抗蝕劑圖案形成方法、抗蝕劑潛像形成裝置、抗蝕劑圖案形成裝置和抗蝕劑材料的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及抗蝕劑圖案形成方法、抗蝕劑潛像形成裝置、抗蝕劑圖案形成裝置和 抗蝕劑材料。
【背景技術】
[0002] 在半導體器件的曝光工序中，隨著電路高集成化和高速化，需要更微細的圖案。作 為圖案微細化的方法，主要是需要曝光源的短波長化，例如，極紫外光（EUV，波長：13. 5nm) 作為制造下一代半導體器件的有前景的技術正在被積極地開發。不過，難以開發具有適用 于批量生產的必要高輸出（100W)的光源裝置，現狀是停留在IOW級別，用于形成圖案潛像 的曝光比較耗費時間。還有，對于使用電子束（EB)的電子束直接繪制法，由于光束直徑小， 所以能夠以高尺寸精度形成微細的圖案，但是相反地，圖案越復雜面積越大的話，繪制越耗 費時間。因此，對于使用極紫外光或電子束的曝光技術，雖然能夠形成微細的圖案，但存在 生產效率低的問題。
[0003] 為了解決這樣的問題，正在推進抗蝕劑材料的高感光度化，從而盡量縮短曝光時 間。例如，在專利文獻1中公開的抗蝕劑組合物中，通過含有特定的樹脂和化合物的組合， 實現感光度和解析度的提高。
[0004] 〔專利文獻〕
[0005] 專利文獻1 :日本特開2002-174894號公報
【發明內容】
[0006] 然而，抗蝕劑的感光度、解析度、線寬粗糙度（LWR)這三個重要性能之間存在權衡 關系，在抗蝕劑實現高感光度化的情況下，產生解析度或LWR下降的問題。因此，在不使解 析度或線寬粗糙度劣化的情況下，提高抗蝕劑的感光度存在極限，因此未能夠充分地解決 生產效率低的問題。
[0007] 本發明是鑒于上述課題而作出的，其目的在于提供一種抗蝕劑圖案形成方法、抗 蝕劑潛像形成裝置和抗蝕劑圖案形成裝置，能夠解決權衡關系并提高抗蝕劑的感光度。還 有，本發明的目的還在于提供一種高感光度的抗蝕劑材料。
[0008] 本發明的抗蝕劑圖案形成方法含有：抗蝕劑層形成步驟，在基板上形成抗蝕劑層； 活性化步驟，通過活性能量束的照射將所述抗蝕劑層活性化；衰減抑制步驟，對所述抗蝕劑 層的活性衰減進行抑制；圖案潛像形成步驟，通過潛像形成能量束的照射，在所述活性化了 的抗蝕劑層上形成圖案潛像；以及顯影步驟，對所述抗蝕劑層進行顯影。
[0009] 本發明的抗蝕劑圖案形成方法含有：抗蝕劑層形成步驟，在基板上形成抗蝕劑層； 活性化步驟，通過活性能量束的照射將所述抗蝕劑層活性化；圖案潛像形成步驟，在所述抗 蝕劑層活性化了的狀態下，通過潛像形成能量束的照射，在所述活性化了的抗蝕劑層上形 成圖案潛像；以及顯影步驟，對所述抗蝕劑層進行顯影。
[0010] 一實施方式中，在所述衰減抑制步驟，所述活性化了的抗蝕劑層的環境氣氛是惰 性氣體氣氛、活性氣體氣氛或者真空氣氛。
[0011] 一實施方式中，本發明的抗蝕劑圖案形成方法還包含：搬運步驟，將所述基板從進 行所述活性化步驟的位置搬運到進行所述圖案潛像形成步驟的位置。
[0012] 一實施方式中，同時執行所述活性化步驟和所述圖案潛像形成步驟。
[0013] 一實施方式中，所述活性化步驟包含：對所述抗蝕劑層內的整個區域照射所述活 性能量束的區域照射步驟和/或在所述抗蝕劑層內對圖案形狀照射所述活性能量束的圖 案形狀照射步驟。所述圖案潛像形成步驟包含：對所述抗蝕劑層內的整個區域照射所述潛 像形成能量束的區域照射步驟和/或在所述抗蝕劑層內對圖案形狀照射所述潛像形成能 量束的圖案形狀照射步驟。在所述活性化步驟包含所述區域照射步驟的情況下，所述圖案 潛像形成步驟至少包含所述區域照射步驟和所述圖案形狀照射步驟中的所述圖案形狀照 射步驟，在所述活性化步驟包含所述圖案形狀照射步驟的情況下，所述圖案潛像形成步驟 至少包含所述區域照射步驟和所述圖案形狀照射步驟中的所述區域照射步驟。
