組合形成。
[0100] 柵極絕緣層330可形成在界面層320上。如果不存在界面層320,則柵極絕緣層 330可形成在場絕緣層310 W及第一有源罐片F1和第二有源罐片F2上。 陽101] 柵極絕緣層330可包含高k材料。具體地，例如，柵極絕緣層330可包含從由如下 構成的組中選擇的任何一種：HfSiON、冊〇2、Zr〇2、了曰2〇5、Ti〇2、SrTi〇3、BaTi〇3和 SrTiO 3。 陽102] 柵極絕緣層330可根據期望形成的裝置的類型形成具有合適的厚度。例如，如果 柵極絕緣層330是Hf〇2,則柵極絕緣層330可形成有約50A W下的厚度（在約5義和50A 之間），但不限于此。柵極絕緣層330可沿著下面將說明的柵極間隔件360的側壁向上延 伸。 陽103] 功函數調節層340可形成在柵極絕緣層330上。功函數調節層340可形成為與柵 極絕緣層330接觸。功函數調節層340用于調節功函數。
[0104] 例如，功函數調節層340可包含金屬氮化物。具體地，功函數調節層340可包含 Mo、Pd、Ru、Pt、TiN、WN、TaN、Ir、TaC、RuN、TiAl、TaAlC、TiAlN 和 MoN 中的至少一種。更具 體地，功函數調節層340可形成為由TiN構成的單層，或者由TiN下層和TaN上層構成的雙 層，但不限于此。 陽1化]功函數調節層340也可沿著柵極間隔件360的側壁延伸到向上的方向。 陽106] 柵極金屬350可形成在功函數調節層340上。柵極金屬350可被形成為與功函數 調節層340接觸，如所示出的。也就是說，柵極金屬350可被形成為填充由功函數調節層 340產生的空間。柵極金屬350可包含諸如鶴（W)或侶（A1)的導電材料，但不限于此。
[0107] 柵極間隔件360可形成在第二柵極結構TR2的側表面的至少一側。柵極間隔件 360可包含氮化物層、氮氧化物層和低k材料中的至少一種。
[0108] 此外，雖然柵極間隔件360的一個側表面被示出為曲線，但是示例性實施例并不 僅限于該示例。因此，柵極間隔件360的形狀可變化。例如，不同于示圖，柵極間隔件360 的形狀可W是例如I形或L形。
[0109] 如附圖中所示，柵極間隔件360也可由單層形成，但不限于此。因此，柵極間隔件 150可由多個層形成。
[0110] 源極或漏極370、380可形成在第二柵極結構TR2的兩側中的至少一側，并且可形 成在第一有源罐片F1和第二有源罐片F2內。源極或漏極370、380 W及第二柵極結構TR2 可通過柵極間隔件360絕緣。 陽111] 第六金屬線M22可通過第屯柵極接觸件451電連接到驅動裝置，例如，第二柵極結 構TR2。第屯柵極接觸件451電連接切割的第二柵極結構TR2,第屯通孔結構461可形成在 第屯柵極接觸件451上，使得第屯柵極接觸件451和第六金屬線M22通過第屯通孔結構461 電連接。第六柵極接觸件450可W形成在第一有源罐片F1與第一柵極結構TR1之間的交 叉區域處的第一柵極結構TR1上。第八柵極接觸件452可W形成在第二有源罐片F2與第 Ξ柵極結構TR3之間的交叉區域處的第Ξ柵極結構TR3上。
[0112] 切割的第一柵極結構和第Ξ柵極結構TR1、TR3可通過第五金屬線M12電連接，并 且實現具有交叉禪合節點的半導體裝置。第一柵極結構TR1的部分和第Ξ柵極結構TR3 的部分可用作虛擬柵極結構，運些虛擬柵極結構可被布置為關于柵極隔離區域CR2彼此相 對。
[0113] 根據示例性實施例，半導體裝置4的第六柵極接觸件450、第屯柵極接觸件451和 第八柵極接觸件452可分別包含銅（化）或鶴（W)。此外，第六柵極接觸件450、第屯柵極接 觸件451和第八柵極接觸件452可布置在彼此相同的平面上。
[0114] 例如，第六通孔結構460、第屯通孔結構461和第八通孔結構462可由如下形成： 例如，氮化鐵（TiN)、氮化粗（TaN)、氮化鋼（MoN)、氮化妮（NbN)、鐵氮化娃（TiSiN)、氮化 鐵侶（TiAlN)、鐵棚氮化物（TiBN)、錯娃氮化物狂rSiN)、鶴娃氮化物（WSiN)、鶴棚氮化物 (WBN)、氮化錯侶狂rAlN)、鋼娃氮化物（MoSiN)、氮化鋼侶（MoAlN)、粗娃氮化物燈aSiN)、 氮化粗侶（TaAlN)、氮氧化鐵（TiON)、氮氧化鐵侶（TiAlON)、氮氧化鶴（WON)、氮氧化粗 燈aON)、鐵、鶴、鋼、粗、鐵、娃化鐵、娃化粗、石墨或它們的組合。
[0115] 此外，第六通孔結構460、第屯通孔結構461和第八通孔結構462可被布置在彼此 相同的平面上。
[0116] 圖13至圖15是被提供W說明根據再一個示例性實施例的半導體裝置的電路圖和 布局。
