任何一項或多項任選地包括耦合在ESD器件的柵極端子與源極端子之間的電阻器，并且實例1-10中的任何一項或多項的ESD器件的源極端子任選地直接耦合到地面。
[0034]在實例12中，實例1-實例11中的任何一項或多項的負偏壓任選地比ESD器件的源極端子的值更負。
[0035]在實例13中，實例1-實例12中的任何一項或多項的ESD器件任選地包括η型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，并且實例1-實例12中的任何一項或多項的NMOS晶體管的漏極端子任選地被配置為接收ESD事件并且通過NMOS晶體管的源極端子將ESD事件釋放到地面。
[0036]在實例14中，一種降低靜電放電(ESD)電路的電容的方法包括提供ESD器件的漏極端子與源極端子之間的ESD放電路徑；提供對ESD器件的本體端子的負偏壓以降低ESD器件的漏極端子到源極端子的電容。
[0037]在實例15中，實例1-實例14中的任何一項或多項的ESD器件的源極端子任選地耦合到地面。
[0038]在實例16中，所述提供對實例1-實例15中的任何一項或多項的ESD器件的本體端子的負偏壓任選地包括使用耦合到ESD器件的本體端子的電荷栗。
[0039]在實例17中，實例1-實例16中的任何一項或多項的負偏壓任選地比ESD器件的源極端子的值更負。
[0040]在實例18中，實例1-實例17中的任何一項或多項的柵極端子任選地通過電阻器耦合到ESD器件的源極端子。
[0041]在實例19中，實例1-實例18中的任何一項或多項的柵極端子任選地通過電阻器耦合到ESD器件的本體端子。
[0042]在實例20中，實例1-實例19中的任何一項或多項的ESD器件任選地包括η型金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管，并且提供實例1-實例19中的任何一項或多項的ESD放電路徑任選地包括在NMOS晶體管的漏極端子處接收ESD事件并且通過NMOS晶體管的源極端子將ESD事件釋放到地面。
[0043]在實例21中，一種系統或裝置可包括，或可任選地與實例1-實例20中的任何一項或多項的任何部分的任意部分或組合相結合從而包括，執行實例1-實例20的功能中的任何一項或多項的裝置，或者包括指令的機器可讀介質，在由機器執行時，該指令使得機器執行實例1-實例20的功能中的任何一項或多項。
[0044]上述【具體實施方式】包括對附圖的參照，所述附圖構成【具體實施方式】的一部分。附圖以舉例說明的方式示出了可實施本發明的具體實施例。這些實施例本文也稱為“實例”。此類實例可包括除所示或所述的那些之外的元件。然而，本發明人還設想到其中僅提供所示或所述的那些元件的實例。此外，本發明人還設想到或者相對于特定實例(或其一個或多個方面)或者相對于本文所示或所述其他實例(或者其一個或多個方面)，利用所示或所述的那些元件的任何組合或排列(或其一個或多個方面)的實例。
[0045]在本申請文檔中提及的所有出版物、專利、和專利文檔其全文以引用方式并入本文，如同以引入方式單獨并入一樣。在本申請文檔與以引用方式如此并入的那些文檔之間使用不一致的情況下，在并入的參考文獻中的使用應當認為是對本申請文檔的使用的補充，對于不可調和的不一致，以本申請文檔中的使用為準。
[0046]在本申請文檔中，術語“一個”或“一種”如專利文檔中常見的，用來包括一個或一個以上，而與“至少一個”或“一個或多個”的任何其他情況或用法無關。在本申請文檔中，除非另外指明，否則術語“或”用來指非排他性的或，使得“Α或B”包括“Α而非B”、“B而非Α”以及“Α和B”。在所附權利要求書中，術語“包括”和“在其中”用作各自術語“包含”和“其中”的通俗英語等同物。而且，在所附權利要求中，術語“包括”和“包含”是開放式的，即，包括除了在權利要求中這樣的術語之后列出的那些元件之外的元件的系統、器件、物品或方法仍將認為落入該權利要求范圍內。此外，在以下權利要求書中，術語“第一”、“第二”和“第三”等僅僅用作標號，并非旨在將數字要求強加于它們的對象。
[0047]本文所述的方法實例可以至少部分地由機器或計算機實現。一些實例可包括使用指令編碼的計算機可讀介質或機器可讀介質，所述指令可操作將電子器件配置成執行上述實例中描述的方法。這種方法的實現可包括代碼，例如微碼、匯編語言代碼、高級語言代碼等。該代碼可包括用于執行各種方法的計算機可讀指令。該代碼可形成計算機程序產品的一部分。另外，例如在執行期間或其他時間，該代碼可有形地存儲在一個或多個易失性或非易失性有形計算機可讀介質。這些有形計算機可讀介質的實例可包括但不限于硬盤、可移除磁盤、可移除光盤(例如，高密度磁盤和數字視頻盤)、磁帶、存儲卡或存儲棒、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)等。
