0047]所述腔室主體100的底部120形成有用于排出腔室主體100內部空間的氣體的排氣口 600。
[0048]所述蓋體200由圓形的平板狀構成，其形狀可被確定為與所述腔室主體100的截面形狀對應。
[0049]所述蓋體200的底面具有:噴灑頭500，用于使流入的工藝氣體在整個基板W的范圍內均勻地噴灑。所述噴灑頭500的上側可具有上部加熱器(未圖示)。
[0050]所述蓋體200借助于蓋體開閉驅動部300而在腔室主體100的上端沿著上下方向移動，以封閉腔室主體100的開放的上部，或者予以開放。
[0051]所述蓋體200的邊緣底面與所述腔室主體100的上端之間夾設有密封件(未圖示)，當所述蓋體200朝下方下降時，所述密封件被壓實，從而使蓋體200與腔室主體100之間的氣密性得以維持。
[0052]蓋體開閉驅動部300為了能夠沿著上下方向移動所述蓋體200，沿著所述蓋體200的邊緣周圍而配備有包括第一驅動部310和第二驅動部320在內的多個蓋體開閉驅動部300。所述蓋體開閉驅動部300可由空壓氣缸或油壓氣缸構成，當把上下移動的氣缸軸結合于所述蓋體200的底面并啟動氣缸時，蓋體200將會與氣缸軸一起升降。
[0053]以上舉例說明為蓋體開閉驅動部300 (310、320)結合于蓋體200的底面，然而也可以變形實施為蓋體開閉驅動部300(310、320)位于蓋體200的上部，且蓋體開閉驅動部300 (310、320)結合于蓋體200的上表面。
[0054]圖4為表示根據本發明的基板處理裝置中蓋體與腔室主體之間夾設有密封件的狀態的正面剖視圖。
[0055]腔室主體100的上端具有向外側方向突出的法蘭130。所述法蘭130可沿腔室主體100的上端周圍而以圓形構成，并可通過焊接而結合于所述腔室主體100的上端。
[0056]所述法蘭130以大于腔室主體100的厚度的寬厚形成，從而可以在法蘭130的上表面將密封件220夾設于中間而牢固地支撐蓋體200的底面。所述密封件220被夾設于法蘭130的上表面與蓋體200的底面之間而維持氣密性。
[0057]圖5為表示根據本發明的基板處理裝置中蓋體開啟的狀態的正面剖視圖。以下，參考圖2和圖5而對本發明的基板處理方法進行說明。
[0058]首先，為了處理基板W，蓋體200根據蓋體開閉驅動部300的驅動信號而向上部上升，于是腔室100的上部被開放。此時，基板W位于腔室主體100的外部。
[0059]其次，位于腔室主體100的外部的基板W借助于機械手臂700而通過所述腔室主體100的開放的上部而被置于所述載放座400的上部，于是成為如圖5所示的狀態。
[0060]然后，當升降銷450上升時，基板W被升降銷450的上端所支撐，從而使基板W得到中轉，然后所述機械手臂700移動到所述腔室主體100的外部。如果所述機械手臂700移動到外部，則所述升降銷450下降而將基板W安置于所述載放座400上。在此情況下，升降銷450的上端下降至低于載放座400的上表面的位置。
[0061]如果基板W被安置于所述載放座400上，則所述蓋體200根據所述蓋體開閉驅動部300的驅動信號而下降，從而覆蓋所述腔室主體100的上部而使腔室主體100的內部與外部隔咼。
[0062]然后，通過噴灑頭500使工藝氣體流入到所述腔室主體100的內部空間，從而執行基板W的處理，在此情況下，腔室主體100的內壁面不存在以往的由門扇開閉的開口部之類的構造，并只由光滑的圓筒內表面構成，因此工藝氣體中不會產生渦流，從而使工藝均勻度提尚。
[0063]如果通過如上所述的過程而完成基板W的處理，則蓋體200借助于所述蓋體開閉驅動部300的驅動信號而上升，從而開放所述腔室主體100的上部。在此情況下，升降銷450上升而使基板W位于從載放座400的上表面向上側隔開的位置。
[0064]如果腔室主體100的上部開放，則如上所述的機械手臂700通過腔室主體100的開放的上部而進入到基板W的下側，在此狀態下如果升降銷450下降，則基板W被安置于機械手臂700的上部，機械手臂700通過移動到腔室主體100的外部而將基板W搬出到外部，從而結束一個基板處理過程。
[0065]在上述圖5中，機械手臂700水平移動并通過腔室主體100的開放的上部而位于載放座400的上部，并在此狀態下使升降銷450上升，然而并不局限于這種示例，如果將機械手臂700彎曲為呈“ L”形狀，則可在升降銷450上升的同時使機械手臂700向下方下降，從而將基板W中轉到升降銷450上。
[0066]如果這樣使升降銷450的上升與機械手臂700的下降同時進行，則可以減少工序時間。
