所示的的切削裝置7來實施該切削工序。圖5所示的切削裝置7具有:作為被加工物保持構(gòu)件的卡盤工作臺71，其保持被加工物；切削構(gòu)件72，其對保持在該卡盤工作臺71上的被加工物進(jìn)行切削；以及攝像構(gòu)件73，其對保持在卡盤工作臺71上的被加工物進(jìn)行攝像。卡盤工作臺71構(gòu)成為對被加工物進(jìn)行吸引保持，通過未圖示的加工進(jìn)給構(gòu)件沿著在圖5中以箭頭X表示的加工進(jìn)給方向(X軸方向)移動，并且，通過未圖示的分度進(jìn)給構(gòu)件沿著以箭頭Y表示的分度進(jìn)給方向(Y軸方向)移動。
[0026]上述切削構(gòu)件72包含:主軸外殼721，其實質(zhì)上配置為水平；旋轉(zhuǎn)主軸722，其被該主軸外殼721支承成能夠旋轉(zhuǎn)自如；以及切削刀具723，其安裝在該旋轉(zhuǎn)主軸722的末端部，旋轉(zhuǎn)主軸722通過配設(shè)在主軸外殼721內(nèi)的未圖示的伺服電機，沿箭頭723a所示的方向上旋轉(zhuǎn)。切削刀具723由圓盤狀的基座724和環(huán)狀的切削刃725構(gòu)成，其中，基座724由鋁等的金屬材料形成，切削刃725安裝在該基座724的側(cè)面外周部。環(huán)狀的切削刃725由通過鍍鎳將粒徑為3?4 μπι的金剛石磨粒固定在基座724的側(cè)面外周部而成的電鑄刀片構(gòu)成，環(huán)狀的切削刃725在本實施方式中形成為30 μπι的厚度和50mm的外徑。
[0027]上述攝像構(gòu)件73安裝在主軸外殼721的末端部，且具有:照明構(gòu)件，其對被加工物進(jìn)行照明；光學(xué)系統(tǒng)，其捕捉被該照明構(gòu)件照明的區(qū)域；以及攝像元件(CCD)等，其對通過該光學(xué)系統(tǒng)捕捉到的像進(jìn)行攝像，攝像構(gòu)件73將拍攝到的圖像信號發(fā)送給未圖示的控制單元。
[0028]為了使用上述的切削裝置7實施切削工序，如圖5所示，將粘貼有實施了上述紫外線照射工序的半導(dǎo)體晶片2的切割帶5側(cè)載置在卡盤工作臺71上。然后，使未圖示的吸引構(gòu)件工作，由此，經(jīng)由切割帶5將半導(dǎo)體晶片2吸引保持在卡盤工作臺71上(晶片保持工序)。因此，在保持在卡盤工作臺71上的半導(dǎo)體晶片2的正面2a成為上側(cè)。此外，在圖5中省略了安裝有切割帶5的環(huán)狀框架4，但環(huán)狀框架4由配設(shè)在卡盤工作臺71上的適當(dāng)?shù)目蚣鼙３謽?gòu)件保持。這樣，吸引保持有半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺71通過未圖示的加工進(jìn)給構(gòu)件被定位于攝像構(gòu)件73的正下方。
[0029]當(dāng)如上述那樣將吸引保持有半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺71定位于攝像構(gòu)件73的正下方后，實施校準(zhǔn)工序，在該校準(zhǔn)工序中，通過攝像構(gòu)件73和未圖示的控制單元來檢測半導(dǎo)體晶片2的待切削區(qū)域。S卩，攝像構(gòu)件73和未圖示的控制單元執(zhí)行圖案匹配等圖像處理，從而完成切削加工位置的校準(zhǔn)，所述圖像處理用于使沿半導(dǎo)體晶片2的規(guī)定的方向形成的分割預(yù)定線21、和沿該分割預(yù)定線21進(jìn)行切削加工的切削刀具723的位置校準(zhǔn)。并且，對于形成在半導(dǎo)體晶片2上的、沿著與上述分割預(yù)定線21垂直的方向延伸的分割預(yù)定線21，也相同地完成切削加工位置的校準(zhǔn)。
[0030]在如以上那樣對保持在卡盤工作臺71上的半導(dǎo)體晶片2的分割預(yù)定線21進(jìn)行檢測并進(jìn)行切削區(qū)域的校準(zhǔn)后，使保持有半導(dǎo)體晶片2的卡盤工作臺71移動到切削區(qū)域的切削開始位置。此時，如圖6的(a)所示，以下述方式定位半導(dǎo)體晶片2:待切割的分割預(yù)定線21的一端(在圖6的(a)中為左端)位于比切削刀具723的正下方靠右側(cè)規(guī)定的量的位置。
[0031]在像這樣將保持在切削裝置7的卡盤工作臺71上的半導(dǎo)體晶片2定位于切削加工區(qū)域的切削開始位置后，使切削刀具723從在圖6的(a)中以雙點劃線表示的待機位置如箭頭Z1所示那樣向下方切入而進(jìn)給，并如圖6的(a)中的實線所示那樣定位在規(guī)定的切入進(jìn)給位置上。該切入進(jìn)給位置如圖6的(c)所示那樣被設(shè)置為使切削刀具723的環(huán)狀的切削刃725切入切割帶5的硬化后的粘接層52的位置、并且是未到達(dá)帶基材51的位置，在所述切割帶5上粘貼有安裝在半導(dǎo)體晶片2的背面的粘接膜3。
