或二氧化硅組成。
[0056]在一個實施例中，柵介電層由高_k介電材料組成。
[0057]在一個實施例中，柵電極是金屬柵電極。
[0058]在一個實施例中，非易失性電荷俘獲存儲器裝置是S0N0S型裝置。
[0059]在一個實施例中，源區、漏區和柵電極是N型，且S0N0S型裝置是N型S0N0S型裝置。
[0060]在一個實施例中，一種非易失性電荷俘獲存儲器裝置包括具有溝道區、源區和漏區的襯底。柵堆疊被安置在襯底上，且在溝道區上。柵堆疊包括安置在溝道區上的且以某一距離分開的第一隧道介電層區和第二隧道介電層區。柵堆疊還包括第一電荷俘獲區和第二電荷俘獲區，所述區被相應安置在第一隧道介電層區和第二隧道介電層區上，且以此距離分開。柵堆疊還包括安置在溝道區上的，在第一電荷俘獲區與第二電荷俘獲區之間的，且在第一隧道介電層區與第二隧道介電層區之間的隔離介電層。柵介電層被安置在第一電荷俘獲區、第二電荷俘獲區和隔離介電層上。柵電極被安置在柵介電層上。
[0061]在一個實施例中，隔離介電層將第一電荷俘獲區物理和電隔離于第二電荷俘獲區。
[0062]在一個實施例中，第一電荷俘獲區與第二電荷俘獲區之間的距離大約在3-20納米范圍內。
[0063]在一個實施例中，隔離介電層由氧化硅或二氧化硅組成。
[0064]在一個實施例中，柵介電層由高_k介電材料組成。
[0065]在一個實施例中，柵電極是金屬柵電極。
[0066]在一個實施例中，非易失性電荷俘獲存儲器裝置是S0N0S型裝置。
[0067]在一個實施例中，源區、漏區和柵電極是N型，且S0N0S型裝置是N型S0N0S型裝置。
[0068]在一個實施例中，第一隧道介電層區進一步沿第一電荷俘獲區的外側壁延伸，以及第二隧道介電層區進一步沿第二電荷俘獲區的外側壁延伸。
[0069]在一實施例中，一種制作非易失性電荷俘獲存儲器裝置的方法包括移除偽柵電極以形成槽，其在具有全部都與槽自對準的溝道區、源區和漏區的襯底上。所述方法還包括形成槽里的隧道介電層。所述方法還包括形成隧道介電層上且以某一距離分開的第一電荷俘獲區和第二電荷俘獲區。所述方法還包括形成第一電荷俘獲區與第二電荷俘獲區之間的隔離介電層。所述方法還包括形成在第一電荷俘獲區、第二電荷俘獲區和隔離介電層上的柵介電層。所述方法還包括形成被安置在柵介電層上的柵電極。
[0070]在一個實施例中，形成隔離介電層進一步涉及形成隧道介電層上的隔離介電層。
[0071]在一個實施例中，形成隔離介電層進一步涉及形成在隧道介電層的第一與第二區之間隔離介電層。
[0072]在一個實施例中，形成隔離介電層涉及將第一電荷俘獲區物理和電隔離于第二電荷俘獲區。
[0073]在一個實施例中，形成隔離介電層涉及形成氧化硅或二氧化硅層。
[0074]在一個實施例中，形成柵介電層涉及形成高_k介電材料。
[0075]在一個實施例中，形成柵電極涉及形成金屬柵電極。
【主權項】
1.一種非易失性電荷俘獲存儲器裝置，包括: 襯底，具有溝道區、源區和漏區；以及 柵堆疊，安置在所述襯底上，在所述溝道區上，其中所述柵堆疊包括: 隧道介電層，安置在所述溝道區上； 第一電荷俘獲區和第二電荷俘獲區，所述第一電荷俘獲區和所述第二電荷俘獲區被安置在所述隧道介電層上且以某一距離分開； 隔離介電層，安置在所述隧道介電層上且在所述第一電荷俘獲區與所述第二電荷俘獲區之間； 柵介電層，安置在所述第一電荷俘獲區、所述第二電荷俘獲區和所述隔離介電層上；以及 柵電極，安置在所述柵介電層上。2.如權利要求1所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述隔離介電層將所述第一電荷俘獲區物理和電隔離于所述第二電荷俘獲區。3.如權利要求1所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述第一電荷俘獲區與所述第二電荷俘獲區之間的所述距離大約在3-20納米范圍內。4.如權利要求1所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述隔離介電層包括氧化硅或二氧化硅。5.如權利要求1所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述柵介電層包括高_k介電材料。6.如權利要求1所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述柵電極是金屬柵電極。7.如權利要求1所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述非易失性電荷俘獲存儲器裝置是SONOS型裝置。8.