[0117] 圖15只示出來自圖14的布局的多個罐片和多個柵極結構。雖然根據上面說明的 一個或更多個示例性實施例的半導體裝置可被應用于由使用罐片型晶體管的普通邏輯裝 置構成的所有的裝置，但是圖13至圖15具體地舉例說明了 SRAM。
[0118] 首先參照圖13,根據再一個示例性實施例的半導體裝置可包括在電源節點Vcc和 接地節點Vss之間并聯連接的一對反相器INV1、INV2, W及與相應的反相器INV1、INV2的 輸出節點連接的第一傳輸晶體管（pass transistor) PS1和第二傳輸晶體管PS2。
[0119] 第一傳輸晶體管PS1和第二傳輸晶體管PS2可分別連接到位線化和互補位線/ BL。第一傳輸晶體管PS1和第二傳輸晶體管PS2的柵極可連接到字線WL。
[0120] 第一反相器INV1包括彼此串聯連接的第一上拉晶體管PU1和第一下拉晶體管 PD1，第二反相器INV2包括彼此串聯連接的第二上拉晶體管PU2和第二下拉晶體管PD2。
[0121] 第一上拉晶體管PU1和第二上拉晶體管PU2可W是PM0S晶體管，第一下拉晶體管 PD1和第二下拉晶體管PD2可W是NM0S晶體管。 陽122] 此外，在第一反相器INV1的輸入節點與第二反相器INV2的輸出節點連接，并且第 二反相器INV2的輸入節點與第一反相器INV1的輸出節點連接時，第一反相器INV1和第二 反相器INV2可構建成一個鎖存電路。
[0123] 參照圖13至15,彼此分隔開的第一有源罐片FI、第二有源罐片F2、第Ξ有源罐片 F3和第四有源罐片F4可在一個方向（例如，圖12中的垂直方向）上延長。
[0124] 此外，第一柵極結構351、第二柵極結構352、第Ξ柵極結構353和第四柵極結構 354可在另一個方向（例如，圖12中的水平方向）上和在與第一有源罐片至第四有源罐片 (F1~F4)交叉的方向上延長。
[01巧]具體地，第一柵極結構351可運樣被構造為完全橫跨第一有源罐片F1和第二有源 罐片F2,并且與第Ξ有源罐片F3的末端的一部分重疊。第Ξ柵極結構353可運樣被構造為 完全橫跨第四有源罐片F4和第Ξ有源罐片F3,并且與第二有源罐片F2的末端的一部分重 疊。第二柵極結構352和第四柵極結構354可均分別被形成為橫跨第一有源罐片F1和第 四有源罐片F4。
[01%] 如圖14的半導體裝置302中所示，第一上拉晶體管PU1被限定在第一柵極結構 351和第二有源罐片F2之間的交叉區域的周邊中，第一下拉晶體管PD1被限定在第一柵極 結構351和第一有源罐片F1之間的交叉區域的周邊中，第一傳輸晶體管PS1被限定在第二 柵極結構352和第一有源罐片F1之間的交叉區域的周邊中。
[0127] 第二上拉晶體管PU2被限定在第Ξ柵極結構353和第Ξ有源罐片F3之間的交叉 區域的周邊中，第二下拉晶體管PD2被限定在第Ξ柵極結構353和第四有源罐片F4之間的 交叉區域的周邊中，第二傳輸晶體管PS2被限定在第四柵極結構354和第四有源罐片F4之 間的交叉區域的周邊中。
[0128] 雖然未具體地示出，但是可在第一柵極結構至第四柵極結構351~354與第一有 源罐片至第四有源罐片F1~F4之間的交叉區域的兩側上形成凹部，源極區域或漏極區域 可形成在凹部中，在所述凹部中形成有多個接觸件361。
[0129] 而且，共享的接觸件362同時連接第二有源罐片F2、第Ξ柵極結構353和線371。 共享的接觸件363同時連接第Ξ有源罐片F3、第一柵極結構351和線372。
[0130] 例如，根據上面說明的示例性實施例的半導體裝置可用作第一上拉晶體管PU1、第 一下拉晶體管PD1、第一傳輸晶體管PS1、第二上拉晶體管PU2、第二下拉晶體管PD2和第二 傳輸晶體管PS2。 陽131] 下面將說明包括根據一個或更多個示例性實施例的半導體裝置的電子系統。
[0132]圖16是被提供W說明包括根據一個或更多個示例性實施例的半導體裝置的電子 系統的整體框圖。 陽133] 參照圖16,電子系統可包括控制器610、接口 620、輸入/輸出（I/O)裝置630、存 儲器裝置640、電源650和總線660。
[0134] 控制器610、接口 620、I/O裝置630、存儲器裝置640和電源650可通過總線660 相互連接。總線660對應于數據行進的路徑。
[0135] 控制器610可包括能夠執行與上面舉例說明的功能類似的功能的微處理器、微控 制器或邏輯裝置中的至少一個，W處理數據。
[0136] 接口 620可執行將數據發送到通信網絡或者從通信網絡接收數據的功能。接口 620可W是有線或無線的形式。例如，接口 620可包括天線或者有線/無線收發器。 陽137]