150°CW下，優選為120°CW下。熱壓的時間例如為I分鐘W上，優 選為3分鐘W上，并且，例如為20分鐘W下，優選為15分鐘W下。此外，壓制壓力例如為 O.lMPaW上，優選為0.3MPaW上，并且，例如為5MPaW下，優選為3MPaW下。
[0167] 而在光半導體元件封裝波長轉換片1含有郎介狀態的熱固性樹脂、不兼具熱塑性和 熱固性的情況(僅具有熱固性的情況)下，首先，使用未圖示的公知的粘合劑將郎介狀態的光 半導體元件封裝波長轉換片1貼附（粘接)于光半導體元件5和基板6。粘合劑的厚度例如為 50皿W下，優選為30皿^下，并且，例如為lOwnW上。然后，對具備光半導體元件封裝波長轉 換片1的封裝構件3W及安裝基板4進行加熱。加熱溫度例如為90°CW上，優選為105°CW上， 并且，例如為160°C W下，優選為150°C W下。加熱時間例如為10分鐘W上，優選為30分鐘W 上，并且，例如為120分鐘W下，優選為60分鐘W下。
[0168] 由此，B階狀態的封裝樹脂進行C階化(完全固化）。即，B階狀態的光半導體元件封 裝波長轉換片1進行邱介化(完全固化）。
[0169] (產物）
[0170] 在封裝樹脂含有苯基類有機娃樹脂組合物的情況下，苯基類有機娃樹脂組合物的 反應(邱介化反應）中，含鏈締基聚硅氧烷的鏈締基和/或環締基與含娃氨基聚硅氧烷的娃氨 基的娃氨加成反應進一步被促進。然后，鏈締基和/或環締基或者含娃氨基聚硅氧烷的娃氨 基消失，娃氨加成反應結束，從而可得到邱介的苯基類有機娃樹脂組合物的產物，即固化物。 即，通過娃氨加成反應的結束，在苯基類有機娃樹脂組合物中表現出固化性(具體為熱固 性)。
[0171] 上述產物W下述平均組成式(3)表示。
[0172] 平均組成式(3):
[0173] R\SiO(4-e)/2
[0174] (式中，R5表示包括苯基的、無取代或取代的碳數1~10的1價控基(但鏈締基和環 締基除外。）。6為0.5^上2.0^下。）
[0175] 作為R5所表示的無取代或取代的碳數1~10的1價控基，可例示出與式（1)的R2所表 示的無取代或取代的碳數1~10的1價控基W及式(2)的R 3所表示的無取代或取代的碳數1 ~10的1價控基相同的基團。優選列舉出無取代的1價控基，更優選列舉出碳數1~10的燒 基、碳數6~10的芳基，進一步優選列舉出苯基與甲基的組合使用。
[0176] e優選為0.7W上且1.0W下。
[0177] 接著，產物的平均組成式(3)的R5中的苯基的含有比率例如為30摩爾％ ^上，優選 為35摩爾％ ^上，并且，例如為55摩爾％ ^下，優選為50摩爾％ W下。
[0178] 在產物的平均組成式(3)的R5中的苯基的含有比率小于上述下限時，無法確保郎介 的光半導體元件封裝波長轉換片1(參見圖1A)的熱塑性，即，后述的光半導體元件封裝波長 轉換片1在80°C的剪切儲能模量G'會超出所期望的范圍，因此有時無法確實地埋設、封裝光 半導體元件5。
[0179] 而如果產物的平均組成式(3)的R5中的苯基的含有比率為上述上限W下，則能夠 防止邱介的光半導體元件封裝波長轉換片1(參見圖1A)的柔性的降低。
[0180] 產物的平均組成式（3)的R5中的苯基的含有比率是與產物的娃原子直接鍵合的1 價控基(在平均組成式(3)中R 5所表示）中的苯基濃度。
[0181] 產物的平均組成式(3)的R5中的苯基的含有比率通過Ih-醒R和29Si-NMR算出。R 5中 的苯基的含有比率的算出方法的細節記載于后述的實施例中，并且可基于例如W02011/ 125463等的記載通過Ih-NMR和 29Si-NMR算出。
[0182] 然后，如圖IB的箭頭所示，將第1剝離片2自光半導體元件封裝波長轉換片1剝離。 具體而言，將第1剝離片2自光半導體元件封裝波長轉換片1的上表面W成大致U字形彎曲的 方式剝離。
