、全添加法等以往公知的技 術在絕緣層的表面進行鍍敷，形成具有所需的配線圖案的導體層。以下，示出利用半添加法 形成導體層的例子。
[0126] 首先，在絕緣層的表面利用非電解鍍敷形成鍍種層（乂 7 ?シ一卜''層）。接著，在 形成的鍍種層上，對應于所需的配線圖案，形成使鍍種層的一部分露出的掩模圖案。在露出 的鍍種層上，利用電鍍形成金屬層后，除去掩模圖案。然后，利用蝕刻等除去不需要的鍍種 層，可以形成具有所需的配線圖案的導體層。
[0127] 使用本發明的樹脂組合物形成的絕緣層對于導體層顯示充分的密合強度。在一個 實施方式中，絕緣層與導體層的密合強度優選為0. 50kgf/cm以上，更優選為0. 55kgf/cm以 上，進而優選為0. 60kgf/cm以上。密合強度的上限值沒有特別地限定，為I. 2kgf/cm以下、 0. 90kgf/cm以下等。在本發明中，盡管粗糙化處理后的絕緣層的表面粗糙度Ra小，也可形 成這樣呈現高的密合強度的絕緣層，因此顯著有助于電路配線的微細化。應予說明，在本發 明中，絕緣層與導體層的密合強度是指將導體層相對于絕緣層以垂直方向（90度方向）撕 拉時的剝離強度（90度剝離強度），可以通過測定利用拉伸試驗機將導體層相對于絕緣層 以垂直方向（90度方向）撕拉時的剝離強度來求得。作為拉伸試驗機，可以列舉例如（株） TSE 制的 "AC-50C-SL" 等。
[0128] 在其它的實施方式中，本發明的印刷線路板可以使用上述的預浸料來制造。制造 方法基本上與使用粘接膜的情況同樣。
[0129] [半導體裝置] 使用本發明的印刷線路板，可以制造半導體裝置。本發明的印刷線路板盡管為薄型，但 即使在采用高的軟釬料回流焊溫度的部件的安裝工序中，也可以抑制翹曲，能夠有利地減 輕電路變形、部件的接觸不良等問題。
[0130] 在一個實施方式中，本發明的印刷線路板在采用峰溫度為260°C這樣高的軟釬料 回流焊溫度的安裝工序中，可以將印刷線路板的翹曲抑制為小于40 μπι。在本發明中，印 刷線路板的翹曲是利用影象云紋裝置觀察印刷線路板中央的IOmm見方部分的翹曲行為時 的、位移數據的最大高度與最小高度之差的值。測定時，將印刷線路板在重現IPC/JEDEC J-STD-〇20C( "Moisture/Reflow Sensitivity Classification For Nonhermetic Solid State Surface Mount Devices"、2004年7月）中記載的回流焊溫度分布圖（無鉛組裝 (lead-free assembly)用分布圖；峰溫度260°C)的回流焊裝置中通過1次后，根據基于上 述IPC/JEDEC J-STD-020C的回流焊溫度分布圖將印刷線路板的一面進行加熱處理，對于設 置于印刷線路板的另一面的柵格線，求得位移數據。應予說明，作為回流焊裝置，可以列舉 例如日本卜Λ (株）制"HAS-6116"，作為影象云紋裝置，可以列舉例如Akrometrix制 "TherMoire ΑΧΡ"。利用含有規定量的滿足特定幾何形狀參數條件的無機填充材料的樹脂 組合物的固化物而形成絕緣層，含有該絕緣層的本發明的印刷線路板即使為薄型，也可以 有利地抑制安裝工序中的翹曲。
[0131] 作為半導體裝置，可以列舉供于電氣制品（例如計算機、手機、數碼相機和電視 等）和交通工具（例如摩托車、汽車、電車、船舶和飛機等）等中的各種半導體裝置。
[0132] 本發明的半導體裝置可以通過在本發明的印刷線路板的導通部位安裝部件（半 導體芯片）來制造。"導通部位"是指"傳導印刷線路板中的電信號的部位"，其位置可以是 表面、或填埋的部位的任一者。另外，半導體芯片只要是以半導體為材料的電路元件即可， 沒有特別限定。
[0133] 制造本發明的半導體裝置時的半導體芯片的安裝方法只要使半導體芯片有效地 發揮功能即可，沒有特別限定，具體地，可以列舉引線接合安裝方法、倒裝芯片安裝方法、采 用內建非凹凸層（八>7°旮L匕、；卜'、7 7 7"層；BBUL)的安裝方法、采用各向異性導電膜 (ACF)的安裝方法、采用非導電性膜（NCF)的安裝方法等。其中，"采用內建非凹凸層（BBUL) 的安裝方法"是"將半導體芯片直接填埋到印刷線路板的凹部中，使半導體芯片與印刷線路 板上的配線連接的安裝方法"。
