高電壓。
[0033]在電子熔絲215已被編程之后，啟用編程控制信號315被解除斷言，以使得PMOS晶體管300和305截止。同時，η阱電壓切換電路100將開關η阱110偏置到低電壓。但是注意，耦合至PMOS晶體管300的源極的節點320在編程模式期間被充電到高電壓。為了防止與開關η阱110的低電壓相比從此經充電的節點電位發生鎖存的任何可能性，NMOS晶體管325在存儲器200不在被編程時將節點320拉到接地。為了這么做，反相器310驅動NMOS晶體管325的柵極，以使得NMOS晶體管325響應于啟用編程模式控制信號315的解除斷言而導通。NMOS晶體管325的源極綁定至接地，而其漏極綁定至節點320。以此方式，當電子熔絲存儲器200不處于編程模式時，NMOS晶體管325將節點320的電位拉到接地。分開的低電壓開關(未解說)將在存儲器200的讀取操作模式期間活躍以將位線225充電到低電壓。
[0034]電可編程存儲器200具有眾多應用。例如，通常使用此類存儲器來用配置數據、修剪數據、RAM冗余信息、加密碼、或其他合適的信息來配置片上系統(SOC)。圖4解說了包括用電可編程存儲器200增強的SOC的一些示例性設備。具體地，蜂窩電話400、膝上型設備405和平板PC 410都可以包括根據本公開構造的電可編程存儲器200。其他示例性電子系統(諸如音樂播放器、視頻播放器、通信設備和個人計算機)也可以用根據本公開的電可編程存儲器來配置。
[0035]如本領域普通技術人員至此將會領會并取決于手頭的具體應用的，可以在本公開的設備的材料、裝置、配置和使用方法上做出許多修改、替換和變動而不會脫離本公開的精神和范圍。有鑒于此，本公開的范圍不應當被限定于本文中所解說和描述的特定實施例(因為其僅是藉其一些示例來解說和描述的)，而應當與所附權利要求及其功能等同方案完全相當。
【主權項】
1.一種電壓切換電路，包括: NMOS晶體管，其具有響應于控制信號來控制的柵極、耦合至被配置成提供低電壓的低電壓電源的漏極，以及耦合至雙模PMOS晶體管的開關η阱的源極；以及 第一 PMOS晶體管，其具有響應于所述控制信號來控制的柵極、耦合至被配置成提供大于所述低電壓的高電壓的高電壓電源的源極，以及耦合至所述開關η阱的漏極。2.如權利要求1所述的電壓切換電路，其特征在于，進一步包括配置成將所述控制信號轉換成反相控制信號的反相器，并且其中所述NMOS晶體管的柵極和所述第一 PMOS晶體管的柵極被配置成由所述反相控制信號來驅動。3.如權利要求2所述的電壓切換電路，其特征在于，所述NMOS晶體管是原生的NMOS晶體管。4.如權利要求2所述的電壓切換電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管包括持久地耦合至所述高電壓電源的非開關η阱。5.如權利要求4所述的電壓切換電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管具有第一大小，并且所述雙模PMOS晶體管具有小于所述第一大小的第二大小。6.如權利要求5所述的電壓切換電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管具有第一柵極氧化物厚度，并且所述雙模PMOS晶體管具有小于所述第一柵極氧化物厚度的第二柵極氧化物厚度。7.如權利要求6所述的電壓切換電路，其特征在于，所述第一大小和所述第一柵極氧化物厚度各自具有足以保護所述第一 PMOS晶體管不使其非開關η阱持久地耦合至所述高電壓電源的數值。8.如權利要求6所述的電壓切換電路，其特征在于，所述第二大小和所述第二柵極氧化物厚度各自具有不足以保護所述雙模PMOS晶體管不使所述高電壓電源持久地綁定至所述開關η阱的數值。9.一種存儲器，包括: 配置成選擇性地將輸出節點驅動至低電壓和比所述低電壓大的高電壓的η阱電壓切換電路，所述η阱電壓切換電路包括厚柵極氧化物PMOS晶體管； 具有綁定至所述輸出節點的源極和開關η阱的字線驅動器PMOS晶體管，其中所述字線驅動器PMOS晶體管具有比所述厚柵極氧化物PMOS晶體管的柵極氧化物厚度小的薄柵極氧化物厚度。