[0014] 本發明的抗蝕劑圖案形成方法含有：抗蝕劑層形成步驟，在基板上形成抗蝕劑層； 穩定物質產生步驟，通過活性能量束的照射在所述抗蝕劑層上生成穩定物質；圖案潛像形 成步驟，通過潛像形成能量束的照射，在生成了所述穩定物質的所述抗蝕劑層上形成圖案 潛像；以及顯影步驟，對所述抗蝕劑層進行顯影。
[0015] 一實施方式中，本發明的抗蝕劑圖案形成方法還含有：變換步驟，對所述抗蝕劑層 內的穩定物質進行變換。
[0016] 本發明的抗蝕劑潛像形成裝置具備活性化裝置和圖案潛像形成部。所述活性化裝 置具有：活化室，可收納抗蝕劑層；和活化能量源，射出用于使所述活化室內的所述抗蝕劑 層進行活性化的能量束。所述圖案潛像形成部具有：潛像形成室，可收納所述抗蝕劑層；潛 像形成能量源，射出用于在所述潛像形成室內的所述抗蝕劑層上形成圖案潛像的能量束。
[0017] -實施方式中，由所述活化能量源和所述潛像形成能量源中的一個能量源射出的 所述能量束照射到所述抗蝕劑層內的整個區域，由所述活化能量源和所述潛像形成能量源 中的另一個能量源射出的所述能量束在所述抗蝕劑層的所述區域內照射到圖案形狀。
[0018] 一實施方式中，所述潛像形成能量源與所述活化能量源是同一個，或者所述潛像 形成能量源與所述活化能量源不是同一個。
[0019] 一實施方式中，所述活化室和所述潛像形成室的至少一方中，所述抗蝕劑層的周 圍環境被調整成可對所述抗蝕劑層的活性衰減進行抑制。
[0020] -實施方式中，本發明的抗蝕劑潛像形成裝置還具備：搬運裝置，將所述基板從所 述活化室搬運到所述潛像形成室。
[0021] -實施方式中，所述潛像形成室與所述活化室是同一個。
[0022] -實施方式中，所述活化能量源和所述潛像形成能量源中的至少一方含有：離子 束照射部、電子束照射部或者電磁波照射部。
[0023] 本發明的抗蝕劑圖案形成裝置具備：上述的抗蝕劑潛像形成裝置；以及顯影裝 置，對通過所述抗蝕劑潛像形成裝置形成了所述圖案潛像的抗蝕劑層進行顯影。
[0024] 本發明的抗蝕劑材料包含：含有基體樹脂和增感劑前驅體的抗蝕劑組合物。所述 抗蝕劑組合物根據第一能量束的照射而生成增感劑，但照射第二能量束卻不生成增感劑， 其中，所述第二能量束促進所述增感劑引起的抗蝕反應。
[0025] -實施方式中，所述基體樹脂含有甲基丙烯酸甲酯樹脂。
[0026] -實施方式中，所述抗蝕劑組合物還含有產酸劑。
[0027] -實施方式中，產酸劑和增感劑前驅體有時也相同。
[0028] -實施方式中，所述抗蝕劑組合物還含有猝滅劑。
[0029] -實施方式中，所述猝滅劑與所述增感劑不反應。
【附圖說明】
[0030] 圖1(a)~（e)是表示本實施方式的抗蝕劑圖案形成方法的工序的示意圖。
[0031]圖2是表示本實施方式的抗蝕劑圖案形成方法中的能量照射量-殘膜率曲線的 圖。
[0032] 圖3是表示本實施方式的抗蝕劑圖案形成方法中的能量照射量-時間曲線的圖。
[0033] 圖4是用于對本發明另一個實施方式所涉及的抗蝕劑圖案形成方法的工序進行 說明的圖。
[0034] 圖5是用于對本發明又一個實施方式所涉及的抗蝕劑圖案形成方法的工序進行 說明的圖。
[0035] 圖6(a)~（d)是用于對本發明又一個實施方式所涉及的抗蝕劑圖案形成方法的 工序進行說明的圖。
