，空穴在電壓的作用下通 過空穴注入層、空穴傳輸層到發光層中形成電流，進而與從陰極、電子傳輸層中傳輸過來的 電子復合而發光。LGAL中P-型摻雜物濃度越高（濃度變化可以通過調整摻雜物的比例來 實現），相同比例條件下P-型摻雜物的量越多，能吸走更多的電子，從而留下更多的空穴， 空穴向發光層移動形成電流，因此通過調節LGAL層的摻雜濃度可以調節通過0LED顯示面 板電流大小。
[0066] (3)如圖5所示的曲線圖，其中低灰階色偏改善層厚度分別為5nm、10nm，則圖5表 示低灰階色偏改善層厚度為5nm、10nm時器件的電壓與電流密度特性曲線（位于下方的曲 線為低灰階色偏改善層厚度5nm時對應的電壓與電流密度特性曲線，位于上方的曲線為低 灰階色偏改善層厚度l〇nm時對應的電壓與電流密度特性曲線），相同電壓下，增加低灰階 色偏改善層厚度，其電流密度變大，0LED顯示面板的亮度也增大，因此通過調節該色偏改善 層的厚度，可以調節通過0LED顯示面板的電流，從而控制0LED顯示面板的發光亮度，以控 制OLED顯示面板發光顏色的準確，抑制低灰階色偏現象。其中，對應圖5,當低灰階色偏改 善層厚度為5nm、10nm時器件電流密度和電壓的具體數值如下表所示：
[0067]
[0068] (4)如圖6所不的凹線圖，兵甲仳狄階β偏改吾層的摻澩濃度分別為3%、5%，圖 則6表示低灰階色偏改善層摻雜濃度為3%、5%時器件的電壓與電流密度特性曲線（位于 下方的曲線為低灰階色偏改善層摻雜濃度為3%時對應的電壓與電流密度特性曲線，位于 上方的曲線為低灰階色偏改善層摻雜濃度為5%時對應的電壓與電流密度特性曲線）。可 以看出，相同電壓下，增加低灰階色偏改善層的摻雜濃度，其電流密度變大，0LED顯示面板 的亮度也增大，因此通過調節該色偏改善層的摻雜濃度，可以調節通過0LED顯示面板的電 流，從而控制0LED顯示面板的發光亮度，以控制0LED顯示面板發光顏色的準確，抑制低灰 階色偏現象，其中，對應圖6,當低灰階色偏改善層摻雜濃度為3 %、5%時器件電流密度和 電壓的具體數值如下表所示：
[0069]
[0070] 實施例二.
[0071] 在本發明的實施例中，實施例一中記載的技術方案在本實施例二中同樣適應，在 此將不予贅述，本實施例二與實施例一的明顯區別在于：該0LED顯示面板主要包括有（如 圖3所示的結構）：
[0072] 基板30 ;在基板30的上方，依次覆蓋有緩沖層31，柵極絕緣層32以及絕緣層33 ;
[0073] 薄膜晶體管34,設置于基板30的上方，且薄膜晶體管34的一部分位于柵極絕緣層 32和絕緣層33中間；
[0074] 平坦層35,設置于薄膜晶體管34的上方，薄膜晶體管34的一部分位于該平坦層 35中；且平坦層35包含貫穿該平坦層35至薄膜晶體管34的通孔350 ;
[0075] 第一電極36,設置于平坦層35之上，并經由通孔350與薄膜晶體管34電性連接；
[0076] 0LED器件層37，設置于第一電極36之上；
[0077] 色偏改善層370,設置于0LED器件層37之上，該色偏改善層370的載流子能順利 注入和傳輸到OLED器件層37中；
[0078] 第二電極38，設置于0LED器件層37之上；以及
[0079] 封裝蓋板39,設置于第二電極38的上方。
[0080] 其中，第一電極36為陽極，第二電極38為陰極。
[0081] 并且，0LED器件層37包括由下至上依次疊置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層 以及電子傳輸層（圖3中未標示），色偏改善層370位于電子傳輸層與第二電極（陰極）38 之間。
[0082] 實施例三：
[0083] 在本發明的實施例中，實施例一中記載的技術方案在本實施例三中同樣適應，在 此將不予贅述，本實施例三與實施例一的明顯區別在于：該0LED顯示面板主要包括有（如 圖4所示的結構）：
[0084] 基板40 ;在基板40的上方，依次覆蓋有緩沖層41，柵極絕緣層42以及絕緣層43 ;
[0085] 薄膜晶體管44,設置于基板40的上方，且薄膜晶體管44的一部分位于柵極絕緣層 42和絕緣層43中間；
[0086] 平坦層45,設置于薄膜晶體管44的上方，薄膜晶體管44的一部分位于該平坦層 45中；且平坦層45包含貫穿該平坦層45至薄膜晶體管44的通孔450 ;
[0087] 第一電極46,設置于平坦層45之上，并經由通孔450與薄膜晶體管44電性連接；
[0088] 第一色偏改善層460,設置于第一電極46之上，該色偏改善層460的載流子能順利 注入和傳輸到0LED器件層47中；
[0089] 0LED器件層47，設置于第一電極46之上；
[0090] 第二色偏改善層470,設置于0LED器件層47之上，可將載流子能順利注入和傳輸 至IJ0LED器件層47中；
[0091] 第二電極48,設置于0LED器件層47之上；以及
[0092] 封裝蓋板49,設置于第二電極48的上方。
[0093] 其中，第一電極46為陽極，第二電極48為陰極。
[0094] 并且，0LED器件層47包括由下之上依次疊置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層 以及電子傳輸層（圖4中未標示），第一色偏改善層460位于第一電極（陽極）46與空穴注 入層之間，第二色偏改善層470位于電子傳輸層與第二電極（陰極）48之間。
[0095] 實施例四：
[0096] 基于上述的0LED顯示面板結構，本發明還提供了一種0LED顯示面板的制備方法， 實施例一中的技術方案在本實施例四中同樣適應，在此將不予贅述，該方法主要包括有：
[0097] 提供一基板；于該基板上依次形成緩沖層、柵極絕緣層和絕緣層；
[0098] 于基板上形成一薄膜晶體管，且該薄膜晶體管的一部分位于柵極絕緣層和絕緣層 中；
[0099] 于薄膜晶體管上形成一平坦層，薄膜晶體管的一部分位于該平坦層中；并于該平 坦層中形成一貫穿該平坦層至薄膜晶體管的通孔；
[0100] 于平坦層上形成一陽極，該陽極經由通孔與薄膜晶體管電性連接；
[0101] 于陽極上形成一 0LED器件層；
[0102] 于0LED器件層上形成一陰極；
[0103] 于陰極的上方形成一封裝蓋板；以及
