一種金屬載體的加工方法及封裝基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電路板技術領域，具體涉及一種金屬載體的加工方法及封裝基板。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路(integrated circuit，IC)技術的發展，引腳數量增多、布線密度增大、基板層數增多，近年來向薄型化和小型化的趨勢發展，要求線距更細、孔徑更小。因而埋入式線路(Embedded Print Process，EPP)技術應運而生，此技術可以解決目前線路板發展的薄型化和高密度化發展趨勢，但此工藝流程的應用必須需求一種可剝離載體的支持，現有的技術方案如下:
[0003]目前，在封裝基板埋入式加工工藝中，采用半固化片(Polypropylene，PP)和兩層超薄銅箔的壓合方式制作載體，其中第一層超薄銅箔與第二層超薄銅箔之間可以分離，通常情況下，第一層銅箔的厚度為3或5um，第二層銅箔的厚度為18或35um，為了確保載體在應用過程中有一定的支撐作用，利用壓合工藝壓合PP和超薄銅箔，從而起到支撐和后段方便分離的作用。
[0004]但是，采用PP和超薄銅箔的壓合方式制作載體，制作成本過高，超薄銅箔之間容易進藥水，從而出現良率下降和設備損壞的風險，分離層造成藥水污染，而且應用范圍較窄。
【發明內容】
[0005]本發明實施例提供一種金屬載體的加工方法及封裝基板，用于解決現有技術中制作的載體所存在的問題。
[0006]本發明第一方面提供一種金屬載體的加工方法，所述金屬載體用于制作封裝基板，包括:
[0007]選取金屬載體；
[0008]清洗所述金屬載體；
[0009]將所述金屬載體濺射第一金屬層，所述第一金屬層覆蓋在所述金屬載體的上表面和下表面，作為金屬底層；
[0010]在所述金屬載體上設置第二金屬層，完成所述金屬載體的加工，所述第二金屬層覆蓋在所述第一金屬層的表面，作為金屬加厚層。
[0011]結合第一方面，在第一種可能的實現方式中，所述選取金屬載體包括:
[0012]所述金屬載體的微觀不平度十點高度Rz小于lOum，輪廓算術平均偏差Ra小于3um，所述金屬載體的主要成分為Ni。
[0013]結合第一方面，在第二種可能的實現方式中，所述選取金屬載體包括:
[0014]所述金屬載體的厚度小于1_。
[0015]結合第一方面，在第三種可能的實現方式中，所述清洗所述金屬載體包括:
[0016]采用除油，超聲波水洗或等離子Plasma工藝清洗所述金屬載體。
[0017]結合第一方面，在第四種可能的實現方式中，所述將所述金屬載體濺射第一金屬層包括:
[0018]將所述金屬載體磁控派射第一金屬層，所述第一金屬層的厚度在0.01?Ium之間。
[0019]結合第一方面，在第五種可能的實現方式中，所述在所述金屬載體上設置第二金屬層包括:
[0020]在所述金屬載體上電解鍍或化學沉積鍍第二金屬層，所述第二金屬層的厚度在3-1Oum 之間。
[0021]結合第一方面或者第一方面的第一種至第五種任意一種可能的實現方式，在第六種可能的實現方式中，
[0022]所述金屬載體的成分包括不銹鋼或馬口鐵。
[0023]結合第一方面或者第一方面的第一種至第五種任意一種可能的實現方式，在第七種可能的實現方式中，
[0024]所述第一金屬層和所述第二金屬層的成分包括銅。
[0025]本發明第二方面提供一種封裝基板，包括:
[0026]金屬載體，所述金屬載體的厚度小于1mm，所述金屬載體的成分包括不銹鋼或馬口鐵；
[0027]所述金屬載體上設置有第一金屬層和第二金屬層；
[0028]所述第一金屬層的厚度在0.01?Ium之間；所述第二金屬層的厚度在3_10um之間；所述第一金屬層和所述第二金屬層的成分包括銅。
[0029]應用以上技術方案，選取金屬載體；清洗所述金屬載體；將所述金屬載體濺射第一金屬層；在所述金屬載體上設置第二金屬層，完成所述金屬載體的加工。由于該金屬載體不是采用PP和超薄銅箔的壓合方式制成，因此不會出現現有技術中制作的載體所存在的問題，成本低，不會進藥水，應用范圍寬。
【附圖說明】
[0030]為了更清楚地說明本發明實施例技術方案，下面將對實施例和現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。
[0031]圖1是現有技術中載體的一個結構示意圖；
[0032]圖2是本發明實施例中金屬載體的加工方法的一個實施例示意圖；
[0033]圖3是本發明實施例中選取金屬載體的一個結構示意圖；
[0034]圖4是本發明實施例中將金屬載體濺射第一金屬層的一個結構示意圖；
[0035]圖5是本發明實施例中在金屬載體上設置第二金屬層的一個結構示意圖。
【具體實施方式】
[0036]本發明實施例提供一種金屬載體的加工方法，用于解決現有技術中制作的載體所存在的問題。本發明實施例還提供相應的封裝基板。
[0037]為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分的實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發明保護的范圍。
[0038]在現有技術中，制作用于封裝基板的載體如圖1所示，采用PPlOl和兩層超薄銅箔的壓合方式制作載體100，其中，其中第一層超薄銅箔102與第二層超薄銅箔103之間可以分離，通常情況下，第一層銅箔102的厚度為3或5um，第二層銅箔103的厚度為18或35um，由于采用PPlOl和超薄銅箔的壓合方式制作載體100，制作成本過高，超薄銅箔之間容易進藥水，從而出現良率下降和設備損壞的風險，分離層造成藥水污染，而且應用范圍較窄，因此展開本發明的論述:
[0039]下面通過具體實施例，分別進行詳細的說明本發明技術方案。
[0040]實施例一、
[0041]請參考圖2，本發明實施例提供一種金屬載體的加工方法，可包括:
[0042]201、選取金屬載體；
[0043]請參閱圖3，在本發明實施例中，直接選取金屬載體300進行加工，金屬載體300為主要成分為Ni的金屬載體。
[0044]可選的，所述選取金屬載體300包括:
[0045]所述金屬載體300的微觀不平度十點高度Rz小于10um，輪廓算術平均偏差Ra小于3um，所述金屬載體300的主要成分為Ni。
[0046]需要說明的是，通常情況下，Ra在0.1-0.3um之間，Rz在1.0-2.0um之間作為優先，此處不做具體限定。
[0047]可選的，所述選取金屬載體300包括:
[0048]所述金屬載體300的厚度小于1mm。
[0049]與現有技術不同的是，本發明技術方案中，不是采用PP與超薄銅箔壓合制作載體，而是直接選取金屬載體進行加工。因此不會出現現有技術中制作的載體所存在的問題。由于金屬載體的膨脹系數小(17-19ppm/°C )，在后續制作圖形加工中其脹縮影響小，而同等條件下的PP價格昂貴，成本尚。
[0050]202、清