[0036] 圖7(a)~（c)是用于對本發明的抗蝕劑圖案形成方法的具體例子1進行說明的 圖。
[0037] 圖8(a)~⑷是用于對本發明的抗蝕劑圖案形成方法的具體例子2進行說明的 圖。
[0038] 圖9(a)~⑷是用于對本發明的抗蝕劑圖案形成方法的具體例子3進行說明的 圖。
[0039] 圖10(a)~（e)是用于對本發明的抗蝕劑圖案形成方法的具體例子4進行說明的 圖。
[0040] 圖11是表示本發明的抗蝕劑潛像形成裝置的實施方式的示意圖。
[0041]圖12是表示本發明的抗蝕劑潛像形成裝置的實施方式的示意圖。
[0042] 圖13是表示本發明的抗蝕劑潛像形成裝置的實施方式的示意圖。
[0043] 圖14是表示本發明的抗蝕劑潛像形成裝置的實施方式的示意圖。
[0044] 圖15是表示普通的抗蝕劑材料中的酸和猝滅劑的濃度變化的示意圖。
[0045] 圖16是表示本發明的抗蝕劑材料的實施方式中的酸、增感劑、猝滅劑的濃度變化 的示意圖，圖16(a)表示活性能量束的照射剛結束后的濃度，圖16(b)表示由活性能量束的 照射而生成的酸和猝滅劑進行中和之后的濃度，圖16(c)表示照射潛像形成能量束之后的 濃度。
[0046] 圖17是表示本發明的抗蝕劑材料的實施方式中的酸、增感劑、猝滅劑的濃度變化 的示意圖，圖17(a)表示活性能量束的照射剛結束后的濃度，圖17(b)表示由活性能量束的 照射而生成的酸和猝滅劑進行中和之后的濃度，圖17(c)表示照射潛像形成能量束之后的 濃度。
[0047] 圖18是表示本發明的抗蝕劑材料的實施方式中的酸、增感劑、猝滅劑的濃度變化 的示意圖，圖18(a)表示活性能量束的照射剛結束后的濃度，圖18(b)表示由活性能量束的 照射而生成的酸和猝滅劑進行中和之后的濃度，圖18(c)表示照射潛像形成能量束之后的 濃度。
[0048] 圖19是表示本發明的抗蝕劑材料的實施方式中的酸、增感劑、猝滅劑的濃度變化 的示意圖。
[0049] 圖20是表示本發明的抗蝕劑材料的實施方式中的酸、增感劑、猝滅劑的濃度變化 的示意圖，圖20(a)表示活性能量束的照射剛結束后的濃度，圖20(b)表示由活性能量束的 照射而生成的酸和猝滅劑進行中和之后的濃度，圖20(c)表示照射潛像形成能量束之后的 濃度。
[0050] 圖21是本實施方式中的化學反應方程式。
[0051] 圖22是表示本實施方式中的顯影結果的圖。
[0052] 圖23是表示DOMeBzH和DOMeBzO的吸收率的圖表。
[0053] 圖24是表示UV曝光時間和照射量的關系的圖表。
[0054] 圖25是表示本實施方式中的酸、增感劑、猝滅劑的濃度變化的示意圖，圖25(a)表 示活性能量束的照射剛結束后的濃度，圖25(b)表示由活性能量束的照射而生成的酸和猝 滅劑進行中和之后的濃度，圖25 (c)表示照射潛像形成能量束之后的濃度。
[0055] 圖26是表示實施例1中的顯影結果的圖。
[0056] 圖27是表示實施例2中的顯影結果的圖。
[0057] 圖28是表示實施例3中的顯影結果的圖。
[0058] 圖29是表示實施例4~實施例6中的顯影結果的圖。
[0059] 圖30是表示實施例7~實施例9中的顯影結果的圖。
[0060] 圖31是表示實施例13中的顯影結果的圖。
[0061] 圖32是表示實施例13中的感光度曲線的圖表。
[0062] 圖33是表示實施例14中的顯影結果的圖。
[0063] 圖34是表示實施例14中的感光度曲線的圖表。
[0064] 圖35是表示實施例15中的感光度曲線的圖表。
[0065] 圖36是表示實施例15中的顯影結果的圖。
