成多個置放室。
[0048]于本實施例中，該屏蔽件22的形狀并無限制，如不規則狀或幾何形狀，而該些半導體元件21分別置放于各該置放室內，且藉由該屏蔽件22作為電磁波屏障(EMIShielding)，以防止各該半導體元件21之間相互電磁波干擾，例如，防止藍牙晶片與W1-Fi晶片之間的訊號相互干擾。
[0049]如圖2B所示，形成封裝膠體23覆蓋于該基板20的上表面20a上，以包覆各該半導體元件21、電子元件21’與該屏蔽件22。
[0050]于本實施例中，該封裝膠體23具有頂面23a及相對該頂面23a且結合至該基板20的上表面20a的底面23b，且該屏蔽件22外露于該封裝膠體23的頂面23a。具體地，該屏蔽件22的外露表面22a齊平該封裝膠體23的頂面23a。
[0051]此外，各該半導體元件21與電子元件21’并未外露于該封裝膠體23的頂面23a。
[0052]如圖2C所示，以例如化學鍍膜的方式，如濺鍍(sputtering)，形成金屬層24于該基板20的側表面20c、該屏蔽件22的外露表面22a、該封裝膠體23的頂面23a與側面23c上，以形成該半導體封裝件2。
[0053]于本實施例中，該金屬層24電性連接該屏蔽件22，且也藉由該金屬層24作為電磁波屏障，以防止各該半導體元件21之間相互電磁波干擾，例如，防止藍牙晶片與W1-Fi晶片之間的訊號相互干擾。
[0054]此外,也可藉由涂布(coating)與回焊(reflow)方式形成該金屬層24。
[0055]又，形成該金屬層24的材質如銅(Cu)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、招(Al)、不銹鋼(Sus)等。
[0056]另外，于其它實施例中，如圖2C’所示，該金屬層24電性連接該屏蔽件22與該基板20的內部線路202 (因該內部線路202外露于該側面20c)。
[0057]因此，本發明的制法中，藉由該屏蔽件22分隔各該半導體元件21，以避免各該半導體元件21之間發生電磁波相互干擾的問題。
[0058]本發明還提供一種半導體封裝件2，2’，包括:一基板20、多個半導體元件21、至少一屏蔽件22以及封裝膠體23。
[0059]所述的半導體封裝件2為射頻模組。
[0060]所述的基板20具有內部線路202、多個電性接觸墊200與至少一接地部201。
[0061]所述的半導體元件21設于該基板20上且電性連接該些電性接觸墊200。于一實施例中，該半導體元件21為射頻晶片，例如，藍牙晶片或W1-Fi晶片。
[0062]所述的屏蔽件22立設于該基板20上并位于各該半導體元件21之間，且該屏蔽件22電性連接該接地部201。
[0063]所述的封裝膠體23設于該基板20上，以包覆各該半導體元件21與該屏蔽件22。于一實施例中，該屏蔽件22外露于該封裝膠體23。
[0064]于一實施例中，所述的半導體封裝件2還包括金屬層24，其形成于該封裝膠體23上并電性連接該屏蔽件22，且該金屬層24選自銅、鎳、鐵、鋁或不銹鋼的材質。又，該金屬層24可選擇性電性連接該內部線路202。
[0065]綜上所述，本發明的半導體封裝件及其制法，主要藉由該屏蔽件的設計，以避免各該半導體元件之間發生電磁波相互干擾的問題。
[0066]上述實施例僅用于例示性說明本發明的原理及其功效，而非用于限制本發明。任何本領域技術人員均可在不違背本發明的精神及范疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明的權利保護范圍，應如權利要求書所列。
【主權項】
1.一種半導體封裝件，包括: 基板； 多個半導體元件，其設于該基板上； 至少一屏蔽件，其立設于該基板上并位于各該半導體元件之間；以及 封裝膠體，其形成于該基板上，以包覆各該半導體元件與該屏蔽件。2.如權利要求1所述之半導體封裝件，其特征在于，該些半導體元件的至少一者為射頻晶片。3.如權利要求2所述的半導體封裝件，其特征在于，該射頻晶片為藍牙晶片或W1-Fi晶片。4.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該屏蔽件外露于該封裝膠體。5.如權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于，該屏蔽件的外露表面齊平該封裝膠體的表面。6.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該屏蔽件為板體。7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括形成于該封裝膠體上的金屬層。8.如權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，該金屬層電性連接該屏蔽件。9.如權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，該基板具有用于電性連接該金屬層的線路。10.如權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，該金屬層選自由銅、鎳、鐵、鋁及不銹鋼所組成的群組的材質所制成。11.一種半導體封裝件的制法，包括: 設置多個半導體元件與至少一屏蔽件于一基板上，且該屏蔽件位于各該半導體元件之間；以及 形成封裝膠體于該基板上，以包覆各該半導體元件與該屏蔽件。12.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該些半導體元件的至少一者為射頻晶片。13.如權利要求12所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該射頻晶片為藍牙晶片或W1-Fi晶片。14.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該屏蔽件外露于該封裝膠體。15.如權利要求14所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該屏蔽件的外露表面齊平該封裝膠體的表面。16.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該屏蔽件為板體。17.如權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成金屬層于該封裝膠體上。18.如權利要求17所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該金屬層電性連接該屏蔽件。19.如權利要求17所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該基板具有用于電性連接該金屬層的線路。20.如權利要求17所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該金屬層選自由銅、鎳、鐵、鋁及不銹鋼所組成的群組的材質所制成。
【專利摘要】一種半導體封裝件及其制法，該半導體封裝件包括：基板、設于該基板上的多個半導體元件、位于各該半導體元件之間的至少一屏蔽件、以及包覆各該半導體元件與該屏蔽件的封裝膠體，藉由該屏蔽件的設計，以避免各該半導體元件之間相互電磁波干擾。
【IPC分類】H01L21/56, H01L23/31, H01L23/552
【公開號】CN105097784
【申請號】CN201410230567
【發明人】張卓興, 許聰賢, 鐘興隆, 朱德芳, 陳嘉揚
【申請人】矽品精密工業股份有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2014年5月28日
【公告號】US20150333017