一種oled顯示面板及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及0LED顯示技術領域，尤其涉及一種0LED顯示面板及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 0LED即有機發光二極管（OrganicLight-EmittingDiode)，因為具備輕薄、省電 等特性，因此這種顯示設備在數碼產品上得到了廣泛的運用。0LED顯示技術相比較傳統的 IXD(LiquidCrystalDisplay，即液晶顯示器）顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的 有機材料涂層和玻璃基板，當有電流通過時，這些有機材料就會發光。作為顯示設備0LED 顯示屏同樣會受到環境因素的影響，特別是在強光的環境下，0LED顯示屏的顯示效果同樣 會有所下降。
[0003] 0LED主要是通過TFT(Thinfilmtransistor，即薄膜晶體管）控制輸出電流的大 小，從而顯示不同的亮度，TFT-0LED的結構如圖1所示。
[0004] 由于低灰階下，雖然0LED的亮度很低，若255灰階亮度為250nits，20灰階的亮度 大約在lnits左右，與之相對應的紅光和綠光子像素亮度僅為幾十尼特（nit)，藍光子像素 僅為幾尼特，子像素所需的電流為10nA，而TFT關態漏電流大約也在此范圍內，因此TFT 的漏電流就有可能將0LED點亮，導致0LED在黑畫面時會微微發亮；另一方面，因為低灰階 下0LED仍存在一定的跨壓，若R、G、B子像素需要的開啟電壓不一致，開啟電壓最低的像素 最容易被點亮，因此低灰階下容易出現色偏的缺陷。
[0005] 因此，要改善0LED面板的低灰階色偏，一方面應努力降低TFT的漏電流；另一方 面，應努力降低0LED在低電壓下的電流密度；一種新型的技術方案用以克服上述技術難題 成為本領域技術人員致力于研究的方向。
【發明內容】
[0006] 鑒于現有技術中的不足，本發明技術方案提供一種0LED顯示面板及其制備方法。 本技術方案通過在0LED顯示面板制備的過程中，增加至少一層色偏改善層的制備工藝，進 而通過調整色偏改善層的厚度或摻雜濃度以解決低灰階下的色偏問題，并提高0LED面板 發光顏色的準確度。
[0007] 本發明為解決上述技術問題所采用的技術方案為：
[0008] -種0LED顯示面板，其特征在于，所述0LED顯示面板包括：
[0009]基板；
[0010] 薄膜晶體管，設置于所述基板的上方；
[0011] 平坦層，設置于所述薄膜晶體管的上方，且所述平坦層包含貫穿該平坦層的通 孔；
[0012] 第一電極，設置于所述平坦層之上，并經由所述通孔與所述薄膜晶體管電性連 接；
[0013] 0LED器件層，設置于所述第一電極之上；
[0014] 第二電極，設置于所述0LED器件層之上；以及
[0015] 色偏改善層，設置于所述第一電極與所述0LED器件層之間和/或所述0LED器件 層與所述第二電極之間；以及
[0016] 封裝蓋板，設置于所述第二電極的上方。
[0017] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述第一電極為陽極，且所述第二電極為陰 極。
[0018] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述色偏改善層包括一種或多種摻雜物摻 雜形成。
[0019] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述色偏改善層中的摻雜物為N-型摻雜物 或P-型摻雜物。
[0020] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述P-型摻雜物包括HAT-CN、F4-TCNQ、 TBAHA、SbCl5SFeCl3;所述N-型摻雜物包括堿金屬或堿金屬鹽。
[0021] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述色偏改善層的厚度為0. 5~500nm。
[0022] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述陽極為反射陽極，所述陰極為半透明半 反射陰極。
[0023] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述0LED器件層包括由下至上依次疊置的 空穴注入層、空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層。
[0024] 優選的，上述的0LED顯示面板，其中，所述色偏改善層位于所述陽極與所述空穴 注入層之間和/或所述電子傳輸層與所述陰極之間。
[0025] 本發明還提供一種0LED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
[0026] 提供一基板；
[0027] 于所述基板上形成一薄膜晶體管；
[0028] 于所述薄膜晶體管上形成一平坦層，并于所述平坦層中形成一貫穿該平坦層的通 孔；
[0029] 于所述平坦層上形成一陽極，所述陽極經由所述通孔與所述薄膜晶體管電性連 接；
[0030] 于所述陽極上形成一 0LED器件層；
[0031] 于所述0LED器件層上形成一陰極；
[0032] 于所述陰極的上方形成一封裝蓋板；以及
[0033] 于所述陽極與所述0LED器件層之間和/或所述0LED器件層與所述陰極之間還形 成有色偏改善層。
[0034] 優選的，上述的方法，其中，所述0LED器件層的制備過程包括：
[0035] 按照由下至上的順序依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層，以 形成所述0LED器件層。
[0036] 優選的，上述的方法，其中，所述色偏改善層制備位于所述陽極與所述空穴注入層 之間和/或所述電子傳輸層與所述陰極之間。
