片上系統的制作方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年10月1日提交的臨時申請第62/058291號的權益并要求于 2015年4月22日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2015-0056266號的優先權， 運兩個申請的公開內容通過引用全部合并于此。
技術領域
[0002] 示例性實施例設及一種片上系統（SoC)，更具體地，設及包括柵極接觸結構的 SoC。
【背景技術】
[0003] 作為縮放技術之一，已經提出了多柵極晶體管，W提高半導體裝置的密度，其中， 在基底上形成W罐片或納米線形式的多溝道有源圖案（或娃體），然后，在多溝道有源圖案 表面上形成柵極。
[0004] 因為多柵極晶體管使用Ξ維溝道，所W便于縮放。此外，可在不必增大多柵極晶體 管的柵極的長度的情況下增強電流控制能力。而且，能夠有效地控制其中溝道區域中的電 勢受漏極電壓的影響的短溝道效應（SCE)。
【發明內容】
陽0化]一個或更多個示例性實施例提供一種使用柵極接觸結構的具有3-接觸多間距 (3CP巧交叉禪合節點的片上系統（SoC)。
[0006] 由示例性實施例所解決的目的可能不限于上述的那些，因此，基于下面提供的描 述，本領域的技術人員將會清楚地理解本文中未提及的其他目的。
[0007] 根據示例性實施例的方面，提供一種片上系統（SoC)，該片上系統包括：第一柵極 線、第二柵極線和第Ξ柵極線，沿第一方向延伸；柵極隔離區域，切割第一柵極線、第二柵極 線和第Ξ柵極線，并且沿橫跨第一方向的第二方向延伸；第一柵極接觸件，形成在布置于第 一柵極線和第Ξ柵極線之間的第二柵極線上，并且電連接切割的第二柵極線；第二柵極接 觸件，形成在第一柵極線上；第Ξ柵極接觸件，形成在第Ξ柵極線上；第一金屬線，電連接 第二柵極接觸件和第Ξ柵極接觸件；W及第二金屬線，電連接到第一柵極接觸件。
[0008] 根據另一個示例性實施例的方面，提供一種片上系統（SoC)，該片上系統包括：第 一有源罐片（active fin)和第二有源罐片，沿第一方向延伸并且在橫跨第一方向的第二方 向上彼此分隔開；第一柵極線、第二柵極線和第Ξ柵極線，在第一有源罐片和第二有源罐片 上沿第二方向延伸；柵極隔離區域，在第一有源罐片和第二有源罐片之間沿第一方向延伸， 柵極隔離區域切割第一柵極線、第二柵極線和第Ξ柵極線；第一柵極接觸件，在布置于第 一柵極線和第Ξ柵極線之間的第二柵極線上沿第二方向延伸，并且電連接切割的第二柵極 線；第二柵極接觸件，在第一有源罐片與第一柵極線之間的交叉區域處形成在第一柵極線 上；第Ξ柵極接觸件，在第二有源罐片與第Ξ柵極線之間的交叉區域處形成在第Ξ柵極線 上；第一金屬線，電連接第二柵極接觸件和第Ξ柵極接觸件；W及第二金屬線，電連接到第 一柵極接觸件。
[0009] 根據另一個示例性實施例的方面，提供一種片上系統（SoC)，該片上系統包括：第 一柵極線和第二柵極線，沿第一方向延伸；柵極隔離區域，切割第一柵極線和第二柵極線， 并且沿橫跨第一方向的第二方向延伸；第一柵極接觸件，形成在切割的第一柵極線上并電 連接切割的第一柵極線；第二柵極接觸件，形成在第二柵極線上；第一通孔結構，形成在第 一柵極接觸件上；第二通孔結構，形成在第二柵極接觸件上；W及金屬線，連接第一通孔結 構和第二通孔結構，并且電連接第一柵極接觸件和第二柵極接觸件。
[0010] 根據另一個示例性實施例的方面，提供一種片上系統（SoC)，該片上系統包括：第 一柵極線、第二柵極線和第Ξ柵極線，沿第一方向延伸；柵極隔離區域，切割第一柵極線、第 二柵極線和第Ξ柵極線，并且沿橫跨第一方向的第二方向延伸；第一柵極接觸件，形成在布 置于第一柵極線和第Ξ柵極線之間的第二柵極線上，并且電連接切割的第二柵極線；W及 第二金屬線，電連接到第一柵極接觸件。
【附圖說明】
[0011] 圖1是框圖，圖2是電路圖，均示出了包括根據示例性實施例的半導體裝置的非易 失性存儲器裝置；
[0012] 圖3是被提供W說明根據示例性實施例的半導體裝置的布局；
[001引圖4是在圖3的線A1-A2上截取的橫截面；
[0014] 圖5是在圖3的線B1-B2上截取的橫截面；
[0015] 圖6是被提供W說明根據另一個示例性實施例的半導體裝置的橫截面；
[0016] 圖7是被提供W說明根據另一個示例性實施例的半導體裝置的布局；
[0017] 圖8是在圖7的線A3-A4上截取的橫截面；
[0018] 圖9是被提供W說明根據一個或更多個示例性實施例的半導體裝置的效果的曲 線圖；
[0019] 圖10是被提供W說明根據又一個示例性實施例的半導體裝置的透視圖；
