監控hdp腔室漏率的方法及系統的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造領域，特別涉及一種監控HDP腔室漏率的方法及系統。
【背景技術】
[0002]半導體集成電路制造工藝中，高密度等離子體制程(HDP，High Dense Plasmaprocess)由于良好的填孔能力，廣泛應用于STI(Shallow Trench Insulat1n)和PMD(Pre-Metal Dielectric)介質層填充。
[0003]HDP制程的反應壓力只有2?1utorr，腔室需要非常好的密閉性，如果有微漏會直接導致壓力變化，影響顆粒，濺射率等參數，對產品缺陷，填孔能力都會造成重大影響。在實際的生產作業中，Ο-ring破損，Top nozzle裂縫等都會導致腔室微漏，這些零件都在PM的時候檢查，或者在腔室空閑狀態下，利用機臺自帶程式，手動漏率(Leak rate)檢查，一般在PM前后或者日常，相對耗時并且不能實時監控，產品風險較大，但如果在制程作業中破損，由于目前的漏率點檢需要手動操作，不能夠有效及時地發現問題，產品的風險較大。
[0004]如圖1所示，為了使腔體達到長膜所需的最優環境，clean(清洗，用于清除沉積在chamber內的薄膜)過程是必不可少的環節，在c lean之后進行Purge (凈化)&Pump (抽氣)的步驟，從而去除殘留的顆粒。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種監控HDP腔室漏率的方法及系統，能夠自動漏率監控，降低產品風險。
[0006]為解決上述問題，本發明提供一種監控HDP腔室漏率的方法，包括:
[0007]對HDP腔室進行清冼和凈化；
[0008]在凈化之后對HDP腔室進行抽氣，以使HDP腔室達到真空極限；
[0009]偵測達到真空極限后的HDP腔室和第二預設時間后的HDP腔室的壓力變化；
[0010]根據所述壓力變化計算HDP腔室漏率。
[0011 ]進一步的，在上述方法中，在凈化之后對HDP腔室進行抽氣，以使HDP腔室達到真空極限，包括:
[0012]在凈化之后對HDP腔室進行第一預設時間的抽氣。
[0013]進一步的，在上述方法中，所述第一預設時間為2?10分鐘。
[0014]進一步的，在上述方法中，所述第二預設時間為3?10分鐘。
[0015]進一步的，在上述方法中，偵測達到真空極限后的HDP腔室和第二預設時間后的HDP腔室的壓力變化，包括:
[0016]偵測達到真空極限后的HDP腔室的壓力Pl;
[0017]關閉栗與HDP腔室之間的隔離門閥第二預設時間T后，再次偵測HDP腔室的壓力P2;
[0018]比較Pl和P2的壓力變化。
[0019]進一步的，在上述方法中，根據所述壓力變化計算HDP腔室漏率，包括通過如下計算HDP腔室漏率:
[0020]HDP 腔室漏率=(Ρ2_Ρ1)/Τ。
[0021 ]根據本發明的另一面，還提供一種監控HDP腔室漏率的系統，包括:
[0022]清冼和凈化模塊，用于對HDP腔室進行清冼和凈化；
[0023]抽氣模塊，用于在凈化之后對HDP腔室進行抽氣，以使HDP腔室達到真空極限；
[0024]偵測模塊，用于偵測達到真空極限后的HDP腔室和第二預設時間后的HDP腔室的壓力變化；
[0025]計算模塊，用于根據所述壓力變化計算HDP腔室漏率。
[0026]進一步的，在上述系統中，所述抽氣模塊，用于在凈化之后對HDP腔室進行第一預設時間的抽氣。
[0027]進一步的，在上述系統中，所述第一預設時間為2?10分鐘。
[0028]進一步的，在上述系統中，所述第二預設時間為3?10分鐘。
[0029]進一步的，在上述系統中，所述偵測模塊，用于偵測達到真空極限后的HDP腔室的壓力Pl;關閉栗與HDP腔室之間的隔離門閥第二預設時間T后，再次偵測HDP腔室的壓力Ρ2;及比較Pl和Ρ2的壓力變化。
[0030]進一步的，在上述系統中，所述計算模塊，用于通過如下計算HDP腔室漏率:
[0031]HDP 腔室漏率=(Ρ2_Ρ1)/Τ。
[0032]與現有技術相比，本發明通過優化清洗(clean)之后的凈化(purge)和pump(抽氣)過程，在凈化之后通過比較長時間栗抽和長時間密閉腔室，并偵測達到真空極限后的HDP腔室和第二預設時間后的HDP腔室的壓力變化，計算腔室漏率，打破現有的單一手動漏率監測模式，實現自動漏率監控，及時發現問題，降低產品風險。
【附圖說明】
[0033]圖1是現有的使腔體達到長膜所需的最優環境的原理圖；
[0034]圖2是本發明一實施例的監控HDP腔室漏率的方法的流程圖；
[0035]圖3是本發明一實施例的監控HDP腔室漏率的方法的原理圖；
[0036]圖4是本發明一實施例的監控HDP腔室漏率的系統的模塊圖。
【具體實施方式】
[0037]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明。
[0038]如圖2和3所示，本發明提供一種監控HDP腔室漏率的方法，包括:
[0039]步驟SI，對HDP腔室進行清冼和凈化；
[0040]步驟S2，在凈化之后對HDP腔室進行抽氣，以使HDP腔室達到真空極限；
[0041 ] 步驟S3，偵測達到真空極限后的HDP腔室和第二預設時間后的HDP腔室的壓力變化；
[0042]步驟S4，根據所述壓力變化計算HDP腔室漏率。本實施例通過優化清洗(clean)之后的凈化(purge)和pump (抽氣)過程，在凈化之后通過比較長時間栗抽和長時間密閉腔室，并偵測達到真空極限后的HDP腔室和第二預設時間后的HDP腔室的壓力變化，計算腔室漏率，打破現有的單一手動漏率監測模式，實現自動漏率監控，及時發現問題，降低產品風險。
[0043]優選的，步驟S2，在凈化之后對HDP腔室進行抽氣，以使HDP腔室達到真空極限，包括:
[0044]在凈化之后對HDP腔室進行第一預設時間的抽氣。
[0045]優選的，如圖3所示，所述第一預設時間為2?10分鐘。
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