[0037] 本發明公開了一種0LED顯示面板及其制備方法，該技術方案通過在0LED顯示面 板制備的過程中，于陽極和0LED器件層之間形成一低灰階的色偏改善層；或于0LED器件層 和陰極之間形成該色偏改善層；或同時于陽極和0LED器件層之間以及0LED器件層和陰極 之間均形成有該色偏改善層，進而通過調整色偏改善層的厚度或摻雜濃度以解決低灰階下 的色偏問題，并提高OLED顯示面板發光顏色的準確度。
【附圖說明】
[0038] 通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明及其特征、外 形和優點將會變得更明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。并未刻意按照比例 繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。
[0039] 圖1是傳統0LED通過TFT控制輸出電流的電路示意圖；
[0040] 圖2~4是本發明中0LED顯示面板的結構示意圖；
[0041] 圖5是本發明一實施例中0LED電壓一電流密度曲線示意圖；
[0042] 圖6是本發明另一實施例中0LED電壓一電流密度曲線示意圖。
【具體實施方式】
[0043] 在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然 而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以 實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進 行描述。
[0044] 為了徹底理解本發明，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結構，以便 闡釋本發明的技術方案。本發明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本 發明還可以具有其他實施方式。
[0045] 實施例一：
[0046] 為解決現有技術中因0LED的子像素開啟電壓不同導致低灰階下出現色偏問題， 本發明提供了一種0LED顯示面板，該0LED顯示面板中具有色偏改善層（LowGrayColor ShiftAdjustmentLayer，簡稱LGAL)，通過調整色偏改善層的厚度或摻雜濃度以解決低灰 階下的色偏問題，并提高0LED面板發光顏色的準確度。
[0047] 具體的，如圖2所示的結構，該0LED顯示面板主要包括有：
[0048] 基板20 ;在基板20的上方，依次覆蓋有緩沖層21，柵極絕緣層22以及絕緣層23 ;
[0049] 薄膜晶體管24,設置于基板20的上方，且薄膜晶體管24的一部分位于柵極絕緣層 22和絕緣層23中間；
[0050] 平坦層25,設置于薄膜晶體管24的上方，薄膜晶體管24的一部分位于該平坦層 25中；且平坦層25包含貫穿該平坦層25至薄膜晶體管24的通孔250;
[0051] 第一電極26,設置于平坦層25之上，并經由通孔250與薄膜晶體管24電性連接；
[0052] 色偏改善層260,設置于第一電極26與0LED器件層27中間，該色偏改善層260的 載流子能順利注入和傳輸到0LED器件層27中；
[0053] 0LED器件層27，設置于第一電極26之上；
[0054] 第二電極28，設置于0LED器件層27之上；以及
[0055] 封裝蓋板29,設置于第二電極28的上方。
[0056] 作為一個優選的實施例，本實施例中第一電極26為陽極，第二電極28為陰極。
[0057] 在本發明的實施例中，低灰階的色偏改善層260的厚度和摻雜濃度可以根據具 體的工藝需求進行合理設定，作為一個優選的實施例，該色偏改善層的厚度控制在0. 5~ 500nm的范圍內。
[0058] 在本發明的實施例中，色偏改善層260可以通過摻雜單一有機物或無機物、或者 兩種或兩種以上有機物/無機物等摻雜物，并利用共混或摻雜等工藝制備；上述的摻雜物 可以為P-型摻雜（如HAT-CN，F4-TCNQ、TBAHA、SbCl5、FeCl3)，也可以為N-型摻雜物堿金屬 或堿金屬鹽（如Li，Cs及其鹽類）。優選的，該色偏改善層260的其中一種摻雜物的比例 控制在0. 5%~20%的范圍內。
[0059] 在本發明的實施例中，第一電極（陽極）26為反射陽極，第二電極（陰極）28為半 透明半反射陰極。
[0060] 優選的，0LED器件層27包括由下至上依次疊置的空穴注入層（holeinjection layer，簡稱HIL)、空穴傳輸層（holetransportlayer，簡稱HTL)、發光層（emitting layer，簡稱EML)以及電子傳輸層（electrontransportlayer，簡稱ETL)(圖2中未標 示）。其中空穴注入層位于色偏改善層260之上，第二電極（陰極）28位于電子傳輸層之 上，也就是說色偏改善層260位于第一電極（陽極）26與空穴注入層之間。
[0061] 工作機制：
[0062] (1)0LED顯示面板為第一電極（陽極）/LGAL/0LED器件層/第二電極（陰極）， LGAL中摻雜固定濃度的P-型摻雜物（如F4-TCNQ等）。
[0063] 對于不同厚度的LGAL來說：當陽極26和陰極28施加電壓時，由于P-型摻雜物中 含有強的吸電子基團，從LGAL層中吸走一個電子后會留下一個空穴，空穴在電壓的作用下 通過空穴注入層、空穴傳輸層到發光層中形成電流，進而與從陰極、電子傳輸層中傳輸過來 的電子復合而發光。因LGAL厚度越厚，相同比例的條件下P-型摻雜物的量越多，能吸走更 多的電子，從而留下更多的空穴，空穴向發光層移動形成電流，因此通過調節LGAL層的厚 度可以調節通過0LED顯示面板的電流大小。
[0064] (2)0LED顯示面板為第一電極（陽極）/LGAL/0LED器件層/第二電極（陰極）， 當LGAL的厚度固定（例如均為5nm)，在LGAL中摻雜不同濃度的P-型摻雜物（如F4-TCNQ 等）。
[0065] 對于不同摻雜濃度來說：當陽極26和陰極28施加電壓時，由于P-型摻雜物中含 有強的吸電子基團，從LGAL層中吸走一個電子后會留下一個空穴