[0183] 由此，可得到具備基板6、安裝于基板6的光半導體元件5W及對光半導體元件5進 行封裝的光半導體元件封裝波長轉換片1的光半導體裝置10。優選的是，光半導體裝置10不 包含第1剝離片2,由基板6、光半導體元件5W及光半導體元件封裝波長轉換片1形成。
[0184] 接著，該光半導體裝置10從基板6的端子向光半導體元件5輸入電能，光半導體元 件5發光。如此，自光半導體元件5發出的光透過封裝樹脂，通過光擴散性有機顆粒而擴散。 此外，一部分光通過巧光體進行波長轉換。接著，通過光半導體元件封裝波長轉換片1擴散 并進行了波長轉換的光向光半導體元件封裝波長轉換片1的上方和側方(前后方向和左右 方向)放射。
[0185] (作用效果）
[0186] 接著，根據由光半導體元件封裝波長轉換組合物成型為片狀的光半導體元件封裝 波長轉換片1，封裝樹脂的折射率ne與光擴散性有機顆粒的折射率nl之差(ne-nl)的絕對值 (Ine-nl I )在特定范圍內，并且，光擴散性有機顆粒的含有比率在特定范圍內，光半導體元 件封裝波長轉換片1用于光半導體元件5的封裝，因此能夠提高自光半導體元件5發出的光 的輸出效率。
[0187] 根據該光半導體元件封裝波長轉換片1，由于光擴散性有機顆粒由有機材料形成， 因此能夠使光擴散性有機顆粒的比重接近封裝樹脂的比重。因此，在光半導體元件封裝波 長轉換組合物、進而光半導體元件封裝波長轉換片1中，能夠使光擴散性有機顆粒均勻地分 散于封裝樹脂。因此，能夠更進一步提高光的輸出效率。
[0188] 根據該光半導體元件封裝波長轉換片1，能夠將自光半導體元件5發出的光通過巧 光體進行波長轉換。因此，能夠照射高能量的光。
[0189] 此外，由于該光半導體元件封裝波長轉換片1通過將光半導體元件封裝波長轉換 組合物成型而得到，因此在確實地封裝光半導體元件5的同時，能夠提高自光半導體元件5 發出的光的輸出效率。
[0190] 進而，由于該光半導體元件封裝波長轉換片1通過將光半導體元件封裝波長轉換 組合物成型為片狀而得到，因此運輸性優異。即，即使將第1剝離片2和光半導體元件封裝波 長轉換片1都形成為沿前后方向延伸的長條狀，也能夠W卷狀緊湊地進行制造，因此運輸性 優異。進而，如果W卷狀制造具備第1剝離片2和光半導體元件封裝波長轉換片1的封裝構件 3，則可W采用漉對漉法，因此生產率優異。
[0191] 該光半導體裝置10由于具有光的輸出效率優異的光半導體元件封裝波長轉換片 1，因此發光特性優異。
[0192] [變形例]
[0193] 在變形例中，對于與上述的一個實施方式同樣的構件和工序，標W相同的附圖標 記，省略其詳細說明。
[0194]上述的一個實施方式中，作為本發明的光半導體元件封裝組合物和光半導體元件 封裝片的一個實施方式，列舉了含有巧光體的光半導體元件封裝波長轉換組合物和光半導 體元件封裝波長轉換片1進行了說明，而例如也可W制成不具有波長轉換功能的光半導體 元件封裝組合物和光半導體元件封裝片1。即，上述的一個實施方式中，將光半導體元件封 裝波長轉換片1由含有巧光體的光半導體元件封裝波長轉換組合物形成為片狀，但不限于 此，例如可W由不含巧光體的光半導體元件封裝組合物形成為片狀。
[01%]目P，光半導體元件封裝組合物含有封裝樹脂和光擴散性有機顆粒。
[0196] 此外，雖然圖IB中未示出，但在光半導體裝置10中，也可W在光半導體元件封裝片 1的上表面另外配置含有巧光體的波長轉換片。
[0197] 通過上述變形例也可W發揮與上述的一個實施方式同樣的作用效果。
[0198] 可優選列舉出如圖IB所示的含有巧光體的光半導體元件封裝波長轉換片IW及具 備光半導體元件封裝波長轉換片1的光半導體裝置10。
[0199] 根據該實施方式，不需要另外設置波長轉換片，因此可W使構成簡化，可W縮減制 造成本。
