用、及有機 膜32具有的緩沖作用的協同效應下，能更確實地防止無機膜34受損。
[0154] 若考慮到水分等自接著劑16的端面的侵入、阻氣膜14的柔軟性或卷曲等，則接著 劑16的厚度優選為100ym以下。
[0155] 就能通過更適當的緩沖效果來防止無機膜34的受損、及能防止水分等自端面侵 入等方面而言，接著劑16的厚度更優選為設為2ym~50ym。
[0156] 就輕量化或薄型化等方面而言，支撐體30與接著劑16的合計厚度優選為比薄玻 璃的厚度即300ym更薄。
[0157] 接著劑16的厚度是指形成有發光單元24的位置上的、最薄位置處的接著劑16的 厚度。
[0158] 對于接著劑16而言，可根據鈍化膜26及無機膜34的形成材料而適當選擇能以充 分的密著力將兩者接著的接著劑。作為接著劑16,可例示環氧系的接著劑、或丙烯酸系的接 著劑。
[0159] 當有機EL層疊體10為頂部發光型時，接著劑16優選為具有高光透過率。接著劑 16優選為無排氣的釋出（或極少）。
[0160] 還可根據需要而向接著劑16中添加聚異丁烯等橡膠系材料、或環烯烴共聚物等， 來提高柔軟性。再者，添加的環烯烴共聚物可利用寶理塑料（Polyplastics)公司制造的托 帕斯（T0PAS)或三井化學公司制造的阿佩爾（APEL)等市售品。
[0161] 接著劑16優選為含有硅烷偶合劑。
[0162] 經接著劑16接著的鈍化膜26及無機膜34優選為表面導入有-0基和/或-0H基。
[0163] 由此，能進一步提高接著劑16與鈍化膜26及無機膜34的密著性。
[0164] 硅烷偶合劑是指將烷氧基等水解性基、及氨基等可期待與有機物的反應或相互作 用的有機官能基與娃鍵結而成者。
[0165] 作為硅烷偶合劑，通過使水解性基經水解而成為-0H基，且使該-0H基與無機化合 物表面的-0H基脫水縮合，而使該硅烷偶合劑與無機化合物表面之間產生強力的共價鍵。 而且，硅烷偶合劑可利用有機性官能基與有機化合物的共聚合等而牢固地與有機化合物結 合。由此，硅烷偶合劑可提高有機物與無機物的密著性。
[0166] 根據本發明人的研宄發現，當鈍化膜26及無機膜34為硅化合物時，通過向其表面 導入-0基、優選為導入-0H基而成為"SiOH"的狀態，從而使接著劑16所含的硅烷偶合劑 優選地產生水解反應、及脫水縮合。
[0167] 通過向鈍化膜26及無機膜34的表面導入-0H基等，可自鈍化膜26及無機膜34 的表面釋出-0H基等。利用所釋出的-0H基等使硅烷偶合劑產生水解反應，使硅化合物與 硅烷偶合劑以利用脫水縮合所形成的共價鍵而鍵結。如此，能使接著劑16與鈍化膜26及 無機膜34獲得更高的密著力。
[0168] 一般而言，當使用硅烷偶合劑時，添加pH值調節劑（添加酸或堿），調節pH值。然 而，若向含有硅烷偶合劑的接著劑中添加pH值調節劑，則會因環境的濕度、或來自有機溶 劑的供水而進行水解從而產生接著劑的粘度上升等不良狀況。
[0169] 對此，若接著劑16含有硅烷偶合劑、且向包含硅化合物的鈍化膜26及無機膜34 的表面導入-0基或0H基，則無需添加pH值調節劑來調節pH值，便可獲得高密著力。即， 根據該構成，因接著劑16,也可省去可能會成為不良狀況的原因的pH值調節劑。
[0170] 利用接著劑16實現的有機EL元件12與阻氣膜14的接著基本上可與已知的有機 EL層疊體的密封基板的接著同樣地進行。