[0134] [實施例] 下面用實施例對本發明進行具體說明，但本發明都不受這些實施例的限制。應予說明， 以下記載中的"份"和" ％"只要沒有另外的說明分別是指"質量份"和"質量％"。
[0135] 首先對于各種測定方法、評價方法進行說明。
[0136] 〔評價用基板1的制備〕 (1)內層電路基板的準備 將形成了內層電路的玻璃布基材環氧樹脂雙面覆銅箱層疊板（銅箱的厚度18 μπκ基 板的厚度0·3mm、松下電工（株）制"R5715ES"）的兩面利用yック（株）制"CZ8100"蝕 刻1 μπι，進行銅表面的粗糙化處理。
[0137] (2)粘接膜的疊層 使用間歇式真空加壓層壓機（（株）名機制作所制"MVLP-500"），將實施例和比較例中 制作的粘接膜以樹脂組合物層與內層電路基板接合的方式、疊層于內層電路基板的兩面。 疊層通過進行30秒的減壓、使氣壓為13hPa以下后、在100°C、壓力0. 74MPa的條件下壓合 30秒來進行。
[0138] (3)樹脂組合物層的固化 疊層后，從基板的兩面將支撐體剝離。接著，以l〇〇°C、30分鐘、進而170°C、30分鐘的 固化條件使樹脂組合物層進行熱固化，形成絕緣層。
[0139] (4)粗糙化處理 形成絕緣層后，將基板在膨潤液（7卜亍7夕A > (株）制"只工y >夕r 4 7 7° _七? I y力' y卜P"，含有二乙二醇單丁基醚和氫氧化鈉的水溶液）中于80°C浸漬5分 鐘，在氧化劑（7卜亍7夕亇A > (株）制" 3 y七y卜u -卜 3 y A外CP''、KMn04: 60g/L、Na0H :40g/L的水溶液）中于80°C浸漬10分鐘，最后在中和液（7卜亍7夕9A > (株）制" y夂夕シ3 y V y I 3 y _七年I y力、y卜P''、硫酸羥基胺水溶液）中 于40°C浸漬5分鐘。接著，在80°C使其干燥30分鐘。所得的基板稱為"基板la"。
[0140] 應予說明，關于實施例6和比較例5,如下述那樣實施上述（2)~（4)的操作，得到 基板Ia ; 使用真空加壓裝置（北川精機（株）制"VH1-1603"），將實施例和比較例中制作的粘 接膜以樹脂組合物層與內層電路基板接合的方式疊層于內層電路基板的兩面。疊層通過在 1x10 3MPa的減壓下、100°C、壓力1.0 MPa的條件下壓合30分鐘，接著用10分鐘升溫至180°C 后，在180°C、壓力LOMPa的條件下壓合30分鐘來進行。由此，將樹脂組合物層熱固化而形 成絕緣層。粗糙化處理除了在膨潤液中于60°C浸漬5分鐘、在氧化劑中于80°C浸漬5分鐘 以外，其它與上述（4)同樣。
[0141] (5)導體層的形成 按照半添加法，如下所述在絕緣層表面形成導體層； 將基板Ia在含有PdCl2的非電解鍍敷液中、在40°C浸漬5分鐘后，在非電解銅鍍敷液 中、在25°C浸漬20分鐘。接著，在150°C加熱30分鐘，進行退火處理后，形成防蝕涂層，利 用蝕刻形成圖案。然后，進行硫酸銅電解鍍敷，形成厚度25 μm的導體層，在180°C進行30 分鐘的退火處理。將所得的基板稱為"基板lb"。
[0142] 〔評價用基板2的制備〕 (1)內層基板的準備 作為內層基板，準備將玻璃布基材環氧樹脂雙面覆銅箱層疊板的雙面銅箱全部除去了 的無包層（unclad)板（厚度100 μ m)。作為玻璃布基材環氧樹脂雙面覆銅箱層疊板，使用 三菱方只化學（株）制"HL832NSF-LCA"（尺寸100mmXl 5〇mm、基底基材的厚度100μπκ熱 膨脹系數4ppm/°C、彎曲彈性模量34GPa、表面銅電路的厚度16 μπι)。
[0143] (2)粘接膜的疊層 使用間歇式真空加壓層壓機（二爹3- · ?一卜 >(株）制的2階段堆疊層壓機 "CVP700"），以使樹脂組合物層與內層基板相接的方式，將在實施例和比較例中制作的粘接 膜層疊于內層基板的雙面。層疊如下來實施：減壓30秒，使氣壓為13hPa以下后，在100°C、 壓力0. 74MPa的條件下使其壓合30秒。接著，在100°C、壓力0. 5MPa的條件進行60秒的熱 壓。