[0066] 圖37是表示實施例16中的感光度曲線的圖表。
[0067] 圖38是表示實施例17中的感光度曲線的圖表。
[0068] 圖39是表示實施例18中的感光度曲線的圖表。
[0069] 圖40是表示實施例19中的感光度曲線的圖表。
[0070] 圖41是表示實施例20中的感光度曲線的圖表。
[0071] 圖42是表示實施例21中的感光度曲線的圖表。
[0072] 圖43是表示實施例22中的感光度曲線的圖表。
[0073] 圖44是表示實施例23中的感光度曲線的圖表。
[0074] 圖45是表示實施例24中的顯影結果的圖。
[0075] 圖46是表示實施例24中的顯影結果的圖。
[0076] 圖47是表示實施例24中的顯影結果的圖。
[0077] 圖48是表示實施例25中的感光度曲線的圖表。
[0078] 圖49是表示實施例26中的顯影結果的圖。
[0079] 圖50是表示實施例26中的顯影結果的圖。
[0080] 圖51是表示實施例27中的感光度曲線的圖表。
[0081] 圖52是表示實施例28中的感光度曲線的圖表。
[0082] 圖53是表示實施例29中的感光度曲線的圖表。
[0083] 圖54是表示實施例30中的顯影結果的圖。
[0084] 圖55是表示實施例31中的顯影結果的圖。
【具體實施方式】
[0085] 以下，參照附圖，對本發明的抗蝕劑圖案形成方法、抗蝕劑潛像形成裝置、抗蝕劑 圖案形成裝置和抗蝕劑材料的實施方式進行說明。但是，本發明不限定于以下的實施方式。
[0086] 參照圖1~圖3,對本發明實施方式所涉及的抗蝕劑圖案形成方法進行說明。圖 1是表示本實施方式的抗蝕劑圖案形成方法的工序的示意圖。圖2是表示本實施方式的抗 蝕劑圖案形成方法中的能量照射量-殘膜率曲線的圖。圖3是表示本實施方式的抗蝕劑圖 案形成方法中的能量照射量_時間曲線的圖。本實施方式的抗蝕劑圖案形成方法通過步驟 SlOl~步驟SllO而執行。
[0087] 首先，如圖1(a)所示，抗蝕劑層形成步驟（SlOl)中，在基板11上形成抗蝕劑層 12。具體來說，準備基板11 (例如晶片），在基板11上涂布抗蝕劑溶液，再進行預烘烤，從而 形成抗蝕劑層12。抗蝕劑具有曝光部分溶解于顯影液的正型和曝光部分不溶解于顯影液的 負型，在本實施方式中，以正型的抗蝕劑為例進行說明。另外，作為抗蝕劑的成分，可以是含 有產酸劑、基材和猝滅劑的化學增幅型，其中，該產酸劑通過曝光而產生酸，該基材由于酸 的作用而導致在顯影液中的溶解性發生變化，該猝滅劑抑制酸的擴散；也可以是不含有產 酸劑的非化學增幅型。
[0088] 如圖2所示，在正型化學增幅抗蝕劑的情況下，如果照射到抗蝕劑的能量的量超 過閾值Ea(以下，記為"潛像形成能量的量"），則在抗蝕劑層12上形成潛像，形成了潛像的 部分在顯影液中開始溶解。如果進一步增加能量的量而超過閾值Et(以下，記為"必要能量 的量"），則形成了潛像的部分在顯影液中完全溶解而被除去。
[0089] 接下來，如圖1(b)所示，活性化步驟（S103)中，通過活性能量束的照射使抗蝕劑 層12活性化。通過活性能量束的照射，抗蝕劑層12內的成分被激發或離子化，產生活性狀 態。在抗蝕劑層12中，產生活性狀態A和活性狀態B這兩個活性狀態。或者，在抗蝕劑層 12中，只產生活性狀態B。活性狀態A是成為酸或者酸的前驅體的活性狀態，活性狀態B是 成為增感劑之類的酸的前驅體的活性狀態以外的活性狀態。根據抗蝕劑的種類（正型或者 負型），該活性狀態A相對于抗蝕劑的基材發生極性變換、交聯或者分解反應等，使顯影液 中的溶解性發生變化。顯影時，為了形成抗蝕劑圖案，需要一定量的活性狀態A。另外，例 如，活性狀態A是陽離子、陰離子或酸，活性狀態B是自由基或分解產物。