[0171] 在阻氣膜14的無機膜34的表面、和/或、有機EL元件12的鈍化膜26的表面涂 布接著劑16。此后，使無機膜34與鈍化膜26相向地將有機EL元件12與阻氣膜14層疊。 根據需要，進行按壓，且進行加熱、紫外線照射等，使接著劑16硬化，從而使兩者接著。
[0172] 以上，已對有機EL層疊體10進行了詳細說明，但本發明并不限于上述實施例，而 可在不脫離本發明的宗旨的范圍內進行各種改良或變更。
[0173][實施例]
[0174] 以下，列舉本發明的具體實施例來對本發明進行更詳細的說明。
[0175][實施例 1-1]
[0176] 準備厚度為500ym、20mmX20mm的玻璃板作為單元基板20。
[0177] 利用陶瓷將該單元基板20的周邊2mm遮蔽（masking)。將經遮蔽的單元基板20 裝填至一般的真空蒸鍍裝置中，利用真空蒸鍍形成厚度為l〇〇nm且包含金屬鋁的電極，進 而，形成厚度為lnm的氟化鋰層。
[0178] 在形成有電極及氟化鋰層的單元基板20上，利用真空蒸鍍依序形成以下的有機 化合物層。
[0179](發光層兼電子傳輸層）
[0180] 三（8-羥基喹啉）鋁：膜厚60nm
[0181](第2空穴傳輸層）
[0182]N，N'-二苯基-N，N'-二萘基聯苯胺：膜厚40nm
[0183](第1空穴傳輸層）
[0184] 銅酞菁：膜厚10nm
[0185] 將形成有這些層的單元基板20裝填至一般的濺射裝置內。使用氧化銦錫（Indium TinOxide，IT0)作為祀（target)，利用直流（directcurrent，DC)磁控派射，形成厚度為 0. 2ym且包含IT0薄膜的透明電極，從而形成使用有機EL材料的發光單元24。
[0186] 接著，自形成有發光單元24的單元基板20除去遮蔽。
[0187] 將已除去遮蔽的單元基板20裝填至一般的等離子體CVD裝置內。一面適當地調 節CVD裝置的腔室（chamber)內的壓力，一面利用等離子體CVD(CCP-CVD)形成包含氮化硅 且厚度為1500nm的鈍化膜26,從而制作了有機EL元件12。
[0188] S卩，該有機EL元件12具有在中央形成有1個發光單元24,且覆蓋發光單元24及 單元基板20的整個面地形成包含氮化硅的鈍化膜26而成的構成。
[0189] 用于形成鈍化膜26的原料氣體使用硅烷氣體（SiH4)、氨氣（NH3)、氮氣（N2)及氫 氣（H2)。各氣體的供給量設為：硅烷氣體為lOOsccm、氨氣為200sccm、氮氣為500sccm、氫 氣為500sccm。形成壓力（成膜壓力）設為50Pa。
[0190] 供給的等離子體激發電力設為頻率13. 5MHz且3000W。成膜過程中，向單元基板 20側（基板保持件（holder))供給頻率400kHz且500W的偏壓電力。
[0191] 作為支撐體30，準備厚度為100^111、30000臟\1000臟的0)(：膜（郡是（6111^)公 司制造，F1膜）。該C0C膜的水蒸氣透過率（watervaportransmissionrate，WVTR)為 2 [g/ (m2 ?天）]。
[0192] 在該支撐體30的表面，利用涂布法形成厚度為2ym的有機膜32。
[0193] 形成有機膜32的涂料是向甲基乙基酮（methylethylketone，MEK)中添加 TMPTA(大賽璐氰特（Daicelcytec)公司制造）、表面活性劑（畢克化學日本（BYK-CHEMIE JAPAN)公司制造BYK378)、光聚合引發劑（汽巴化學（CibaChemicals)公司制造Irgl84)、 及硅烷偶合劑（信越娃酮（Shin-EtsuSilicone)公司制造KBM5103)來進行制備。