[0144] (3)樹脂組合物層的固化 在疊層后，從基板上將支撐體剝離。接著，以190°C、90分鐘的固化條件將樹脂組合物 層進行熱固化，形成絕緣層。將所得的基板稱為"基板2a"。
[0145] <無機填充材料的比表面積（S)的測定> 無機填充材料的比表面積使用自動比表面積測定裝置（（株）V々 y夕制 "Macsorb HM-1210"），利用氮 BET 法求得。
[0146] <無機填充材料的平均粒徑（R)的測定> 在20ml的小瓶中加入無機填充材料0· Olg、非尚子系分散劑（日本油脂（株）制 "T208. 5"）0. 2g、純水10g，利用超聲波洗滌機進行10分鐘的超聲波分散，制備樣品。接 著，在激光衍射式粒度分布測定裝置（（株）島津制作所制"SALD2200"）中投入樣品，一邊 使其循環一邊照射10分鐘的超聲波。然后，停止超聲波，在維持樣品的循環的狀態下進行 粒度分布的測定，求得無機填充材料的平均粒徑（R)。應予說明，測定時的折射率設定為 1. 45-0.0 Oli0
[0147] <幾何形狀參數A的算出> 將無機填充材料的比表面積（S)、平均粒徑（R)、和密度（P )的值代入下式（1)，算出幾 何形狀參數A， 式（I) : A = SRp /6。
[0148] <幾何形狀參數B的算出> 對于疊層于基板Ia的一面上的絕緣層，使用FIB-SEM復合裝置（SII于7亍夕7 口' 一（株）制"SMI3050SE"），以14000倍的觀察倍率進行截面觀察。由所得的FIB-SEM像， 使用圖像處理軟件（（株）Leica制"QWin V3"），測定在絕緣層內存在的無機填充材料粒子 的周長（L)和面積。應予說明，針對避開了整體圖像不清楚的無機填充材料粒子、輪廓不鮮 明的無機填充材料粒子的、每1個樣品的任意50個的無機填充材料粒子進行測定。由所得 的無機填充材料粒子的面積，算出與其等面積的正圓的周長（圓周；Lc)。將L和Lc的值代 入下式（2)，對于各無機填充材料粒子，算出幾何形狀參數B，得到幾何形狀參數B的平均值 和其分布， 式（2) : B = Lc/L。
[0149] <無機填充材料的平均微晶直徑的測定> 無機填充材料的平均微晶直徑按照以下的步驟求得。首先，在玻璃試樣板上固定無機 填充材料，制備樣品板。將該樣品板設置在廣角X射線衍射裝置（（株）y力'夕制"皿1!1^ FLEX"）中，利用廣角X射線衍射反射法測定衍射圖。X射線源為CuKa，檢測器為閃爍檢測 器，功率為40kV、40mA。由基于所得的衍射圖的SiO 2 Quarts(IOl)面的衍射線，使用謝勒 (Scherrer)的式子算出微晶直徑。
[0150] <分散穩定性的評價> 對于實施例和比較例中制作的粘接膜，使用顯微鏡（（株）KEYENCE制"VH-2250"）以 1000倍的觀察倍率觀察樹脂組合物層中的凝集粒子。樹脂組合物的分散穩定性按照以下的 基準進行評價， 評價基準： 〇：10 ym以上的凝集粒子在10個視野中小于2個 X : 10 μ m以上的凝集粒子在10個視野中為2個以上。
[0151] <最低熔融粘度的測定> 對于實施例和比較例中制作的粘接膜的樹脂組合物層，使用動態粘彈性測定裝置 ((株）工一 ·匕一 ·工A制"Rheosol-G3000"），測定恪融粘度。對于試樣樹脂組合物lg， 使用直徑18mm的平行板，以5°C /分鐘的升溫速度從起始溫度60°C升溫至200°C，以測定溫 度間隔為2. 5°C、振動1Hz、偏斜度（歪辦）Ideg的測定條件測定動態粘彈性模量，測定最低 熔融粘度。疊層性按照以下的基準進行評價， 評價基準： 〇：最低熔融粘度為30000泊以下 X :最低熔融粘度高于30000泊。
[0152] <翹曲的評價> 將基板2a(η = 5)在重現峰溫度260°C的軟釬料回流焊溫度的回流焊裝置（日本7 >