[0200] 此外，在上述的一個實施方式中，在光半導體元件封裝波長轉換片1含有郎介狀態 的熱固性樹脂的情況下，通過郎介狀態的光半導體元件封裝波長轉換片1埋設光半導體元件 5而無需使用上述粘合劑。然而，例如也可W預先W邱介狀態制備光半導體元件封裝波長轉 換片1，從而使用粘合劑貼附于光半導體元件5。
[0201] 優選通過郎介的光半導體元件封裝波長轉換片1埋設光半導體元件5。根據該實施 方式，無需使用粘合劑，因此可W使構成簡化，可W縮減制造成本。
[0202] 上述的一個實施方式如圖IB所示，通過光半導體元件封裝波長轉換片1對預先安 裝于基板6的光半導體元件5進行封裝，而例如也可W如圖2A和圖2B所示，對未安裝于基板6 (參見圖2C)而配置于第2剝離片8的光半導體元件5進行封裝。
[0203] 該光半導體裝置10的制造方法如圖2A所示，首先準備上述封裝構件3。
[0204] 此外，另外準備元件構件7。
[0205] 元件構件7具備第2剝離片8和配置于第2剝離片8的表面(上表面)的光半導體元件 5。
[0206] 第2剝離片8用于通過光半導體元件封裝波長轉換片1被覆、封裝光半導體元件5， 得到封裝光半導體元件9后，到剝離封裝光半導體元件9為止的期間保護封裝光半導體元件 9的光半導體元件5(參見圖2B)，因此W可剝離的方式貼附于封裝光半導體元件9中的光半 導體元件5的背面（圖2B中的下表面）。即，第2剝離片8是在封裝光半導體元件9的出貨?運 輸?保管時支撐光半導體元件5, W被覆光半導體元件5的背面(圖2B中的下表面)的方式層 疊于光半導體元件5的背面，在光半導體元件5即將安裝于基板6之前，如圖2B的虛線所示， 可W剝離封裝光半導體元件9的柔性薄膜。即，第2剝離片8僅由柔性薄膜形成。
[0207] 第2剝離片8由與上述第1剝離片2同樣的材料形成。此外，也可W將第2剝離片8由 通過加熱能夠容易地剝離封裝光半導體元件9的熱剝離片形成。
[0208] 如圖2A所示，接著，將封裝構件3和元件構件7W光半導體元件封裝波長轉換片1與 光半導體元件5相對的方式相對配置。
[0209] 如圖2B所示，接著，使封裝構件3接近元件構件7,通過光半導體元件封裝波長轉換 片I埋設光半導體元件5。另外，光半導體元件封裝波長轉換片I還配置于自光半導體元件5 露出的第2剝離片8的上表面。
[0210] 由此，如圖2B的實線所示，可得到具備光半導體元件封裝波長轉換片1、由光半導 體元件封裝波長轉換片1被覆并封裝的光半導體元件5、配置于光半導體元件5和光半導體 元件封裝波長轉換片1的下表面的第2剝離片8、W及配置于光半導體元件封裝波長轉換片1 的上表面的第1剝離片2的帶剝離片的封裝光半導體元件11。
[0211] 帶剝離片的封裝光半導體元件11包含封裝光半導體元件9W及第2剝離片8和第1 剝離片2,是用于制作光半導體裝置10的部件，是可作為部件單獨流通、在產業上利用的器 件。
[0212] 封裝光半導體元件9具備光半導體元件5W及對光半導體元件5進行封裝的光半導 體元件封裝波長轉換片1。具體而言，封裝光半導體元件9不包括第2剝離片8和/或第1剝離 片2,優選由光半導體元件封裝波長轉換片1和光半導體元件5形成。
[0213] 然后，將第1剝離片2自光半導體元件封裝波長轉換片1的上表面剝離。由此，得到 具備光半導體元件封裝波長轉換片1和光半導體元件5的封裝光半導體元件9。封裝光半導 體元件9不包括第1剝離片2,優選由光半導體元件封裝波長轉換片1和光半導體元件5形成。
[0214] 然后，如圖2B的箭頭所示，將封裝光半導體元件9自第2剝離片8剝離。具體而言，將 封裝光半導體元件9自第2剝離片8朝上側剝離。封裝光半導體元件9也是用于制作光半導體 裝置10的部件，是可作為部件單獨流通、在產業上利用的器件。
[0215] 接著，如圖2C所示，將封裝光半導體元件9安裝于基板6。具體而言，使封裝光半導 體元件9的光半導體元件5的端子(未圖示)與基板6的端子