流的緩慢變化。同時也可以縮短整個DTSCR器件中的二極管鏈路的開啟時間。
[0059]本實施例提供的二極管輔助觸發的可控硅器件(DTSCR)，使得阱區及阱區內的注入區的面積依次減小，保證了電流的緩慢過渡，使得每一二極管上的電流密度增加，從而縮短了二極管的開啟時間。
[0060]實施例3:
[0061 ]在實施例1的基礎上，本實施例提供的二極管輔助觸發的可控硅器件，第一 P+注入區，第一N+注入區、距所述第一P+注入區最近的第二P+注入區和距所述第一P+注入區最近的第二 N+注入區在所述P型襯底表面形成的圖形是面積相等且長邊長度相等的矩形，且所有所述矩形的中心點的連線垂直于所述長邊。
[0062]保證襯底上用于進行電荷釋放的注入區和與該注入區最近的阱區內的注入區具有相同的面積，加大了阱區內的注入區和阱區外注入區之間互相影響的區域面積，保證了第一 P+注入區和第一 N+注入區的釋放效果。
[0063]本實施例提供的二極管輔助觸發的可控硅器件，考慮保證第一P+注入區、第一N+注入區、第二 P+注入區和第二 N+注入區之間的面積相等，是為了增大阱區內的注入區和阱區外注入區之間互相影響的區域面積，保證對整個器件中的阱區面積的縮小不影響第一 P+注入區和第一 N+注入區的釋放效果。
[0064]實施例4:
[0065]在實施例3的基礎上，本實施例提供的二極管輔助觸發的可控硅器件，所述第二P+注入區和第二 N+注入區在所述P型襯底表面形成的圖形是寬邊長度相等，長邊長度沿著遠離所述第一 P+注入區的方向按照預設比例減小的矩形。
[0066]本實施例中提供的二極管輔助觸發的可控硅器件，每一個注入區為長方體。第二P+注入區和第二 N+注入區在所述P型襯底表面形成的圖形是寬邊長度相等，長邊長度沿著遠離所述第一 P+注入區的方向按照預設比例減小的矩形。預設比例可以是在考慮器件開啟時間的基礎上通過計算得到的(例如:預設比例是1/3)。合適的預設比例可以縮短器件的開啟時間。在面積的控制上只是對矩形的長邊進行控制，簡化了工藝過程，便于制造。同時，面積等比例縮小的版圖設計可以增加DTSCR器件結構在快速線性脈沖測試(VF-TLP)下的開啟時間，從而提高DTSCR結構應對CDM事件的能力。
[0067]實施例5:
[0068]在實施例4的基礎上，本實施例中的第二 P+注入區和第二 N+注入區的在所述P型襯底表面形成的圖形的中心點的連線垂直于所述長邊。
[0069]矩形的中心點，是矩形兩條對角線的交點。本實施例中，每一矩形中心點共線，且中心點的連線垂直于其長邊，保證了每一個注入區在版圖的中心位置，使得兩側的電流具有同等的傳輸條件，便于獲得較穩定的電流。另一方面，使得注入區均能與相鄰的注入區互相影響，充分利用率每一注入區。
[0070]實施例6:
[0071]在實施例4的基礎上，二極管輔助觸發的可控硅器件中的金屬互聯區是一邊長等于與其連接的第二 P+注入區的長邊長度相等的矩形。
[0072]本實施例中的金屬互聯區在保證第二N+注入區和第二 P+注入區連接的基礎上，考慮了材料的充分利用。這種矩形的設計便于制造，節省材料。
[0073]實施例7:
[0074]本實施例提供了制造以上二極管輔助觸發的可控硅器件的制造方法，包括:
[0075]S1:依次在P型襯底上形成第一P+注入區，第一N+注入區和至少兩個N阱區，在每一N阱區內，形成靠近所述第一P+注入區的第二P+注入區和遠離所述第一P+注入區的第二N+注入區；
[0076]S2:形成連接相鄰的N阱區內的第二 N+注入區和第二 P+注入區的金屬互聯區；