[0067]以上已對本發明進行詳細說明，然而本發明并不局限于如上所述的實施例，在不脫離權利要求書中請求保護的本發明的技術思想的前提下，本發明所屬的技術領域中具有基本知識的人員不難得出顯而易見的變形實施，那樣的變形實施屬于本發明的范圍。
【主權項】
1.一種具有防渦流腔室的基板處理裝置，包括: 腔室主體(100)，內部具有用于安置基板(W)的載放座(400)，且上部開放； 蓋體(200)，用于開閉所述腔室主體(100)的開放的上部； 蓋體開閉驅動部(300)，提供驅動力，該驅動力使所述蓋體(200)沿上下方向移動以開閉所述腔室主體(100)的上部。2.如權利要求1所述的具有防渦流腔室的基板處理裝置，其特征在于，所述蓋體(200)的邊緣底面與所述腔室主體(100)的上端之間夾設有密封件。3.如權利要求1所述的具有防渦流腔室的基板處理裝置，其特征在于，所述蓋體開閉驅動部(300 =310,320)沿所述蓋體(200)的邊緣周圍配備有多個，以能夠使所述蓋體(200)沿上下方向移動。4.如權利要求3所述的具有防渦流腔室的基板處理裝置，其特征在于，所述蓋體開閉驅動部(300)由空壓氣缸或油壓氣缸構成，并結合于所述蓋體(200)而使蓋體(200)升降。5.如權利要求1所述的具有防渦流腔室的基板處理裝置，其特征在于，所述腔室主體(100)的上端具有法蘭(130)，并在所述法蘭(130)的上表面與所述蓋體(200)的底面之間夾設有密封件(220)。6.如權利要求1所述的具有防渦流腔室的基板處理裝置，其特征在于，所述蓋體(200)的底面結合有噴灑頭(500)，該噴灑頭(500)均勻地噴灑用于處理所述基板(W)的工藝氣體。7.一種基板處理方法，在基板處理裝置實現基板處理，該基板處理裝置包括: 腔室主體(100)，內部具有用于安置基板(W)的載放座(400)，且上部開放； 蓋體(200)，用于開閉所述腔室主體(100)的開放的上部； 蓋體開閉驅動部(300)，提供驅動力，該驅動力使所述蓋體(200)沿上下方向移動以開閉所述腔室主體(100)的上部， 其中，所述基板處理方法由如下步驟構成: 步驟a，借助于所述蓋體開閉驅動部(300)而使所述蓋體(200)上升，從而開放所述腔室主體(100)的上部； 步驟b，通過所述腔室主體(100)的開放的上部而將基板(W)安置于所述載放座(400); 步驟C，借助于所述蓋體開閉驅動部(300)而使所述蓋體(200)下降，從而覆蓋所述腔室主體(100)的上部；步驟d，工藝氣體流入到所述腔室主體(100)的內部空間，從而實現基板(W)的處理；步驟e，在所述基板(W)的處理完畢之后，借助于所述蓋體開閉驅動部(300)而使所述蓋體(200)上升，從而開放所述腔室主體(100)的上部，然后將所述基板(W)搬出到外部。8.如權利要求7所述的基板處理方法，其特征在于，所述步驟b由如下步驟構成: 步驟b-Ι，借助于機械手臂(700)而使所述基板(W)通過所述腔室主體(100)的開放的上部而被置于所述載放座(400)的上部； 步驟b-2，升降銷(450)上升而承接所述基板(W)，并在所述機械手臂(700)移動到所述腔室主體(100)的外部之后，所述升降銷(450)下降而將所述基板(W)安置于所述載放座(400)上。9.如權利要求7所述的基板處理方法，其特征在于，所述步驟b由如下步驟構成: 步驟b-Ι，借助于機械手臂(700)而使所述基板(W)通過所述腔室主體(100)的開放的上部而被置于所述載放座(400)的上部； 步驟b-2，升降銷(450)上升的同時所述機械手臂(700)下降而使所述基板(W)被中轉到所述升降銷(450)上，并在所述機械手臂(700)移動到所述腔室主體(100)的外部之后，所述升降銷(450)下降而將所述基板(W)安置于所述載放座(400)上。
【專利摘要】本發明提供一種具有防渦流腔室的基板處理裝置及基板處理方法，其中使覆蓋腔室主體的上部的蓋體升降，從而通過腔室主體的上部而實現基板的投入和搬出，據此可以防止腔室主體的內側產生工藝氣體的渦流。為此，本發明的基板處理裝置包括：腔室主體(100)，內部具有用于安置基板(W)的載放座(400)，且上部開放；蓋體(200)，用于開閉所述腔室主體(100)的開放的上部；蓋體開閉驅動部(300)，提供驅動力，該驅動力使所述蓋體(200)沿上下方向移動以開閉所述腔室主體(100)的上部。
【IPC分類】C23C16/44, H01J37/32
【公開號】CN105632862
【申請號】CN201510817724
【發明人】安賢煥, 田銀秀, 金德勛
【申請人】系統科技公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2015年11月23日