一種改善低介電質膜厚穩定性的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種改善低介電質膜厚穩定性的方法。
【背景技術】
[0002]低介電質(Low k)薄膜主要用于后段的介電質層，一般使用八甲基硅醚(0MCTS)和氧氣(02)作為主要反應物反應成膜，八甲基硅醚常溫常壓下是液體狀態，成膜反應對溫度很敏感。
[0003]Producer GT設備是AMAT公司用在Low k工藝上的一個成熟的產品。工藝腔體(process chamber)的前一個任務(Last job)的最后一個程式，例如制法程序(Recipe)，清洗(clean)工藝或者沉積(deposit1n)工藝即將結束時，第二個任務(job)的處理順序(sequence)(以下都是相同sequence的情況)的娃片(wafer)錄入檢查(track in)工藝腔體，工藝腔體不會被觸發額外的清洗制法程序(clean recipe)，工藝腔體執行完last任務的最后一個recipe之后，會等待第二個任務的硅片進入工藝腔體。第二個任務的硅片沒有足夠的時間傳送至工藝腔體，導致工藝腔體等待(idle)，特別是第二個任務的工藝程式和前一個任務的工藝程式相同。工藝腔體等待時間越長，在硅片表面成膜的量越少，硅片上的膜厚變薄，圖1為現有技術中停頓時間與膜厚的關系示意圖，如圖1所示，硅片上的成膜偏薄，對產品的穩定性和良率會有很大負影響，甚至是電性能測試達不到穩定性要求。
[0004]圖2為現有技術中各個工藝花費的時間的示意圖，由于不同生產的制法程序和制造執行系統(MES，Manufacturing Execut1n System)不同，各動作(act1n)花費的時間(time expended)也會不同，其中不同的動作、工藝程序、程序(program)可以為:開始清洗花費時間為7:26秒，第一次硅片從錄入檢查到下層真空交換腔準備時間可以是1份20秒等等。第二個任務錄入檢查時機不佳導致的工藝腔體等待的示意圖如圖3所示，圖3中的CHA/B/C表示工藝腔體A/B/C，dep表示沉積(deposit1n)。
【發明內容】
[0005]針對現有技術中低介電質膜厚穩定性較差的問題，本發明提供了一種改善低介電質膜厚穩定性的方法，以提高膜厚的穩定性。
[0006]本發明采用如下技術方案:
[0007]—種改善低介電質膜厚穩定性的方法，所述方法包括:
[0008]步驟S1:檢查成膜設備的前一個任務中沒有完成工藝的硅片數量；
[0009]步驟S2:將所述沒有完成工藝的硅片數量與預設的數量值進行比較；
[0010]步驟S3:當所述沒有完成工藝的硅片數量大于所述預設的數量值時，后一任務生成，硅片進入所述成膜設備以進行成膜工藝。
[0011]優選的，所述步驟S1之前包括:
[0012]步驟S11:檢查是否存在所述前一個任務，若存在執行步驟S1，若不存在直接進行所述成膜工藝。
[0013]優選的，由所述制造執行系統生成所述任務。
[0014]優選的，所述沒有完成工藝的硅片數量由所述制造執行系統從所述成膜設備向所述制造執行系統發送的事件報告中獲得。
[0015]優選的，所述制造執行系統生成所述任務時，所述任務內的每片需要執行工藝的娃片對應一條所述事件報告。
[0016]優選的，所述步驟S1具體包括:
[0017]步驟S11:所述制造執行系統接收每片需要執行工藝的硅片的所述事件報告；
[0018]步驟S12:對需要的所述事件報告進行計數；
[0019]步驟S13:所述制造執行系統接收每片完成工藝的硅片的所述事件報告，并對完成的所述事件報告進行計數；
[0020]步驟S14:將需要的所述事件報告的數量減去完成的所述事件報告的數量，得到所述沒有完成工藝的硅片數量。
[0021]優選的，所述預設的數量值由各處理順序中的制法程序的執行時間決定。
[0022]優選的，所述預設的數量值由各處理順序中的清洗周期決定。
[0023]本發明的有益效果是:
[0024]娃片(wafer)錄入檢查時，工藝腔體正在執行的前一個任務的最后一個程式(Recipe，clean或者deposit1n)即將結束，最后一個制法程序結束時，娃片沒有足夠時間傳送至工藝腔體，造成工藝腔體等待。在硅片錄入檢查時，制造執行系統(MES，Manufacturing Execut1n System)增加錄入檢查的條件，確保工藝腔體在前一個任務的最后一個制法程序結束前，硅片有足夠的時間可以準備好被傳送至工藝腔體。改善了內處理(inline)硅片的膜厚穩定性，對內處理的良率穩定性有提升作用。
【附圖說明】
[0025]圖1為本發明現有技術中停頓時間與膜厚的關系示意圖；
[0026]圖2為本發明現有技術中各個工藝中的花費時間表；
[0027]圖3為本發明現有技術中工藝腔體的停頓時間示意圖；
[0028]圖4為本發明一種改善低介電質膜厚穩定性的方法實施例的示意圖；
[0029]圖5為本發明硅片傳送增加檢查項目的流程圖。
【具體實施方式】
[0030]需要說明的是，在不沖突的情況下，下述技術方案，技術特征之間可以相互組合。
[0031]下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】作進一步的說明:
[0032]本發明將剩余未完成工藝的硅片數量作為錄入檢查條件之一，增加錄入檢查條件避免工藝腔體的一些等待情況。
[0033]圖4為本發明一種改善低介電質膜厚穩定性的方法實施例的示意圖；如圖4所示，本實施例為一種改善低介電質膜厚穩定性的方法，該方法包括:步驟S1:檢查成膜設備的前一個任務中沒有完成工藝的硅片數量；步驟S2:將沒有完成工藝的硅片數量與預設的數量值進行比較；步驟S3:當沒有完成工藝的硅片數量大于預設的數量值時，后一任務生成，硅片進入成膜設備以進行成膜工藝。
[0034]本實施例涉及AMAT設備(Producer)上低介電質成膜工藝的娃片錄入檢查條件，硅片錄入檢查時，增加檢查上一個任務沒有完成工藝的數量的條件，第二個任務的硅片錄入檢查后又足夠的時間準備好進入工藝腔體，避免工藝腔體產生等待，硅片上成膜厚度更穩定。MES在設備端生成任務前，會有一系列的檢查項目，因為各工廠的項目和順序不同，如果之前沒有任務，則繼續原定工藝步驟，如果之前有任務在執行工藝，增加一個檢查條件在MES原來的檢查項目中。其中檢查項目為:設備端前一個任務還沒有工藝(工藝)完成的硅片數量。未完成工藝的硅片數量由MES從設備向MES發送的事件報告(Event log)中獲得，未完成的工藝硅片數量=共需要工藝的硅片數量-已經完成工藝的硅片數量。
[0035]MES錄入檢查生成任務時，任務內每片需要工藝的硅片都會有一條對應的事件報告，MES接收每片需要工藝的硅片的事件報告，并對需要工藝的事件報告計數，就是任務共需要工藝的硅片數量。每片硅片完成工藝都會有一條對應的事件報告，MES接收每片硅片完成工藝的事件報告，并對完成工藝的事件報告計數，就是任務已成完成工