半導體封裝件及其制法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體封裝件，尤指一種具防內部電子元件相互電磁波干擾的半導體封裝件及其制法。
【背景技術】
[0002]隨著半導體技術的演進，半導體產品已開發出不同封裝產品型態，而為提升電性品質，多種半導體產品具有屏蔽的功能，以防止電磁干擾(ElectromagneticInterference, EU)產生。
[0003]現有避免EMI的射頻(Rad1 frequency, RF)模組,如圖1A至圖1C所示,該射頻模組I用于將多個射頻晶片11a，Ilb與非射頻式電子元件11電性連接在一基板10上，再以如環氧樹脂的封裝膠體13包覆各該射頻晶片11a，Ilb與該非射頻式電子元件11，并于該封裝膠體13上形成一金屬薄膜14。該射頻模組I藉由該封裝膠體13保護該射頻晶片11a, lib、非射頻式電子元件11及基板10，并避免外界水氣或污染物的侵害，且藉由該金屬薄膜14保護該些射頻晶片11a，Ilb免受外界EMI影響。
[0004]然而，現有射頻模組I的外圍雖可藉由包覆該金屬薄膜14以達到避免EMI的目的，但卻無法避免其內部各該射頻晶片11a，Ilb之間的電磁波干擾(EMI)，導致訊號容易發生錯誤。
[0005]因此，如何提供一種能避免射頻模組內部的電子元件相互電磁波干擾的半導體封裝件，實為一重要課題。
【發明內容】
[0006]為克服現有技術的種種缺失，本發明的目的為提供一種半導體封裝件及其制法，以避免各該半導體元件之間相互電磁波干擾。
[0007]本發明的半導體封裝件，包括:基板；多個半導體元件，其設于該基板上；至少一屏蔽件，其立設于該基板上并位于各該半導體元件之間；以及封裝膠體，其設于該基板上，以包覆各該半導體元件與該屏蔽件。
[0008]本發明還提供一種半導體封裝件的制法，包括:設置多個半導體元件與至少一屏蔽件于一基板上，且該屏蔽件位于各該半導體元件之間；以及形成封裝膠體于該基板上，以包覆各該半導體元件與該屏蔽件。
[0009]前述的半導體封裝件及其制法中，該些半導體元件的至少一者為射頻晶片。例如，該射頻晶片為藍牙晶片或W1-Fi晶片。
[0010]前述的半導體封裝件及其制法中，該屏蔽件外露于該封裝膠體。例如，該屏蔽件的外露表面齊平該封裝膠體的表面。
[0011 ] 前述的半導體封裝件及其制法中，該屏蔽件為板體。
[0012]前述的半導體封裝件及其制法中，還包括金屬層，其形成于該封裝膠體上。例如，該金屬層電性連接該屏蔽件，且該金屬層由銅、鎳、鐵、鋁及不銹鋼所組成的群組的材質所制成。又該基板具有用于電性連接該金屬層的線路。
[0013]由上可知，本發明的半導體封裝件及其制法，藉由該屏蔽件位于各該半導體元件之間，以避免各該半導體元件之間發生電磁波相互干擾的問題。
【附圖說明】
[0014]圖1A至圖1C為現有射頻模組的制法的剖面示意圖；以及
[0015]圖2A至圖2C為本發明半導體封裝件的制法的剖面示意圖；其中，圖2A’為圖2A的立體圖，圖2C’為圖2C的另一實施例。
[0016]符號說明
[0017]I射頻模組
[0018]10,20 基板
[0019]11非射頻式電子元件
[0020]11a，Ilb 射頻晶片
[0021]13，23 封裝膠體
[0022]14 金屬薄膜
[0023]2,2’半導體封裝件
[0024]20a 上表面
[0025]20b 下表面
[0026]20c 側表面
[0027]200 電性接觸墊
[0028]201 接地部
[0029]202 內部線路
[0030]21 半導體元件
[0031]21’電子元件
[0032]210 焊線
[0033]210’ 焊球
[0034]22 屏蔽件
[0035]22a 外露表面
[0036]23a 頂面
[0037]23b 底面
[0038]23c 側面
[0039]24 金屬層。
【具體實施方式】
[0040]以下藉由特定的具體實施例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其他優點及功效。
[0041]須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用于限定本發明可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如“上”、“一”及“下”等的用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當也視為本發明可實施的范疇。
[0042]請參閱圖2A至圖2C，其為本發明半導體封裝件的制法的示意圖。于本實施例中，所述的半導體封裝件2可發出電磁波者,例如為射頻(Rad1 frequency, RF)模組。
[0043]如圖2A及圖2A’所示，提供一具有上表面20a及下表面20b的基板20 ;接著，接置多個半導體元件21與至少一屏蔽件22于該基板20的上表面20a上，且該屏蔽件22位于各該半導體元件21之間。
[0044]所述的基板20的上表面20a上具有線路層，該線路層包含多個電性接觸墊200與至少一接地部201。于本實施例中，該基板20的種類繁多，例如，該基板20的線路層具有至少一內部線路202 (如圖2C’所示)，且該內部線路202可選擇性地電性連接該電性接觸墊200與該接地部201，因而該基板20的構造并無特別限制。
[0045]所述的半導體元件21為射頻晶片,例如:藍牙晶片或W1-Fi (Wireless Fidelity)晶片。于本實施例中，該些半導體元件21的其中一者為藍牙晶片，而另一者為W1-Fi晶片，且也可于該基板20的上表面20a上設置其它無影響電磁波干擾的電子元件21’。
[0046]此外，該半導體元件21為打線式晶片，即藉由多個焊線210對應電性連接該基板20上表面20a上的電性接觸墊200 ;或者，該半導體元件21為覆晶式晶片，即藉由多個焊球210’對應電性連接至該基板20上表面20a上的電性接觸墊200。
[0047]所述的屏蔽件22為導電材板體，其立設于該接地部201上并電性連接該接地部201，以將該基板20的上表面20a隔