藝的硅片數量。通過事件報告和理論計算，確定一個MES端需要和未完成工藝的硅片數量比較的數值。未完成工藝硅片數量大于規定數量時，硅片可以錄入檢查即任務可以生成，繼續進行成膜工藝；未完成工藝硅片數量小于或者等于規定數量時，MES取消(canceal)硅片錄入檢查，即任務不能生成。
[0036]MES在設備端生成新任務(第二個任務)時，工藝腔體正在執行的(或將會執行的)前一個任務的最后一個制法程序結束前，生成的新任務內的硅片有足夠的時間準備好傳送至工藝腔體，避免了工藝腔體的等待過長，第二個任務的前幾片硅片的成膜厚度不會因為等待而減少，提高了硅片和硅片之間的成膜厚度穩定性。
[0037]圖5為本發明硅片傳送增加檢查項目的流程圖，如圖5所示，硅片到達設備端后，MES在完成原定的檢查項目并且符合條件之后，如果設備端之前有任務存在，增加一個未完成工藝硅片數量和設定數量大小的判斷項目，當設備端沒有任務存在的時候硅片傳送進入設備，進行其余流程。
[0038]MES端數據收集及處理:MES在每個任務時收集任務內需要成膜的硅片數量，設備端的事件編號(Event ID)是“236”，并且在事件文本中含有任務名稱。對收集到的事件計數，就得到了任務需要完成工藝的硅片數量。
[0039]每片硅片完成工藝后設備端會有一個事件信息產生，事件編號是“208”，并且在事件文本中含有任務名稱。對收集到的事件計數，就得到了任務已完成工藝的硅片數量。需要完成工藝的硅片數量(T)-已完成工藝的硅片數量(C)=未完成工藝的硅片數量(R)。
[0040]任務開始時MES的檢查項目和方法:在任務開始前MES完成原定檢查項目并且項目符合規格之后，如果之前沒有相同處理順序的任務，則MES繼續其余原定的步驟，如果設備端有和之前相同處理順序，MES需要增加一條檢查項目:比較前一個任務未完成工藝的硅片數量和設定數量Q的大小。如果前一個任務未完成工藝的硅片數量大于設定數量，任務繼續原定的步驟；如果前一個任務未完成工藝的硅片數量小于或者等于設定數量，任務不能開始，硅片被取消，按原定取消流程執行。
[0041]設定數量Q的計算方法:由于各處理順序的制法程序執行時間不同，而且清洗周期(clean interval)也不同，所以，不同處理順序的設定值計算可能不同。按照各個處理順序計算得到的最大的設定值作為MES的設定值。
[0042]如果處理順序的清洗周期大于1，等待的情況會出現在最后幾片硅片在工藝腔體成膜時，且是清洗后的第一片(或第一對)。此時，有6片硅片在工藝腔體成膜(按照3個工藝腔體，一個工藝腔體2片wafer)，上層真空交換腔(Upper loadlock)有兩片，冷卻位置(Cooling stat1n)也有兩片，娃片盒(F0UP)、下層真空交換腔(Lower loadlock)和冷卻位置(待傳送的)總共的硅片數量為ql，總共數量為ql的硅片在工藝腔體成膜完成之前，第二個任務內的娃片必須能準備好被傳送至工藝腔體，則ql = 80/tD的向上取整，tD為成膜制法程序的執行時間，80為第二個任務從傳送硅片開始到第一片(對)硅片準備好傳送至工藝腔體的時間，ql為整數，為保證有足夠的時間，向上取整。MES端的設定值Q1 =6+2+2+qlο
[0043]如果處理順序的清洗周期為1，停頓情況會出現在一個工藝腔體清洗工藝時，此時，工藝腔體有4片(按照一共3個工藝腔體，一個工藝腔體2片硅片)，上層真空交換腔有兩片，冷卻位置也有兩片，硅片盒、下層真空交換腔和冷卻位置(待傳送的)總共的硅片數量為q2，總共數量為q2的硅片在工藝腔體成膜完成之前，第二個任務內的硅片必須能準備好被傳送至工藝腔體，則q2 = 80/tC的向上取整，tC為清洗工藝的執行時間，80為第二個任務從錄入檢查開始到第一片(對)硅片準備好傳送至工藝腔體的時間，q2為整數，為保證有足夠的時間，向上取整。MES端的設定值Q2 = 4+2+2+q2。
[0044]設定值Q是Q1和Q2中數值大的一個。Q也可以通過作業的歷史數據獲得。
[0045]通過說明和附圖，給出了【具體實施方式】的特定結構的典型實施例，基于本發明精神，還可作其他的轉換。盡管上述發明提出了現有的較佳實施例，然而，這些內容并不作為局限。
[0046]對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本發明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內任何和所有等價的范圍與內容，都應認為仍屬本發明的意圖和范圍內。
【主權項】
1.一種改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟S1:檢查成膜設備的前一個任務中沒有完成工藝的硅片數量； 步驟S2:將所述沒有完成工藝的硅片數量與預設的數量值進行比較； 步驟S3:當所述沒有完成工藝的硅片數量大于所述預設的數量值時，后一任務生成，硅片進入所述成膜設備以進行成膜工藝。2.根據權利要求1所述的改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，所述步驟S1之前包括: 步驟S11:檢查是否存在所述前一個任務，若存在執行步驟S1，若不存在直接進行所述成膜工藝。3.根據權利要求1所述的改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，由所述制造執行系統生成所述任務。4.根據權利要求3所述的改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，所述沒有完成工藝的硅片數量由所述制造執行系統從所述成膜設備向所述制造執行系統發送的事件報告中獲得。5.根據權利要求4所述的改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，所述制造執行系統生成所述任務時，所述任務內的每片需要執行工藝的硅片對應一條所述事件報告。6.根據權利要求5所述的改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括: 步驟S11:所述制造執行系統接收每片需要執行工藝的硅片的所述事件報告； 步驟S12:對需要的所述事件報告進行計數； 步驟S13:所述制造執行系統接收每片完成工藝的硅片的所述事件報告，并對完成的所述事件報告進行計數； 步驟S14:將需要的所述事件報告的數量減去完成的所述事件報告的數量，得到所述沒有完成工藝的硅片數量。7.根據權利要求1所述的改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，所述預設的數量值由各處理順序中的制法程序的執行時間決定。8.根據權利要求1所述的改善低介電質膜厚穩定性的方法，其特征在于，所述預設的數量值由各處理順序中的清洗周期決定。
【專利摘要】本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種改善低介電質膜厚穩定性的方法。一種改善低介電質膜厚穩定性的方法，方法包括：步驟S1：檢查成膜設備的前一個任務中沒有完成工藝的硅片數量；步驟S2：將沒有完成工藝的硅片數量與預設的數量值進行比較；步驟S3：當沒有完成工藝的硅片數量大于預設的數量值時，后一任務生成，硅片進入成膜設備以進行成膜工藝。
【IPC分類】H01L21/31
【公開號】CN105304483
【申請號】CN201510716951
【發明人】鐘飛, 沈劍平, 李錦山, 王科, 韓曉剛
【申請人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年10月28日