[0077]其中，所述第二P+注入區在所述P型襯底表面形成的圖形的面積不全相等且均不大于所述第一 P+注入區在所述P型襯底表面形成的圖形的面積；
[0078]所述第二N+注入區在所述P型襯底表面形成的圖形的面積不全相等且均不大于所述第一 N+注入區在所述P型襯底表面形成的圖形的面積。
[0079]本實施例提供的二極管輔助觸發的可控硅器件的制造方法與現有的二極管輔助觸發的可控硅器件的制造方法相比，本實施例中制造的面積相等N阱區以及N阱區內的第二P+注入區和第二 N+注入區的區域在襯底表面形成的圖形的面積不相等，且小于現有技術中的N阱區以及N阱區內的第二P+注入區和第二N+注入區的區域在襯底表面形成的圖形的面積。
[0080]實施例8:
[0081]在實施例7的基礎上，本實施例提供的二極管輔助觸發的可控硅器件的制造方法，在所述步驟SI之前還包括:形成用于制作N阱區的第一版圖和用于制作第一P+注入區，第一N+注入區、第二P+注入區和第二N+注入區的第二版圖；
[0082]其中，所述第一版圖中包括至少兩個第一矩形，所述矩形的短邊相等、長邊均平行，沿著預設的第一方向，第一版圖上的矩形長邊長度減小；
[0083]所述第二版圖中與每一所述第一矩形對應的位置內包括兩個短邊相等，長邊平行于所述第一矩形長邊的第二矩形，第二矩形的長邊長度小于與其對應的第一矩形的長邊的長度;在所述第二版圖上，從長邊長度最長的第二矩形開始，沿著預設的第二方向，還包括兩個短邊相等，長邊平行于所述第二矩形長邊的第三矩形；
[0084]其中，當所述第二版圖上第二矩形的圖形位于所述第一版圖中的第一矩形中的相應位置時，所述第一方向與所述第二方向相反。
[0085]本實施例提供了二極管輔助觸發的可控硅器件的版圖的設計方案，第一版圖可參見圖3中的虛線框，第一矩形是N阱區25沿著第一方向長邊依次減小。第一方向是在第一版圖中任意確定的一個方向。
[0086]第二版圖可以參見圖3中的實線部分，第二版圖中的圖形設計需一第一版圖中的圖形為基礎，第二版圖中的第二矩形也就是圖3中示出的N阱區25內的矩形框，這兩個矩形框分別是第二P+注入區和第二N+注入區。第二矩形伴隨這與之對應的第一矩形的長邊的減小二減小。
[0087]在第二版圖中，在長邊最長的第二矩形的旁邊有兩個第三矩形，分別用于形成第一 P+注入區和第一 N+注入區。
[0088]本實施例提供的二極管輔助觸發的可控硅器件的版圖制造方法，本實施例中用于形成注入區的矩形的邊長依次減小，便于制造同時使得形成的注入區及阱區的面積依次減小。
[0089]實施例9:
[0090]在實施例8的基礎上，本實施例中的第一版圖和第二版圖中的矩形的中心點的連線垂直于其長邊。
[0091]在所述第一版圖上，所述第一矩形的中心點的連線垂直于所述第一矩形的長邊；
[0092]在所述第二版圖中，所述第二矩形和所述第三矩形的中心點的連線垂直于所述第二矩形的長邊。
[0093]本實施中的提供的版圖中，用于形成阱區及注入區的矩形均處于居中的位置，使得制造出的二極管輔助觸發的可控硅器件具有最佳性能的一種設計方式。
[0094]實施例10:
[0095]本實施例提供了一種集成電路，包括實施例1至實施例6中任一項所述的二極管輔助觸發的可控硅器件。
[0096]實施例11:
[0097]本實施例提供了一種對比現有技術中的DTSCR器件和本發明提供的DTSCR器件對比效果的測試方法和結果。參見圖4和圖5。
[0098]圖4是現有技術中的DTSC