[0090] 例如，活性化步驟在真空或者惰性氣氛中進行。活性能量束以從上方照射抗蝕劑 層12的方式，由活化能量源21射出。此處，活性能量束照射到抗蝕劑層12內的整個區域。 如圖1所示，活性能量束照射到抗蝕劑層12內的全部區域。不過，相對于抗蝕劑層12內 的全部區域，活性能量束也可以只照射到一部分區域。另外，例如，活性能量束是可見光、UV(紫外光）、DUV(深紫外光）、EUV、X射線之類的電磁波。還有，活性能量束也可以是電子 束或離子束。
[0091] 如圖2所示，活性化步驟（S103)中，活性能量束的照射量Ef是不超過潛像形成能 量的量Ea的照射量。也就是說，活性化步驟（S103)中，生成比顯影時形成抗蝕劑圖案所需 要的量少的活性狀態A。因此，在執行活性化步驟（S103)的階段，顯影液中抗蝕劑層12不 溶解，不形成抗蝕劑圖案。
[0092] 活性化步驟之后，如圖1(c)所示，衰減抑制步驟（S105)中，對抗蝕劑層12的活性 衰減進行抑制。具體來說，在執行后面敘述的圖案潛像形成步驟（S107)之前，不進行預烘 烤，控制環境來對活性化步驟（S103)中活性化了的抗蝕劑層12內的活性狀態A、B的衰減 進行抑制。
[0093] 例如，抗蝕劑層12周邊的環境是能夠控制活性狀態A、B的衰減的環境氣氛。能夠 控制活性狀態A、B的衰減的環境氣氛可以是不含堿性物質的惰性氣體氣氛或真空氣氛，也 可以設置切斷堿性物質和/或氧的罩光漆膜。在惰性氣體氣氛的情況下，例如可以使用氮 氣、氦氣、氬氣作為惰性氣體，在減壓、加壓下使用。在真空氣氛的情況下，只要抗蝕劑層12 的周邊是真空即可，優選抗蝕劑層12的周邊為IPa以下的真空。在惰性氣體氣氛或者真空 氣氛的環境中，抗蝕劑層12中產生的活性狀態B的衰減得到抑制。
[0094] 還有，抗蝕劑層12周邊的環境也可以是能夠促進抗蝕劑層12的活性的氣氛或者 液體。使用活性氣體氣氛作為能夠促進活性的環境氣氛。例如，在使用正型化學增幅抗蝕 劑的情況下，使用吸收波長偏移用的反應性氣體作為活性氣體氣氛。例如，使用吸收波長偏 移用的反應性液體作為能夠促進活性的活性液體。抗蝕劑層12中產生的活性狀態B與活 性氣體或者活性液體進行反應，在后面敘述的圖案潛像形成步驟（S107)中變換成活性狀 態a或者穩定物質a1。活性狀態a或者穩定物質a1可以與活性狀態B同樣地作為增 感劑發揮作用。例如，活性狀態a是芳香族化合物自由基、碘化合物自由基，穩定物質a1 是芳香族化合物、碘化合物。另外，在使用活性液體促進活性的情況下，可以在執行圖案潛 像形成步驟（S107)之前從抗蝕劑層12中除去活性液體，也可以在不除去活性液體的情況 下執行圖案潛像形成步驟（S107)。
[0095] 還有，作為環境的控制方法，也可以使用對抗蝕劑層12的溫度進行控制的方法。 由于抗蝕劑層12的溫度超過某一閾值溫度會導致活性狀態衰減，因此，通過將抗蝕劑層12 的溫度保持在閾值溫度以下，能夠對抗蝕劑層12的活性衰減進行抑制。例如，活性化步驟 (S103)之后，在衰減抑制步驟（S105)中進行驟冷處理來使抗蝕劑層12的溫度降到閾值溫 度以下。例如，閾值溫度是30°C。還有，也可以在規定的溫度以下進行活性化步驟（S103)， 從而在衰減抑制步驟（S105)中將抗蝕劑層12的溫度維持在閾值溫度以下。
[0096] 還有，在圖案潛像形成步驟（S107)被執行之前，若抗蝕劑層12被非預期的能量束 照射，則可能活性狀態發生變化且活性衰減。因此，衰減抑制步驟（S105)中，將抗蝕劑層12 置于不被能量束照射的環境中。