[0048]以上說明旨在是示例性的，而非限制性的。例如，上述實例(或其一個或多個方面)可彼此結合使用。其他實施例可諸如由本領域的普通技術人員在查看上述說明后使用。說明書摘要的提交不旨在用于解釋或限制權利要求的范圍或含義。同樣，在上面的【具體實施方式】中，各種特征可歸類成將本公開簡潔。這不應理解成未要求權利的公開特征對任何權利要求必不可少。相反，本發明的主題具有的特征可少于特定公開的實施例的所有特征。因此，所附權利要求由此并入【具體實施方式】中，每個權利要求作為單獨實施例表示其自身，并且設想這些實施例可以各種組合或排列方式彼此結合。應參看所附的權利要求，以及這些權利要求所享有的等同物的所有范圍，來確定本發明的范圍。
【主權項】
1.一種偏置靜電放電ESD電路，包括: ESD器件，所述ESD器件包括柵極端子、源極端子、漏極端子和本體端子，其中所述ESD器件被配置為提供所述漏極端子與所述源極端子之間的ESD放電路徑， 其中所述ESD器件的所述本體端子被配置為接收負偏壓以降低所述ESD器件的所述漏極端子到源極端子的電容。2.根據權利要求1所述的偏置ESD電路，其中所述ESD器件的所述源極端子耦合到地面。3.根據權利要求1或2中任一項所述的偏置ESD電路，包括: 電荷栗，所述電荷栗耦合到所述ESD器件的所述本體端子， 其中所述電荷栗被配置為提供對所述本體端子的所述負偏壓。4.根據權利要求1或2中任一項所述的偏置ESD電路，其中所述負偏壓比所述ESD器件的所述源極端子的值更負。5.根據權利要求1或2中任一項所述的偏置ESD電路，包括耦合在所述ESD器件的所述柵極端子與所述源極端子之間的電阻器。6.根據權利要求1或2中任一項所述的偏置ESD電路，包括耦合在所述ESD器件的所述柵極端子與所述本體端子之間的電阻器。7.根據權利要求1或2中任一項所述的偏置ESD電路，其中所述ESD器件包括η型金屬氧化物半導體NMOS晶體管，并且 其中所述NMOS晶體管的漏極端子被配置為接收ESD事件并且通過所述NMOS晶體管的源極端子將所述ESD事件釋放到地面。8.—種降低靜電放電ESD電路的電容的方法，包括: 提供ESD器件的漏極端子與源極端子之間的ESD放電路徑；以及 提供對所述ESD器件的本體端子的負偏壓以降低所述ESD器件的所述漏極端子到源極端子的電容。9.根據權利要求8所述的方法，其中所述ESD器件的所述源極端子耦合到地面。10.根據權利要求8或9中任一項所述的方法，其中提供對所述ESD器件的所述本體端子的所述負偏壓包括使用耦合到所述ESD器件的所述本體端子的電荷栗，并且 其中所述負偏壓比所述ESD器件的所述源極端子的值更負。11.根據權利要求8或9中任一項所述的方法，其中所述柵極端子通過電阻器耦合到所述ESD器件的所述源極端子。12.根據權利要求8或9中任一項所述的方法，其中所述柵極端子通過電阻器耦合到所述ESD器件的所述本體端子。13.根據權利要求8或9中任一項所述的方法，其中所述ESD器件包括η型金屬氧化物半導體NMOS晶體管，并且 其中提供所述ESD放電路徑包括在所述NMOS晶體管的漏極端子處接收ESD事件并且通過所述NMOS晶體管的所述源極端子將所述ESD事件釋放到地面。
【專利摘要】除其他以外，本申請討論了偏置靜電放電(ESD)電路及降低靜電放電電路的電容的方法，其被配置為降低ESD結構的電容，而其他ESD結構參數很少乃至沒有變化。ESD器件的本體端子可被負偏置以降低所述ESD器件的漏極端子到源極端子的電容。電荷泵可被配置為提供對所述ESD器件的本體端子的負偏壓。在某些例子中，所述ESD器件的柵極端子可耦合到所述ESD器件的源極端子，諸如通過電阻器來耦合，并且所述源極端子可耦合到地面。
【IPC分類】H03K19/0175
【公開號】CN105391439
【申請號】CN201510535034
【發明人】科奈斯·P·斯諾登, T·康, 李永亮
【申請人】快捷半導體(蘇州)有限公司, 快捷半導體公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年8月27日
【公告號】US20160064374