具有防渦流腔室的基板處理裝置及基板處理方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種具有防渦流腔室的基板處理裝置及基板處理方法，尤其涉及一種可防止為了處理基板而流入到腔室內部的氣體因基板出入的門扇而生成渦流的具有防渦流腔室的基板處理裝置及基板處理方法。
【背景技術】
[0002]通常，基板處理裝置是在將基板裝載于工藝腔室內部的狀態下關閉門扇而密封內部之后，在安置于載放座的基板上利用工藝氣體執行預定的處理工藝。
[0003]半導體工藝中包括化學氣相沉積工藝、等離子干式蝕刻工藝等，其中化學氣相沉積工藝通過高頻放電而分解氣體狀態的化合物，然后引發化學反應而在基板上形成薄膜，等離子干式蝕刻工藝則借助于等離子體狀態的離子而蝕刻基板材料。在這些工藝中，如果注入到腔室內部的氣體中產生渦流，則沉積和蝕刻的均勻度可能下降。
[0004]而且，在用于執行作為半導體后處理工序的回流焊的設備中，在將氣體注入到腔室內部而執行基板的處理的情況下，如果注入的氣體中產生渦流，則基板的均勻度(Uniformity)也可能下降。
[0005]圖1為表不現有的基板處理裝置的圖。
[0006]基板處理裝置包括:圓筒形狀的腔室主體10 ;門扇20，用于開閉形成在所述腔室主體10的一側的開口部11 ;門扇開閉驅動部30，提供驅動力以使所述門扇20可以開閉所述開口部11 ;載放座40，用于安置基板W ;升降銷45，為了將基板W安置于所述載放座40上而進行升降；噴灑頭50，噴灑氣體以處理安置于所述載放座40上的基板W ;排氣口 60，用于將腔室主體10內部的氣體排出到外部。
[0007]在由于所述開口部11和門扇20的存在而形成的空間(A部分)中，氣體的流動并不完全，因此將會產生渦流。這樣的渦流對基板處理后的均勻度產生消極影響。
[0008]之所以如此形成A部分的空間，是因為門扇20以平板形狀構成，為了將平板形狀的門扇20緊貼于圓筒形狀的腔室主體10而維持氣密性，需要形成突出部12，該突出部12向形成有開口部11的腔室主體10的外側突出。
[0009]與所述突出部12接觸的門扇20上具有用于維持氣密性的密封件(未圖示)。
[0010]并且，由于需要在腔室主體10形成開口部11和突出部12，因此存在腔室主體10的制造工藝變得復雜的問題。
[0011]為了防止如上所述的由氣體的渦流引起的問題，韓國公開專利第10-2006-0021136號公開了一種等離子真空設備。
[0012]在所述韓國公開專利第10-2006-0021136號中，為了防止由基板投入口的空余空間引起的氣體渦流現象，配備有與門扇閥連接的腔室內部的板。
[0013]然而，根據這樣的結構，配備于腔室內部的板需要在接觸于腔室的內壁面的狀態下上下移動，因此可能發生磨損引起的碎肩。另外，如果在與腔室的壁面接觸的位置處配備有密封件，則存在密封件的磨損速率顯著加快的問題。
【發明內容】
[0014]本發明是為了解決如上所述的諸多問題而提出的，其目的在于提供一種如下的基板處理裝置及基板處理方法:使覆蓋腔室主體的上部的蓋體升降，從而通過腔室主體的上部而實現基板的投入和搬出，據此可以防止腔室主體的內側產生工藝氣體的渦流。
[0015]用于實現如上所述的目的之本發明的一種基板處理裝置，包括:腔室主體100，內部具有用于安置基板W的載放座400，且上部開放；蓋體200，用于開閉所述腔室主體100的開放的上部；蓋體開閉驅動部300，提供驅動力，該驅動力使所述蓋體200沿上下方向移動以開閉所述腔室主體100的上部。
[0016]所述蓋體200的邊緣底面與所述腔室主體100的上端之間可夾設有密封件。
[0017]所述蓋體開閉驅動部300 (310、320)可沿所述蓋體200的邊緣周圍配備有多個，以能夠使所述蓋體200沿上下方向移動。
[0018]所述蓋體開閉驅動部300可由空壓氣缸或油壓氣缸構成，并結合于所述蓋體200而使蓋體200升降。
[0019]所述腔室主體100的上端可具有法蘭130，并在所述法蘭130的上表面與所述蓋體200的底面之間夾設有密封件220。
[0020]所述蓋體200的底面可結合有噴灑頭500，該噴灑頭500均勻地噴灑用于處理所述基板W的工藝氣體。