[0097] 還有，由于活性狀態隨著時間的推移而衰減，因此，通過對活性化步驟（S103)和 后面敘述的圖案潛像形成步驟（S107)之間的過渡時間進行控制，也能夠對抗蝕劑層12的 活性衰減進行抑制。從活性化步驟到后面敘述的圖案潛像形成步驟的時間優選為60分以 內。另外，溫度、照度或者時間的控制也可以與抗蝕劑層12周邊的環境控制同時進行。
[0098]衰減抑制步驟（S105)之后，如圖1(d)所示，執行圖案潛像形成步驟（S107)。圖 案潛像形成步驟中，通過潛像形成能量束的照射，在活性化了的抗蝕劑層12上形成圖案潛 像。具體來說，潛像形成能量束是將活性狀態B和活性狀態a/穩定物質a1變換到活性 狀態A的光束。在抗蝕劑層12中被潛像形成能量束照射了的部位，活性狀態B和活性狀態 a/穩定物質a1被變換為活性狀態B和活性狀態A或者活性狀態A'（結構不同于活性狀 態A的活性狀態）。還有，潛像形成能量束也可以是將活性狀態B和活性狀態a/穩定物 質a1變換到活性狀態A、并且在抗蝕劑層12上產生活性狀態A或者活性狀態A'的光束。 這種情況下，在抗蝕劑層12中被潛像形成能量束照射了的部位，產生活性狀態A或者活性 狀態A'，并且活性狀態B和活性狀態a/穩定物質a1被變換為活性狀態B和活性狀態A 或者活性狀態A'。如圖2所示，圖案潛像形成步驟（S107)中，潛像形成能量束的照射量Ep 是不超過潛像形成能量的量Ea的照射量，而且潛像形成能量束的照射量Ep和活性能量束 的照射量Ef的總和超過必要能量的量Et。換句話說，圖案潛像形成步驟（S107)中，由活性 狀態B和活性狀態a/穩定物質a1的變換而得到的活性狀態A的量少于顯影時形成抗蝕 劑圖案所需要的量，但是，除了活性化步驟（S103)中不產生活性狀態A的情況，活性化步驟 (S103)中產生的活性狀態A的量和圖案潛像形成步驟（S107)中得到的活性狀態A的量的 總和都超過顯影時形成抗蝕劑圖案所需要的量。
[0099] 潛像形成能量束以從上方照射抗蝕劑層12的方式，由潛像形成能量源22射出。 潛像形成能量源22可以與活化能量源21是同一個，也可以與活化能量源21不同。此處， 相對于照射了活性能量束的抗蝕劑層12的區域內，將潛像形成能量束照射到圖案形狀上。 另外，潛像形成能量束能夠根據形成的圖案的解析度進行選擇，例如可以是UV、DUV、EUV、X 射線之類的電磁波，也可以是電子束或離子束。例如，圖案潛像形成步驟在真空氣氛、活性 氣體氣氛或者惰性氣氛中進行。從而，在抗蝕劑層12中，具有只被活性能量束照射了的第 一曝光部位121、被活性能量束和潛像形成能量束雙方照射了的第二曝光部位122(參照圖 1)〇
[0100] 圖案潛像形成步驟之后，如圖1(e)所示，執行顯影步驟（S110)。顯影步驟中，對 抗蝕劑層12進行顯影。例如，抗蝕劑層12的顯影是在進行預烘烤之后，通過將基板11放 入顯影液槽中而執行的。本實施方式中，抗蝕劑層12的第一曝光部位121接收到的照射量 Ef不超過潛像形成能量的量Ea。第一曝光部位121中產生的活性狀態A的量少于抗蝕劑 圖案的形成所需要的量，因此在顯影液中第一曝光部位121不溶解。另一方面，抗蝕劑層12 的第二曝光部位122接收到的能量的量Es(S卩，Ef+Ep)超過必要能量的量Et。第一曝光部 位121中，所產生的活性狀態A和由變換得到的活性狀態A的總和超過抗蝕劑圖案的形成 所需要的量，因此顯影液導致第二曝光部位122溶解。從而，在基板11上形成規定的抗蝕 劑圖案。
[0101] 參照圖1和圖2對本實施方式的抗蝕劑圖案形成方法進行了說明。本實施方