[0032]接著，使切削刀具723沿著圖6的(a)中的箭頭723a所示的方向以規(guī)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，并使卡盤工作臺71沿圖6的(a)中的箭頭XI所示的方向以規(guī)定的切削進(jìn)給速度移動。而且，當(dāng)卡盤工作臺71達(dá)到下述這樣的情況后使卡盤工作臺71停止移動:如圖6的(b)所示，分割預(yù)定線21的另一端(在圖6的(b)中為右端)位于比切削刀具723的正下方靠左側(cè)規(guī)定的量的位置。通過這樣對卡盤工作臺71進(jìn)行切削進(jìn)給，如圖6的(d)所示，半導(dǎo)體晶片2和粘接膜3通過沿著分割預(yù)定線21形成的切削槽23被切斷(切削工序)。
[0033]接著，如在圖6的(b)中用箭頭Z2所示那樣使切削刀具723上升并定位在以雙點劃線表示的待機位置處，使卡盤工作臺71沿圖6的(b)中的箭頭X2所示的方向移動并返回到圖6的(a)所示的位置。然后，使卡盤工作臺71沿著與紙面垂直的方向(分度進(jìn)給方向)以與分割預(yù)定線21的間隔相當(dāng)?shù)牧窟M(jìn)行分度進(jìn)給，將接下來待切割的分割預(yù)定線21定位在與切削刀具723對應(yīng)的位置處。在像這樣將接下來待切割的分割預(yù)定線21定位在與切削刀具723對應(yīng)的位置后，實施上述的切削工序。這樣，沿著在規(guī)定的方向上形成的所有分割預(yù)定線21對半導(dǎo)體晶片2實施上述的切削工序。
[0034]此外，在例如以下的加工條件下進(jìn)行上述切削工序。
[0035]切削刀具:外徑50mm，厚度30 μ m
[0036]切削刀具的轉(zhuǎn)速:20000rpm
[0037]切削進(jìn)給速度:50mm/秒
[0038]在沿著在第一方向上形成于半導(dǎo)體晶片2的所有分割預(yù)定線21實施了上述切削工序后，使卡盤工作臺71轉(zhuǎn)動90度，沿著在與上述第一方向垂直的方向上形成的分割預(yù)定線21實施上述的切削工序。其結(jié)果為，半導(dǎo)體晶片2沿著分割預(yù)定線21被切斷，如圖7所示那樣被分割成在背面安裝有粘接膜3的一個個器件22。
[0039]另外，在上述的切削工序中，由于切削刀具723的環(huán)狀的切削刃725被定位在切入到切割帶5的硬化后的粘接層52中的位置，在該切割帶5上粘貼有安裝在半導(dǎo)體晶片2的背面的粘接膜3，因此，切削刀具723的環(huán)狀的切削刃725被硬化的粘接層52支承，抖動被抑制，從而不會在器件上產(chǎn)生缺口。
[0040]并且，在上述的切削工序中，切削刀具723的環(huán)狀的切削刃725被定位在切入到硬化后的粘接層52中的位置，并且被定位在切削刃725的外周緣未到達(dá)切割帶5的帶基材51的位置，因此，沒有切削帶基材51，從而不產(chǎn)生毛刺，能夠防止引起斷線這樣的問題于未然。
【主權(quán)項】
1.一種晶片的加工方法，其是沿著分割預(yù)定線將晶片分割成一個個器件并在各器件的背面安裝芯片粘接用的粘接膜的加工方法，在所述晶片的正面上呈格子狀形成有多條所述分割預(yù)定線，并且在由該多條分割預(yù)定線劃分出的多個區(qū)域內(nèi)分別形成有所述器件，其特征在于， 所述晶片的加工方法包含: 晶片支承工序，將粘接膜安裝于晶片的背面，并將粘接膜側(cè)粘貼于切割帶的粘接層上，所述切割帶是在帶基材上鋪設(shè)所述粘接層而成的，所述粘接層通過照射紫外線而硬化；紫外線照射工序，對該切割帶照射紫外線而使該粘接層硬化；以及切削工序，使在外周具有切削刃的切削刀具旋轉(zhuǎn)，沿著分割預(yù)定線將晶片和粘接膜一起切斷，由此分割成一個個器件， 在該切削工序中，使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接層中。
【專利摘要】本發(fā)明提供晶片的加工方法，其是沿分割預(yù)定線將晶片分割成一個個器件并在各器件的背面安裝芯片粘接用的粘接膜的加工方法，在晶片的正面上呈格子狀形成有多條分割預(yù)定線，并且在由多條分割預(yù)定線劃分出的多個區(qū)域內(nèi)分別形成有器件，其中，晶片的加工方法包含：晶片支承工序，將粘接膜安裝于晶片的背面，并將粘接膜側(cè)粘貼于切割帶的粘接層上，切割帶是在帶基材上鋪設(shè)粘接層而成的，粘接層通過照射紫外線而硬化；紫外線照射工序，對切割帶照射紫外線而使粘接層硬化；以及切削工序，使在外周具有切削刃的切削刀具旋轉(zhuǎn)，沿著分割預(yù)定線將晶片和粘接膜一起切斷，由此分割成一個個器件，在切削工序中，使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接層中。
【IPC分類】H01L21/78, H01L21/683
【公開號】CN105448827
【申請?zhí)枴緾N201510593650
【發(fā)明人】中村勝
【申請人】株式會社迪思科
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年9月17日
【公告號】US20160086853