[0021]本發明的一種基板處理方法，在基板處理裝置實現基板處理，該基板處理裝置包括:腔室主體100，內部具有用于安置基板W的載放座400，且上部開放；蓋體200，用于開閉所述腔室主體100的開放的上部；蓋體開閉驅動部300，提供驅動力，該驅動力使所述蓋體200沿上下方向移動以開閉所述腔室主體100的上部，其中，所述基板處理方法由如下步驟構成:步驟a，借助于所述蓋體開閉驅動部300而使所述蓋體200上升，從而開放所述腔室主體100的上部；步驟b，通過所述腔室主體100的開放的上部而將基板W安置于所述載放座400 ;步驟C，借助于所述蓋體開閉驅動部300而使所述蓋體200下降，從而覆蓋所述腔室主體100的上部；步驟d，工藝氣體流入到所述腔室主體100的內部空間，從而實現基板W的處理；步驟e，在所述基板W的處理完畢之后，借助于所述蓋體開閉驅動部300而使所述蓋體200上升，從而開放所述腔室主體100的上部，然后將所述基板W搬出到外部。
[0022]所述步驟b可由如下步驟構成:步驟b-Ι，借助于機械手臂700而使所述基板W通過所述腔室主體100的開放的上部而被置于所述載放座400的上部；步驟b-2，升降銷450上升而承接所述基板W，并在所述機械手臂700移動到所述腔室主體100的外部之后，所述升降銷450下降而將所述基板W安置于所述載放座400上。
[0023]所述步驟b可由如下步驟構成:步驟b-Ι，借助于機械手臂700而使所述基板W通過所述腔室主體100的開放的上部而被置于所述載放座400的上部；步驟b-2，升降銷450上升的同時所述機械手臂700下降而使所述基板W被中轉到所述升降銷450上，并在所述機械手臂700移動到所述腔室主體100的外部之后，所述升降銷450下降而將所述基板W安置于所述載放座400上。
[0024]根據本發明，可以防止用于執行基板處理的腔室主體的內部發生氣體渦流，從而可以提高工藝均勻度。
[0025]并且，無需在腔室主體的內壁形成用于實現基板的投入和搬出的開口部，且沒有必要在所述開口部形成用于使門扇緊貼的突出部，因此可以簡化腔室主體的制造工藝，從而可以減少制造成本。
【附圖說明】
[0026]圖1的(a)、(b)為表示現有的基板處理裝置的水平剖視圖和正面剖視圖。
[0027]圖2為表示根據本發明的基板處理裝置的正面剖視圖。
[0028]圖3為表示根據本發明的基板處理裝置的水平剖視圖。
[0029]圖4為表示根據本發明的基板處理裝置中蓋體與腔室主體之間夾設有密封件的狀態的剖視圖。
[0030]圖5為表示根據本發明的基板處理裝置中蓋體開啟的狀態的正面剖視圖。
[0031]符號說明
[0032]10、100:腔室主體11:開口部
[0033]20:門扇200:蓋體
[0034]220:密封件
[0035]30:門扇開閉驅動部300:蓋體開閉驅動部
[0036]310:第一驅動部320:第二驅動部
[0037]40、400:載放座45、450:升降銷
[0038]50、500:噴灑頭60、600:排氣口
【具體實施方式】
[0039]以下，參考附圖而對關于本發明的優選實施例的構造和作用進行詳細說明。
[0040]圖2為表示根據本發明的基板處理裝置的正面剖視圖，圖3為表示根據本發明的基板處理裝置的水平剖視圖。
[0041]本發明的具有防渦流腔室的基板處理裝置包括:腔室主體100，以圓筒形狀構成，且上部開放；蓋體200，用于開閉所述腔室主體100的開放的上部；蓋體開閉驅動部300，用于提供驅動力，該驅動力使所述蓋體200沿著上下方向移動以開閉所述腔室主體100的上部。
[0042]雖然圖示了所述腔室主體100以截面為圓形的圓筒形狀構成的示例，然而本發明并不局限于此，腔室主體100的截面也可以構成為包括四邊形的多邊形。
[0043]所述腔室主體100的上部以開放的形狀構成，于是機械手臂700可通過開放的上部而進入到腔室主體100的內部空間，從而將基板W安置于載放座400上或者將處理完畢的基板W搬出到外部。
[0044]對于現有技術而言，腔室主體10的內壁形成有開口部11，因此為了利用門扇20開閉所述開口部11而需要設置突出部12之類的構造，所以用于制造腔室主體10的制造工藝復雜，并存在制造成本上升的問題，然而對于本申請的發明而言，腔室主體100中沒有開口部11以及突出部12所對應的構造，因此制造工藝得到簡化，從而可以節省制造成本。
[0045]所述腔室主體100的內部具有用于安置基板W的載放座400。所述載放座400可具有:下部加熱器(未圖示)，用于在基板W被加熱的狀態下執行工藝。
[0046]為了使安置于所述載放座400上的基板W上升，或者為了將投入到腔室主體100內部的基板W安置于載放座400上，配備升降銷450。所述升降銷450配備為貫通所述載放座400，并在此狀態下借助于驅動部(未圖示)而沿著上下方向上升或下降，從而使基板W上升或下降。
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