晶片的加工方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種晶片的加工方法，該晶片的加工方法是沿著分割預定線將晶片分割成一個個器件并在各器件的背面安裝芯片粘接用的粘接膜的方法，所述晶片在由呈格子狀形成于正面的多條分割預定線劃分出的多個區域內分別形成有器件。
【背景技術】
[0002]例如，在半導體器件制造工藝中，使IC、LSI等器件形成在由呈格子狀形成于大致圓板形狀的半導體晶片的正面的多條分割預定線劃分出的多個區域內。在像這樣于正面形成有器件的半導體晶片的背面，安裝有由聚酰亞胺類樹脂、環氧類樹脂、丙烯酸類樹脂等形成的厚度為5?150 μ m的被稱作粘片膜(DAF)的芯片粘接用的粘接膜，通過沿著分割預定線將晶片和粘接膜一起切斷而將晶片分割成一個個器件(例如，參照專利文獻1)。
[0003]在上述的半導體晶片的分割中，一般使用切削裝置，該切削裝置利用具有厚度為20?30 μ m左右的切削刃的切削刀具，沿著分割預定線對半導體晶片和粘接膜一起進行切肖IJ。為了利用切削裝置沿著分割預定線對半導體晶片和粘接膜一起進行切削，以將粘接膜側粘貼在安裝于環狀框架的切割帶的表面上的狀態，將晶片保持在卡盤工作臺上，通過切削刀具沿著分割預定線對晶片和粘接膜一起進行切削，但是，有時切削刀具的切削刃因為粘接膜的彈性而產生抖動。如果切削刀具的切削刃抖動，則會在被分割成一個個的器件的側面上產生缺口，從而存在器件的抗彎強度及質量下降的問題。
[0004]為了解決上述的問題，通過將切削刀具定位在使切削刀具的切削刃的外周緣稍微切入切割帶的基材的位置，由此將切削刃支承于切割帶。
[0005]專利文獻1:日本特開2009-28810號公報
[0006]然而，如果將將切削刀具定位在使切削刀具的切削刃的外周緣稍微切入切割帶的位置來進行切削，則存在如下問題:由于切割帶的基材被切削，因此基材的毛刺附著在粘接膜上，在將器件粘接在配線基板上時，基材的毛刺成為引起斷線的原因。
【發明內容】
[0007]本發明是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術課題在于提供一種晶片的加工方法，其中，在將安裝于晶片背面的芯片粘接用的粘接膜側粘貼在切割帶的正面的狀態下，利用切削刀具沿著分割預定線對粘接膜和晶片一起進行切削時，切削刀具的切削刃不會發生抖動，并且不產生切割帶的基材的毛刺。
[0008]為了解決上述的主要技術課題，根據本發明，提供一種晶片的加工方法，其是沿著分割預定線將晶片分割成一個個器件并在各器件的背面安裝芯片粘接用的粘接膜的加工方法，在所述晶片的正面上呈格子狀形成有多條所述分割預定線，并且在由該多條分割預定線劃分出的多個區域內分別形成有所述器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包含:晶片支承工序，將粘接膜安裝于晶片的背面，并將粘接膜側粘貼于切割帶的粘接層上，所述切割帶是在帶基材上鋪設所述粘接層而成的，所述粘接層通過照射紫外線而硬化；紫外線照射工序，對該切割帶照射紫外線而使該粘接層硬化；以及切削工序，使在外周具有切削刃的切削刀具旋轉，沿著分割預定線將晶片和粘接膜一起切斷，由此分割成一個個器件，在該切削工序中，使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接層中。
[0009]根據本發明的晶片的加工方法，由于在切削工序中使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接層中，因此切削刀具的切削刃被硬化的粘接層支承，抖動被抑制，因此不會在器件上產生缺口。
[0010]并且，在切削工序中，由于切削刀具的環狀的切削刃切入到硬化后的粘接層中且未到達帶基材，因此沒有切削帶基材，從而不會產生毛刺，能夠防止引起斷線這樣的問題于未然。
【附圖說明】
[0011]圖1是半導體晶片的立體圖。
[0012]圖2是示出晶片支承工序的第一實施方式的說明圖。
[0013]圖3是示出晶片支承工序的第二實施方式的說明圖。
[0014]圖4是不出紫外線照射工序的說明圖。