[0104] 于陽極與0LED器件層之間和/或0LED器件層與陰極之間還形成有色偏改善層。
[0105] 由實施例一中的實驗原理可知，本領域技術人員可適當調整LGAL的厚度或摻雜 濃度，以降低通過0LED顯示面板的電流，從而降低0LED顯示面板的發光亮度，使其在低亮 度時Gamma是可調的，保證低灰階時發光色坐標正確無色偏。
[0106] 綜上所述，本發明公開了一種0LED顯示面板及其制備方法，該技術方案通過在 0LED顯示面板制備的過程中，于陽極和0LED器件層之間形成一低灰階的色偏改善層；或于 0LED器件層和陰極之間形成該色偏改善層；或同時于陽極和0LED器件層之間以及0LED器 件層和陰極之間均形成有該色偏改善層，進而通過調整色偏改善層的厚度或摻雜濃度以解 決低灰階下的色偏問題，并提高0LED顯示面板發光顏色的準確度。
[0107] 本領域技術人員應該理解，本領域技術人員結合現有技術以及上述實施例可以實 現所述變化例，這樣的變化例并不影響本發明的實質內容，在此不予贅述。
[0108] 以上對本發明的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本發明并不局限于上述 特定實施方式，其中未盡詳細描述的設備和結構應該理解為用本領域中的普通方式予以實 施；任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示 的方法和技術內容對本發明技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等 效實施例，這并不影響本發明的實質內容。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據 本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發明 技術方案保護的范圍內。
【主權項】
1. 一種OLED顯示面板，其特征在于，所述OLED顯示面板包括： 基板； 薄膜晶體管，設置于所述基板的上方； 平坦層，設置于所述薄膜晶體管的上方，且所述平坦層包含貫穿該平坦層的通孔； 第一電極，設置于所述平坦層之上，并經由所述通孔與所述薄膜晶體管電性連接； OLED器件層，設置于所述第一電極之上； 第二電極，設置于所述OLED器件層之上；以及 色偏改善層，設置于所述第一電極與所述OLED器件層之間和/或所述OLED器件層與 所述第二電極之間；以及 封裝蓋板，設置于所述第二電極的上方。2. 如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一電極為陽極，且所述第二 電極為陰極。3. 如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述色偏改善層包括一種或多種 摻雜物摻雜形成。4. 如權利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述色偏改善層中的摻雜物為 N-型摻雜物或P-型摻雜物。5. 如權利要求4所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述P-型摻雜物包括HAT-CN、 F4-TCNQ、TBAHA、SbCl 5S FeCl 3;所述N-型摻雜物包括堿金屬或堿金屬鹽。6. 如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述色偏改善層的厚度為0. 5~ 500nm〇7. 如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述陽極為反射陽極，所述陰極為 半透明半反射陰極。8. 如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述OLED器件層包括由下至上依 次疊置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層。9. 如權利要求8所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述色偏改善層位于所述陽極與 所述空穴注入層之間和/或所述電子傳輸層與所述陰極之間。10. -種OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一基板； 于所述基板上形成一薄膜晶體管； 于所述薄膜晶體管上形成一平坦層，并于所述平坦層中形成一貫穿該平坦層的通孔； 于所述平坦層上形成一陽極，所述陽極經由所述通孔與所述薄膜晶體管電性連接； 于所述陽極上形成一 OLED器件層； 于所述OLED器件層上形成一陰極； 于所述陰極的上方形成一封裝蓋板；以及 于所述陽極與所述OLED器件層之間和/或所述OLED器件層與所述陰極之間還形成有 色偏改善層。11. 如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述OLED器件層的制備過程包括： 按照由下至上的順序依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層，以形成 所述OLED器件層。
【專利摘要】本發明涉及OLED顯示技術領域，尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法，通過在OLED顯示面板的制備過程中，于陽極和OLED器件層之間形成一低灰階的色偏改善層；或于OLED器件層和陰極之間形成該色偏改善層；或同時于陽極和OLED器件層之間以及OLED器件層和陰極之間均形成有該色偏改善層，進而通過調整色偏改善層的厚度或摻雜濃度以解決低灰階下的色偏問題，并提高OLED顯示面板發光顏色的準確度。
【IPC分類】H01L51/56, H01L51/52, H01L27/32
【公開號】CN105280684
【申請號】CN201510582959
【發明人】牟鑫, 鄒忠哲, 林信志, 張斌
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年9月14日