10.如權利要求9所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器是電可編程存儲器，所述電可編程存儲器進一步包括具有耦合至薄柵極氧化物編程NMOS晶體管的漏極的端子的電子熔絲，所述薄柵極氧化物編程NMOS晶體管的柵極耦合至字線，所述字線耦合至所述字線驅動器PMOS晶體管的漏極。11.如權利要求10所述的存儲器，其特征在于，進一步包括耦合至所述電子熔絲的相對端子的位線。12.如權利要求11所述的存儲器，其特征在于，進一步包括用于在所述電子熔絲的編程模式期間將所述位線偏置到所述高電壓的高功率開關。13.如權利要求12所述的存儲器，其特征在于，所述高功率開關包括串聯在所述位線與配置成提供所述高電壓的高電壓電源之間的全局功率開關和局部功率開關。14.如權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述局部功率開關包括PMOS晶體管，所述PMOS晶體管具有耦合至所述η阱電壓切換電路的所述輸出節點的開關η阱。15.如權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器被納入到蜂窩電話、膝上型設備、平板設備、音樂播放器、通信設備、計算機和視頻播放器中的至少一者。16.—種方法，包括: 響應于在η阱電壓切換電路處在第一狀態中接收到控制信號，用第一電壓來偏置雙模PMOS晶體管的開關η阱，其中所述η阱電壓切換電路包括具有第一大小和第一柵極氧化物厚度的晶體管，并且其中所述雙模PMOS晶體管具有小于所述第一大小的第二大小和小于所述第一柵極氧化物厚度的第二柵極氧化物厚度；以及 響應于在所述η阱電壓切換電路處在第二狀態中接收到所述控制信號，用小于所述第一電壓的第二電壓來偏置所述開關η阱。17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，進一步包括在所述第一狀態中控制所述控制信號的接收的歷時，以使得所述雙模PMOS晶體管不會因用所述第一電壓來偏置其開關η阱而被損壞。18.如權利要求16所述的方法，其特征在于，所述雙模PMOS晶體管是電可編程存儲器的字線驅動器晶體管，并且其中用所述第一電壓來偏置所述開關η阱包括通過所述字線驅動器晶體管來編程電子熔絲。19.如權利要求18所述的方法，其特征在于，用所述第二電壓來偏置所述開關η阱包括讀取所述電子熔絲的狀態。20.如權利要求18所述的方法，其特征在于，進一步包括在對所述電子熔絲的編程期間將耦合至所述電子熔絲的位線偏置到所述高電壓，其中偏置所述位線包括通過局部功率開關PMOS晶體管來偏置所述位線，所述局部功率開關PMOS晶體管具有由所述η阱電壓切換電路偏置到所述第二電壓的開關η阱。
【專利摘要】公開了一種雙模PMOS晶體管，其具有第一操作模式，在該第一操作模式中，雙模PMOS晶體管的開關n阱被偏置到高電壓。雙模PMOS晶體管具有第二操作模式，在該第二操作模式中，開關n阱被偏置到低于高電壓的低電壓。雙模PMOS晶體管具有一大小和柵極氧化物厚度，該大小和柵極氧化物厚度各自具有不能容適至高電壓的持久綁定的數值。n阱電壓切換電路使開關n阱偏置以防止對雙模PMOS晶體管的電壓損壞，而不管其相對較小的大小和薄柵極氧化物厚度。
【IPC分類】G11C17/18, H03K17/081, H03K19/003
【公開號】CN104937848
【申請號】CN201480004776
【發明人】E·特澤格魯, G·A·尤維戈哈拉, S·S·尹, B·加內桑, A·C·科塔
【申請人】高通股份有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2014年1月10日
【公告號】EP2946474A1, US8787096, US20140198588, US20140369152, WO2014113295A1