672-1696。特此將上述列 出的文獻中的內容并入本文作為參考。
[0046] 在某些實施例中，所述的金屬納米團簇的核是包含有兩種不同的材料具有至少有 一個外殼的核/殼（Core/Shell)結構的異質結構。具有核/殼結構的金屬納米團簇的例 子和合成可參照 Christopher J.Serpell 等，Nat. Chem. 3 (2011) ,478，S. Mohan 等，Appl. Phys. Lett. 91 (2007), 253107, Tetsu Yonezawa, Nanostructure Sci. Technol. (2006)251〇
[0047] 在一個優選的實施方案中，發光層中包含半導體納米發光晶體。
[0048] 在某些實施例中，半導體納米發光晶體的平均粒徑約在1到lOOOnrn范圍內。在某 些實施例中，半導體納米發光晶體的平均粒徑約在1到l〇〇nm。在某些實施例中，半導體納 米發光晶體的平均粒徑約在1到20nm，最好從1到10nm。
[0049] 形成半導體納米發光晶體的半導體可以包含一個第四族元素，一組II-VI族化合 物，一組II-V族化合物，一組III-VI族化合物，一組III-V族化合物，一組IV-VI族化合物， 一組I-III-VI族化合物，一組II-IV-VI族化合物，一組π-ιν-ν族化合物，一個包括上述 任何一類的合金，和/或包括上述各化合物的混合物，包括三元，四元的混合物或合金。一 個非限制性的例子清單包括氧化鋅，硫化鋅，硒化鋅，碲化鋅，氧化鎘，硫化鎘，硒化鎘，碲化 鎘，硫化鎂，硒化鎂，砷化鎵，氮化鎵，磷化鎵，硒化鎵，鋪化鎵，氧化萊，硫化萊，硒化萊，蹄化 汞，砷化銦，氮化銦，磷化銦，銻化銦，砷化鋁，氮化鋁，磷化鋁，銻化鋁，氮化鈦，磷化鈦，砷 化鈦，銻化鈦，氧化鉛，硫化鉛，硒化鉛，碲化鉛，鍺，硅，一個包括上述任何化合物的合金， 和/或一個包括上述任何化合物的混合物，包括三元，四元混合物或合金。
[0050] 在一個很優先的實施例中，半導體納米發光晶體包含有II-VI族半導體材料，優 先選自 CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdZnSe 及它們的任何組合。 在合適的實施方案中，由于CdSe的合成相對成熟而將此材料用作用于可見光的納米發光 材料。
[0051] 在另一個優先的實施例中，半導體納米發光晶體包含有III-V族半導體材料，優 先選自 InAs，InP，InN，GaN，InSb，InAsP，InGaAs，GaAs，GaP，GaSb，A1P，AIN, AlAs，AlSb，CdSe Te，ZnCdSe及它們的任何組合。
[0052] 在另一個優先的實施例中，半導體納米發光晶體包含有IV-VI族半導體材料，優 先選自PbSe，PbTe，PbS，PbSnTe，Tl2SnTe5及它們的任何組合。
[0053] 半導體納米發光晶體的形狀和其他納米粒子的例子可以包括球形，棒狀，盤狀，十 字形，T形，其他形狀，或它們的混合物。制造半導體納米晶體的方法有多種，一個優先的 方法是控制生長的溶液相膠體法。有關此法的詳細內容可參見Alivisatos, A. P, Science 1996, 271, p933 ;X. Peng 等，J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, p7019 ;和 C. B. Murray 等工八111· Chem. Soc. 1993，115，p8706。特此上述列出的文件中的內容并入本文作為參考。在本發明 中，半導體納米發光晶體具有單分散的晶粒集合，其中至少60%以上晶粒的顆粒大小在指 定范圍內。一個較好的單分散的晶體，其直徑的偏差少于15%均方根，更好是少于10% rms，最好是少于5% rms。術語〃單分散分布的納米晶體"、〃納米點〃和〃量子點〃易于 被本領域普通技術人員理解為表示同樣的結構體，并且在本發明中可互換地使用。
[0054] 在一個優先的實施例中，半導體發光納米晶體或量子點包括由第一半導體材料組 成的核心和第二個半導體材料組成的外殼，其中外殼至少沉積在核心表面的一部分。一種 包含有核心和外殼的半導體納米晶體也被稱為"核/殼"半導體納米晶體或量子點。組成 外殼的半導體材料可以是跟核心成分相同或不同。半導體納米晶體的外殼是包在核心表面 上的外套，其材料可以包括一組第四族元素，一組II-VI族化合物，一組II-V族化合物，一 組III-VI族化合物，一組III-V族化合物，一組IV-VI族化合物，一組I-III-VI族化合物， 一組π-IV-VI族化合物，一組II-IV-V族化合物，一個包括上述任何一類的合金，和/或 包括上述各化合物的混合物。例子包括但不限于，ZnO, ZnS，ZnSe，ZnTe，CdO, CdS，CdSe, CdT e, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InN, InP, InSb, AlAs, A1 N, A1P, AlSb, TIN, TIP, TIAs，TlSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si, -個包括上述任何化合物的 合金和/或混合物。
