氣流的整流板(未圖示)或氣體輸送部5的內壁面等。
[0053]這樣，即使在從等離子體發生區域P到達被處理基板W表面的期間暴露于氫自由基的構件的表面由石英(S12)或氧化鋁膜(Al2O3)等含氧材料所形成，也能夠抑制在氫自由基到達構件表面時發生還原反應。即，能夠抑制有助于被處理基板W的處理的自由基在從等離子體發生區域P到達被處理基板W表面期間因與暴露于氫自由基的構件表面的還原反應而被消耗從而失去活性，被處理基板W的處理效率降低。
[0054]另外，在上述的第1、第2實施方式中，雖然用硅(Si)覆蓋各種構件，但是由于構件表面為硅(Si)即可，因此也可以構件自身就由硅(Si)所構成。
[0055]另外，例如，雖然作為本實施方式的等離子體處理方法而以剝離抗蝕層處理為例進行了說明，但是也可以應用于通過氫自由基進行處理的蝕刻處理等其他方式的等離子體處理方法。
[0056]另外，例如，在上述的第1、第2實施方式中，雖然處理氣體G是含氫氣體，但是也可以應用于使用因其他還原性氣體而生成的還原性自由基的處理中。
[0057]第3實施方式
本實施方式例如涉及用于等離子體處理裝置的放置臺。
[0058]在本實施方式中，也使用圖1所示的等離子體處理裝置100。等離子體處理裝置100是等離子體發生區域從處理容器I隔離的等離子體處理裝置。
[0059]被處理基板W放置于設置在處理容器I內的放置臺4，通過由在等離子體發生區域P中發生的等離子體所生成的活性物質(自由基)等的等離子體生成物來進行等離子體處理。
[0060]在本實施方式中，也通過氫自由基等的還原性自由基來進行被處理基板W的等離子體處理。
[0061]與上述的第1、第2實施方式同樣，在暴露于還原性自由基的構件表面由石英(S12)或氧化鋁膜(Al2O3)等含氧材料所形成時，在還原性自由基到達構件表面時，發生還原反應。即，有助于被處理基板W的處理的自由基因與處理容器I內的構件表面的還原反應而被消耗從而失去活性。其結果，被處理基板W的處理效率降低。構件表面含氮化物時也相同。
[0062]于是，用不與還原性自由基發生還原反應的材料來覆蓋暴露于還原性自由基的構件表面。不發生還原反應的材料例如可以是娃(Si)或無雜質的金屬材料(Al、Pt、Au等)。由于這些不含有氧化物或氮化物等發生還原反應的材料，因此不會與還原性自由基發生還原反應，能夠抑制在構件表面上自由基失去活性。其結果，能夠抑制被處理基板W的處理效率降低。
[0063]放置臺4是放置被處理基板W的構件，例如呈圓柱形狀。
在此，在被處理基板W放置于放置臺4的狀態下俯視該放置臺4時，將由被處理基板W所覆蓋的部分定義為放置面，不由被處理基板W所覆蓋的部分定義為非放置面，將兩個面統一定義為上面。非放置面如下，被設置成鄰接于放置面，既可以由與放置面同一的構件所構成，也可以由其他的構件所構成。
[0064]圖5(a)是表示比較例中的放置臺4-1的圖。對放置臺4_1的上面(放置面與非放置面)實施了氧化鋁膜(Al2O3)表面處理。
[0065]如圖5(a)所示，在放置臺4-1的上面由發生還原反應的材料所形成時，自由基與從被處理基板W露出的非放置面發生還原反應而被消耗。其結果，在接近非放置面的被處理基板W的周邊區域，有助于處理的自由基量減少，灰化速率降低。其結果，被處理基板W的處理均一性降低。
[0066]圖5(b)?圖5(e)是表不本實施方式中的放置臺4-2?4-5的圖。
圖5 (b)是使放置臺4-2的放置面與被處理基板W的背面接觸而放置被處理基板W的圖。
圖5 (c)?圖5 (e)是在放置臺4-3?4_5的各放置面與被處理基板W的背面之間設置間隔而放置被處理基板W的圖。