[0015]圖5是用于實施切削工序的切削裝置的主要部分的立體圖。
[0016]圖6是示出切削工序的說明圖。
[0017]圖7是分割半導體晶片所得到的器件的立體圖。
[0018]標號說明
[0019]2:半導體晶片；21:分割預定線；22:器件；23:切削槽；3:粘接膜；4:環狀框架；5:切割帶；51:帶基材；52:粘接層；6:紫外線照射器；7:切削裝置；71:切削裝置的卡盤工作臺；72:切削構件；723:切削刀具；725:環狀的切削刃。
【具體實施方式】
[0020]以下，參照附圖對本發明的晶片的加工方法的優選實施方式詳細地進行說明。
[0021]在圖1中示出了半導體晶片2的立體圖。圖1中示出的半導體晶片2例如由厚度為200 μ m的硅晶片構成，多條分割預定線21呈格子狀形成在正面2a上。而且，在半導體晶片2的正面2a上，在由形成為格子狀的多條分割預定線21劃分出的多個區域內形成有IC,LSI等的器件22。以下，對沿著分割預定線21將該半導體晶片2分割成一個個器件22并且在各器件22的背面安裝芯片粘接用的粘接膜的晶片的加工方法進行說明
[0022]首先，實施晶片支承工序，在該晶片支承工序中，將粘接膜安裝于晶片的背面，并將粘接膜側粘貼于切割帶上，所述切割帶是在帶基材上鋪設粘接層而成的，所述粘接層通過照射紫外線而硬化。在該晶片支承工序的第一實施方式中，如圖2的(a)和(b)所示，在半導體晶片2的背面2b安裝芯片粘接用的粘接膜3。此外，粘接膜3由厚度為100 μ m的環氧類或者丙烯酸類樹脂膜構成。在這樣將粘接膜3安裝在半導體晶片2的背面2b上后，如圖2的(c)所示，將安裝有粘接膜3的半導體晶片2的粘接膜3側粘貼在切割帶5上，該切割帶5被安裝于環狀框架4。此外，如圖2的(d)所示，關于切割帶5，在由厚度為70 μπι的聚烯烴構成的帶基材51的表面上，鋪設有通過照射紫外線而硬化的粘接層52。安裝于半導體晶片2的背面2b的粘接膜3被粘貼在該粘接層52的表面上。此外，在本實施方式中，粘接層52由丙烯酸類樹脂形成，厚度形成為30 μπι。在上述的圖2的(a)至(d)中所示的實施方式中，示出了將安裝有粘接膜3的半導體晶片2的粘接膜3側粘貼在安裝于環狀框架4的切割帶5上的例子，但也可以是:將切割帶5粘貼在安裝有粘接膜3的半導體晶片2的粘接膜3側，并同時將切割帶5的外周部安裝于環狀框架4。
[0023]參照圖3對上述的晶片支承工序的第二實施方式進行說明。在圖3所示的實施方式中，使用在切割帶5的表面預先粘貼有粘接膜3的帶粘接膜的切割帶。此外，在切割帶5中，如圖3的(c)所示，在由厚度為70 μπι的聚烯烴構成的帶基材51的表面上，鋪設有通過照射紫外線而硬化的由丙烯酸類樹脂構成的厚度為30 μπι的粘接層52。在這樣構成的切割帶5的粘接層52的表面上粘貼有粘接膜3。在第二實施方式中的晶片支承工序中，將半導體晶片2的背面2b安裝在粘接膜3上，該粘接膜3粘貼在切割帶5的表面上，該切割帶5如圖3的(a)、(b)那樣以覆蓋環狀框架4的內側開口部的方式安裝外周部。在像這樣使用帶粘接膜的切割帶的情況下，通過將半導體晶片2的背面2b安裝在粘貼于切割帶5的表面的粘接膜3上，從而利用安裝在環狀框架4上的切割帶5對安裝有粘接膜3的半導體晶片2進行支承。此外，在圖3的(a)、(b)所示的實施方式中，示出了將半導體晶片2的背面2b安裝在粘貼于切割帶5的表面的粘接膜3上的例子，該切割帶5的外周部被安裝在環狀框架4上，但也可以是:將粘貼在切割帶5上的粘接膜3安裝于半導體晶片2的背面2b，并同時將切割帶5的外周部安裝于環狀框架4。
[0024]在實施了上述的晶片支承工序后，實施紫外線照射工序，在該紫外線照射工序中，向切割帶5照射紫外線而使粘接層52硬化。S卩，如圖4所示，利用紫外線照射器6從安裝在環狀框架4上的切割帶5的背面側照射紫外線。此外，對于照射的紫外線，可以以100mW/cm2的輸出照射2秒左右。其結果為，切割帶5的鋪設在帶基材51的表面上的粘接層52 (參照圖2的(d)和圖3的(c))硬化。
[0025]接著，實施切削工序，在該切削工序中，使在外周具有切削刃的切削刀具旋轉，沿著分割預定線21將半導體晶片2和粘接膜3 —起切斷，由此將晶片分割成一個個器件。使用圖