如權利要求7所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述源區、所述漏區和所述柵電極是N型，且所述SONOS型裝置是N型SONOS型裝置。9.一種非易失性電荷俘獲存儲器裝置，包括: 襯底，具有溝道區、源區和漏區；以及 柵堆疊，安置在所述襯底上，在所述溝道區上，其中所述柵堆疊包括: 第一隧道介電層區和第二隧道介電層區，安置在所述溝道區上且以某一距離分開；第一電荷俘獲區和第二電荷俘獲區，所述第一電荷俘獲區和所述第二電荷俘獲區被相應安置在所述第一隧道介電層區和第二隧道介電層區上，且以所述距離分開； 隔離介電層，安置在所述溝道區上，在所述第一電荷俘獲區與所述第二電荷俘獲區之間，且在所述第一隧道介電層區與所述第二隧道介電層區之間； 柵介電層，安置在所述第一電荷俘獲區、所述第二電荷俘獲區和所述隔離介電層上；以及 柵電極，安置在所述柵介電層上。10.如權利要求9所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述隔離介電層將所述第一電荷俘獲區物理和電隔離于所述第二電荷俘獲區。11.如權利要求9所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述第一電荷俘獲區與所述第二電荷俘獲區之間的所述距離大約在3-20納米范圍內。12.如權利要求9所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述隔離介電層包括氧化硅或二氧化硅。13.如權利要求9所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述柵介電層包括高-k介電材料。14.如權利要求9所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述柵電極是金屬柵電極。15.如權利要求9所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述非易失性電荷俘獲存儲器裝置是SONOS型裝置。16.如權利要求15所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述源區、所述漏區和所述柵電極是N型，且所述SONOS型裝置是N型SONOS型裝置。17.如權利要求9所述的非易失性電荷俘獲存儲器裝置，其中，所述第一隧道介電層區進一步沿所述第一電荷俘獲區的外側壁延伸，以及所述第二隧道介電層區進一步沿所述第二電荷俘獲區的外側壁延伸。18.一種制作非易失性電荷俘獲存儲器裝置的方法，所述方法包括: 移除偽柵電極以形成槽，所述槽在具有全部都與所述槽自對準的溝道區、源區和漏區的襯底上； 形成所述槽中的隧道介電層； 形成所述隧道介電層上且以某一距離分開的第一電荷俘獲區和第二電荷俘獲區； 形成在所述第一電荷俘獲區與所述第二電荷俘獲區之間的隔離介電層； 形成在所述第一電荷俘獲區、所述第二電荷俘獲區和所述隔離介電層上的柵介電層；以及 形成被安置在所述柵介電層上的柵電極。19.如權利要求18所述的方法，其中，形成所述隔離介電層進一步包括形成所述隧道介電層上的所述隔離介電層。20.如權利要求18所述的方法，其中，形成所述隔離介電層進一步包括形成在所述隧道介電層的第一與第二區之間的所述隔離介電層。21.如權利要求18所述的方法，其中，形成所述隔離介電層包括將所述第一電荷俘獲區物理和電隔離于所述第二電荷俘獲區。22.如權利要求18所述的方法，其中，形成所述隔離介電層包括形成氧化硅或二氧化娃層。23.如權利要求18所述的方法，其中，形成所述柵介電層包括形成高_k介電材料。24.如權利要求18所述的方法，其中，形成所述柵電極包括形成金屬柵電極。
【專利摘要】描述了具有隔離電荷位置的存儲器元件和制作具有隔離電荷位置的存儲器元件的方法。在示例中，一種非易失性電荷俘獲存儲器裝置包括具有溝道區、源區和漏區的襯底。柵堆疊被安置在襯底上，且在溝道區上。柵堆疊包括安置在溝道區上的隧道介電層、第一電荷俘獲區和第二電荷俘獲區。所述區被安置在隧道介電層上且以某一距離分開。柵堆疊還包括安置在隧道介電層上且在第一電荷俘獲區與第二電荷俘獲區之間的隔離介電層。柵介電層被安置在第一電荷俘獲區、第二電荷俘獲區和隔離介電層上。柵電極被安置在柵介電層上。
【IPC分類】H01L21/8247, H01L27/115
【公開號】CN105409001
【申請號】CN201380076876
【發明人】T·常, C-H·簡, W·M·哈菲斯
【申請人】英特爾公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2013年6月25日
【公告號】DE112013007059T5, US20160049418, WO2014209284A1