[0055] 在某些實施例中，可以引入兩個或兩個以上的殼，如CdSe/CdS/ZnS和CdSe/ZnSe/ ZnS 核 / 殼 / 殼結構（J. Phys. Chem. B 2004, 108, pl8826)，通過中間殼（CdS 或 ZnSe)在硒 化鎘核心和硫化鋅外殼之間，可以有效減少納米晶體里面的應力，因為有CdS和ZnSe的晶 格參數介于CdSe和ZnS中間，這樣可得到近乎無缺陷的納米晶體。
[0056] 半導體納米晶體或量子點的發光光譜可以是窄高斯型的。通過調整納米晶粒的 大小，或納米晶粒組成，或兩者，半導體納米晶體或量子點的發光光譜可連續從紫外線，可 見光或紅外線光譜的整個波長范圍調節。半導體納米晶體或量子點可以有比如大于10%， 20 %，30 %，40 %，50 %，60 %的量子發光效率。在一個優先的實施例中，半導體納米晶體或 量子點的量子發光效率大于70 %，更好是大于80 %，最好是大于90 %。
[0057] 量子點的詳細描述可參見以下文獻：Murray等（J. Am. Chem. Soc, 1993, 115, p8706), Christopher Murray 的論文〃Synthesis and Characterization of II-VI Quantum Dots and Their Assembly into 3-D Quantum Dot Superlattices" 麻省理工學院1995年9月，及美國專利US6322901，特此將其全部內容并入本文作為參 考。其他可能對本發明有用的有關量子點或半導體發光納米晶體的材料，技術，方法，應 用和信息，在以下專利文獻中有所描述，W02007/117698, W02007/120877, W02008/108798， W02008/105792, W02008/111947, W02007/092606, W02007/117672, W02008/033388, W02008/085210, W02008/13366, W02008/063652, W02008/063653, W02007/143197, W02008/070028, W02008/063653, US6207229,US6251303, US6319426, US6426513, US6576291 ,US6607829, US6861155, US6921496, US7060243, US7125605, US7138098, US7150910, US7470 379, US7566476, W02006134599A1，特此將上述列出的專利文件中的全部內容并入本文作為 參考。
[0058] 在另一個優選的實施方案中，發光層中包含有機發光材料。有機發光材料可以是 小分子材料或高聚物材料。
[0059] 本文中所定義的"小分子"是指不是聚合物，低聚物，樹枝狀聚合物，或共混物的分 子。特別是，小分子中沒有重復結構。小分子的分子量< 3000克/摩爾，較好是< 2000克 /摩爾，最好是< 1500克/摩爾。
[0060] 高聚物，即Polymer，包括均聚物（homopolymer)，共聚物（copolymer)，鑲嵌共 聚物（block copolymer)。另外在本發明中，高聚物也包括樹狀物（dendrimer)，有關 樹狀物的合成及應用請參見【Dendrimers and Dendrons，Wiley_VCH Verlag GmbH&Co. KGaA, 2002, Ed. George R. Newkome, Charles N. Moorefield, Fritz Vogtle. ]〇
[0061] 共輒高聚物是一高聚物，它的主鏈主要是由C原子的sp2雜化軌道構成，著名的例 子有：聚乙炔和聚（亞苯基亞乙烯基），其主鏈上的C原子的也可以被其他非C原子取代， 而且當主鏈上的SP2雜化被一些自然的缺陷打斷時，仍然被認為是共輒高聚物。另外在本 發明中共輒高聚物也包括主鏈上包含有芳胺、芳基膦及其他雜芳族化合物、有機金屬絡合 物等。
[0062] 在一個優選的實施例中，有機發光材料是小分子材料。發光材料按照激發態的自 旋量子數可分為單重態發光體和三重態發光體。
[0063] 在一個優選的實施例中，本發明的纖維發光器件的發光層中包含有單重態發光 體。
[0064] 單重態發光體也稱熒光發光體。單重態發光體往往有較長的共輒π電子系統。迄 今，已有許多例子，例如在JP2913116B和W02001021729A1中公開的苯乙烯胺及其衍生物， 和在W02008/006449和W02007/140847中公開的茚并芴及其衍生物.