[0020] 圖11是在圖10的線A5-A6上截取的橫截面；
[0021] 圖12是在圖10的線B5-B6上截取的橫截面；
[0022] 圖13至15是被提供W說明根據再一個示例性實施例的半導體裝置的電路圖和布 局；化及
[0023] 圖16是被提供W說明包括根據一個或更多個示例性實施例的半導體裝置的電子 系統的整體框圖。
【具體實施方式】
[0024] 現將在下文中參照附圖更全面地描述示例性實施例。但是，示例性實施例可 不同的形式實施，并且不應當被解釋為局限于本文中陳述的示例性實施例。確切地說，運些 示例性實施例被提供，使得本公開將是徹底的和完整的，并且將向本領域技術人員全面地 傳達發明構思的范圍。在整個說明書中相同的附圖標記指相同的組件。在附圖中，為了清 楚起見，層和區域的厚度被夸大了。
[00巧]還將理解，當層被提及在另一層或基底"上"時，它可W直接在該另一層或基底上， 或者也可w存在中間層。與此形成對照的是，當元件被提到"直接"在與另一個元件"上" 時，不存在中間元件。
[00%] 為了容易描述，在本文中可使用諸如"在……之下"、"在……下面"、"下部的"、 "在……上方"、"上部的"等空間相對術語來描述如附圖中示出的一個元件或特征與另一個 (另一些）元件或特征的關系。將理解，除了圖中繪出的取向W外，空間相對術語還意圖涵 蓋裝置在使用或操作中的不同的方向。例如，如果圖中的裝置被翻轉，那么被描述為在其它 元件或特征的"下面"或"之下"的元件將會被定向為在其它的元件或特征"上面"。因此， 示例性術語"在……下面"可涵蓋"上面"和"下面"的兩種方向。裝置可W被另外定向（旋 轉90度或者在其他方位），并且相應地，解釋本文中使用的空間相對描述符。
[0027] 除非本文中另有說明或者與上下文明顯矛盾，否則在描述示例性實施例的情況下 (尤其在權利要求的情況下）術語"一"、"一個"和"該"及類似指代的使用將被解釋為涵蓋 單數和復數。除非另有說明，否則術語"包括"、"具有"、"包含"和"含有"將被解釋為開放 式術語（即，意思是"包括，但不限于"）。
[0028] 除非另有定義，否則本文中使用的所有的技術術語和科學術語具有與示例性實施 例所屬的技術領域的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。請注意，除非另有規定， 否則使用本文中提供的任何和所有的示例或示例性術語僅僅是為了更好地說明示例性實 施例，并不限于示例性實施例的范圍。此外，除非另有定義，否則在通常使用的詞典中定義 的所有術語可W不被過度地解釋。
[0029] 將參照透視圖、橫截面圖和/或平面圖來描述示例性實施例。因此，示例性視圖的 輪廓可根據制造技術和/或允許公差（allowance)修改。也就是說，示例性實施例不意圖 限制范圍，而覆蓋由于制造工藝的變化而可導致的所有的變化和修改。因此，附圖中示出的 區域W示意性的形式示出，并且，區域的形狀僅僅W示出而非限制的方式被呈示。
[0030] 圖1是框圖，圖2是電路圖，均示出了包括根據示例性實施例的半導體裝置的非易 失性存儲器裝置。為了方便說明，運里將舉例說明16個存儲器組，但是示例性實施例并不 限于此。此外，為了方便說明，在圖2中，將主要示出與第一存儲器塊BLK0有關的區域。
[0031] 首先參照圖1，包括根據示例性實施例的半導體裝置的非易失性存儲器裝置包括 多個存儲器組（1〇_1~1〇_16)、多個讀出放大器和寫入驅動器（20_1~20_8) W及外圍電 路區域30。
[0032] 多個存儲器組（10_1~10_16)可均包括多個存儲器塊度LK0~BLK7)，存儲器塊 中的每一個包括按矩陣布置的多個存儲器單元。參照圖1，舉例說明了 W 8X8布置的存儲 器塊，不過，示例性實施例并不限于此。
[0033] 此外，行解碼器和列解碼器可被布置為分別指定用于與存儲器組（10_1~10_16) 對應地寫入/讀取的非易失性存儲器單元的行和列。 W34] 與兩個存儲器組（1〇_1~1〇_16)對應地布置的讀出放大器和寫入驅動器 (20_1~20_8)對對應的存儲器組執行讀取和寫入操作。如圖1中所示，讀出放大器和寫入 驅動器（20_1~20_8)可對應于兩個存儲器組（10_1~10_16)，但是，示例性實施例并不限 于此。也就是說，讀出放大器和寫入驅動器（20_1~20_8)也可被布置為與一個或四個存 儲器組對應。
[0035] 多個邏輯電路和電壓發生器被布置在外圍電路區域30中，W操作行解碼器、列解 碼器、讀出放大器或寫入驅動器。
[0036] 參照圖2,包括根據示例性實施例的半導體裝置的非易失性存儲器裝置的存儲器 塊BLK0包括多個存儲器單元Cp、