[0194] 表面活性劑的添加量是設為以除MEK之外的濃度計為1質量％，光聚合引發劑的 添加量是設為以除MEK之外的濃度計為2質量％，硅烷偶合劑的添加量是設為以除MEK之 外的濃度計為10質量％。將以這些比率調配而得的成分在MEK中稀釋而成的涂料的固體 成分濃度為15質量％。
[0195] 使用模涂機將該涂料涂布于支撐體30的表面。繼而，利用80°C的干燥風使涂料干 燥。對已干燥的涂料照射紫外線而使其聚合，從而形成有機膜32。
[0196] 將形成有有機膜32的支撐體30裝填至一般的等離子體CVD裝置內。利用等離子 體CVD(CCP-CVD)，形成包含氮化硅且厚度為50nm的無機膜34,從而制作成阻氣膜14。形成 無機膜34之后，將阻氣膜14放置于大氣中。
[0197] 原料氣體使用的是硅烷氣體（SiH4)、氨氣（NH3)、氮氣（N2)及氫氣（H2)。各氣體的 供給量設為：硅烷氣體為lOOsccm、氨氣為200sccm、氮氣為500sccm、氫氣為500sccm。形成 壓力（成膜壓力）設為50Pa。
[0198] 供給的等離子體激發電力為頻率13. 5MHz且3000W。成膜過程中，向支撐體30側 (基板保持件）供給頻率400kHz且500W的偏壓電力。
[0199] 向MEK中添加2種環氧樹脂（日本環氧樹脂（JapanEpoxyResin)公司制造 JER1001及JER152)、及硅烷偶合劑（信越硅酮公司制造KBM502)來制備形成接著劑16的 涂料。
[0200] 兩種環氧樹脂的添加量均設為以除MEK之外的濃度計為48質量％，硅烷偶合劑的 添加量設為以除MEK之外的濃度計為4質量％。將以這些比率調配而得的成分在MEK中稀 釋而成的涂料的固體成分濃度為50質量％。
[0201] 將阻氣膜14切成與單元基板20相同的20mmX20mm的片（sheet)狀。
[0202] 使用模涂機，將作為該接著劑16的涂料涂布于所切出的阻氣膜14的無機膜34的 表面。涂料是以接著劑16的厚度為10ym的方式涂布。繼而，在100°C下加熱30秒，使涂 料干燥。
[0203] 使涂料干燥后，在惰性氣體環境下，使鈍化膜26朝向涂料（即，使鈍化膜26與無 機膜34相向），而將有機EL元件12與阻氣膜14進行層疊而貼附。
[0204] 將該層疊體在100°C的恒溫槽內保持100小時，使接著劑16 (涂料）硬化，從而制 作出如圖1所示的有機EL層疊體10。
[0205][比較例1-1]
[0206] 阻氣膜14中，形成包含氧化鋁且厚度為50nm的無機膜34代替包含氮化硅的無機 膜34,除此以外，與實施例1相同地制作有機EL層疊體。
[0207] 包含氧化鋁的無機膜34的形成是采用一般的濺射裝置并通過使用鋁作為靶的反 應性濺射來進行。
[0208] 放電氣體使用的是氬氣，反應氣體使用的是氧氣。各氣體的供給量設為氬氣為 50sccm、氧氣為 200sccm。
[0209] 形成壓力設為1.SXKTPa，投入電力設為2300W。
[0210] [比較例 1-2]
[0211] 使用在無機膜34上進而形成厚度為2ym的有機膜而成的阻氣膜代替阻氣膜14， 除此以外，與實施例1相同地制作有機EL層疊體。
[0212] 最上層的有機膜是與實施例1中形成于支撐體30的表面的有機膜32同樣地形 成。
[0213] [實施例 1_