[0067]在被處理基板W為作為光掩模而使用的石英基板時，由于將被處理基板W放置于放置臺4，因此被處理基板W的成為產品的區域的背面產生傷痕或附著污物等，成為被處理基板W的透過性變差的要因。
[0068]因此，被處理基板W以其成為產品的區域(例如中心部)的背面與放置臺4的放置面具有間隔的方式被放置。例如，通過從放置臺4的放置面突出的放置部4c來保持被處理基板W的不成為產品的區域(例如周端部)的背面。該放置部4c是銷等呈棒狀的構件，其頂端部可保持被處理基板W。
[0069]另外，該放置部4c連接于具有驅動源的升降單元，通過進行升降動作，從而能夠調整被處理基板W的背面與放置臺4的放置面的間隔。例如，在進行灰化時，調整為放置臺4的溫度控制單元4a能夠通過輻射熱來進行被處理基板W的溫度控制的程度的間隔，在搬入搬出被處理基板W時，調整為搬運機器人的搬運手可進入的程度的間隔。
[0070]如圖5(b)?圖5(e)所示，本實施方式中的放置臺4_2?4_5在上面搭載表面被不發生還原反應的材料所覆蓋的基座4b。并且，在本實施方式中，將硅(Si)作為不發生還原反應的材料。另外，在本實施方式中，將氫自由基作為還原性自由基。
[0071]根據本實施方式，即使含有還原性自由基的氣體碰撞非放置面，也由于非放置面由不發生還原反應的材料所形成，因此能夠防止還原性自由基失去活性。
[0072]在此，將自由基用作主體的灰化處理的灰化速率受在等離子體發生區域P中生成的包含在到達被處理基板W的氣體中的自由基量的影響。
由于自由基不具有方向性，因此被氣體的流動所引導而到達被處理基板W。
[0073]由于該氣體從設置于處理容器I的上頂附近的氣體搬運部5的開口部供給，從設置于處理容器I的底部附近的排氣口 8a排出，因此雖然會形成在處理容器I內從上方向下方流動的下降流，但是一部分氣體與處理容器I內的構件發生碰撞而產生對流，也有可能產生從下方向上方流動的氣流。
[0074]因此，即使包含自由基的氣體與放置臺4(4-2?4-5)的非放置面發生碰撞，該氣體也引起對流而到達被處理基板W的處理面，包含在該氣體中的自由基與處理面發生反應，從而能夠進行處理。即，像比較例的放置臺4-1那樣，如果非放置面由發生還原反應的材料所形成，則在放置臺4-1的非放置面上消耗的還原性自由基在本實施方式中不會被消耗，而是因氣體的對流而到達被處理基板W的上面，能夠有助于被處理基板W的處理。由此，能夠加大有助于處理的自由基量，能夠提高被處理基板W的灰化速率。
[0075]另外，在本實施方式中，還要使放置臺4的非放置面的面積大于被處理基板W的面積(放置面的面積)。例如，在將被處理基板W做成200mm直徑的圓盤時，能夠將放置臺4的上面做成300mm直徑的圓形形狀。由此，能夠充分地加大非放置面，通過含有自由基的氣體與非放置面發生碰撞，從而能夠有效地引起對流。S卩，如果放置臺4的上面與被處理基板的面積大致相等(非放置面為大致O)，則原本由減壓部8排出含有自由基的氣體，而在本實施方式中，由于非放置面大到可引起對流的程度，因此原來被排出的含有自由基的氣體與非放置面發生碰撞，所以能夠到達被處理基板W。其結果，能夠加大有助于處理的自由基量，能夠提高被處理基板W的灰化速率。
[0076]另外，在本實施方式中，還優選被不與還原性自由基發生還原反應的材料所覆蓋的放置臺4-2?4-5的非放置面位于被處理基板W的處理面的下方。
[0077]例如，即使非放置面由不發生還原反應的材料所形成，在非放置面位于被處理基板W的處理面的上方時，也由于含有自由基的氣體與處理面相比更先與非放置面發生碰撞，因此也有可能自由基彼此發生反應而失去活性。但是，像本實施方式的放置臺4-2?4-5那樣，通過使非放置面位于被處理基板W的處理面的下方，從而能夠防止含有自由基的氣體在到達被處理基板W