[0065] 在一個優先的實施方案中，單重態發光體可選自一元苯乙烯胺，二元苯乙烯胺， 三元苯乙稀胺，四元苯乙稀胺，苯乙稀膦（styrylphosphines)，苯乙稀醚和芳胺。
[0066] 一個一元苯乙烯胺是指一化合物，它包含一個無取代或取代的苯乙烯基組和至 少一個胺，最好是芳香胺。一個二元苯乙烯胺是指一化合物，它包含二個無取代或取代的 苯乙烯基組和至少一個胺，最好是芳香胺。一個三元苯乙烯胺是指一化合物，它包含三個 無取代或取代的苯乙烯基組和至少一個胺，最好是芳香胺。一個四元苯乙烯胺是指一化合 物，它包含四個無取代或取代的苯乙烯基組和至少一個胺，最好是芳香胺。一個優選的苯 乙稀是二苯乙稀，其可能會進一步被取代。相應的膦類和醚類的定義與胺類相似。芳基胺 或芳香胺是指一種化合物，包含三個直接聯接氮的無取代或取代的芳香環或雜環系統。這 些芳香族或雜環的環系統中至少有一個優先選于稠環系統，并最好有至少14個芳香環原 子。其中優選的例子有芳香蒽胺，芳香蒽二胺，芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈 二胺。一個芳香蒽胺是指一化合物，其中一個二元芳基胺基團直接聯到蒽上，最好是在9 的位置上。一個芳香蒽二胺是指一化合物，其中二個二元芳基胺基團直接聯到蒽上，最好 是在9, 10的位置上。芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺的定義類似，其中二 元芳基胺基團最好聯到芘的1或1，6位置上.
[0067] 基于乙烯胺及芳胺的單重態發光體的例子，也是優選的例子，可在下述專利 文件中找到：冊 2006/000388, TO 2006/058737, TO 2006/000389, TO 2007/065549, TO 2007/115610, US 7250532 B2,DE 102005058557 Al, CN 1583691 A, JP 08053397 A, US 6251531 Bl, US 2006/210830 A, EP 1957606 A1 和US 2008/0113101 A1 特此上述列出的專 利文件中的全部內容并入本文作為參考。
[0068] 基于均二苯乙烯極其衍生物的單重態發光體的例子有US 5121029。
[0069] 進一步的優選的單重態發光體可選于茚并芴-胺和茚并芴-二胺，如W0 2006/122630所公開的，苯并茚并芴-胺和苯并茚并芴-二胺，如W0 2008/006449所公開 的，二苯并茚并芴-胺和二苯并茚并芴-二胺，如W02007/140847所公開的。
[0070] 其他可用作單重態發光體的材料有多環芳烴化合物，特別是如下 化合物的衍生物：蒽如9, 10-二（2-萘并蒽），萘，四苯，氧雜蒽，菲，芘如 2,5,8, ll-tetra-t-butylperylene，諱并花，苯撐如（4,4' -(bis(9-ethyl-3-carbazovin ylene)-l，