放置臺及等離子體處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種放置臺及等離子體處理裝置。
【背景技術】
[0002]作為用于進行對形成在半導體裝置制造用的硅片、曝光掩模用的玻璃基板等被處理基板上的抗蝕層進行剝離的灰化處理的裝置，存在利用等離子體的等離子體處理裝置。
[0003]在進行灰化處理等的等離子體處理時，有時會將從等離子體生成的自由基作為主體而進行化學處理。例如，在一般稱之為遠程等離子體處理裝置的等離子體發生區域與處理容器隔離的等離子體處理裝置中進行處理時，在放電管內發生等離子體，通過使因等離子體而生成的等離子體生成物中壽命也長的活性物質(自由基)到達被處理基板表面上，從而進行處理。
[0004]在這樣的等離子體處理裝置中，如專利文獻I所示，預先進行用氣體耐腐蝕性、耐熱性出色的氧化鋁膜(Al2O3)來覆蓋處理容器內的構件(例如放置被處理基板的放置臺)表面的處理。
[0005]另外，如專利文獻2所示，近幾年在灰化處理中作為對抗蝕層的底膜的損傷少的處理氣體而有時會使用氫氣等的還原性氣體。
[0006]但是，存在如下問題，當用氧化鋁膜覆蓋處理容器內的構件(例如放置被處理基板的放置臺)表面時，即使自由基到達處理容器，也與處理容器內的氧化鋁膜發生反應而自由基失去活性。
[0007]尤其，通過含氫氣體來進行灰化處理時，含氫氣體的因等離子體而生成的氫自由基與包含在氧化鋁膜中的氧發生反應，從而失去活性。這樣，在使用氫等還原性氣體而進行等離子體處理時，從還原性氣體的等離子體生成的還原性自由基與引起還原反應的構件發生反應，從而失去活性。因此，存在接近放置臺表面的氧化鋁膜等引起還原反應的構件的區域即被處理基板的周緣部的灰化速率降低的問題。
[0008]專利文獻1:日本國特開平8-195343號公報專利文獻2:日本國特開2006-13190號公報
【發明內容】
[0009]本發明所要解決的技術問題是提供一種放置臺及等離子體處理裝置，其抑制還原性自由基失去活性，能夠提高等離子體處理效率。
[0010]根據實施方式所涉及的放置臺，放置通過還原性自由基來進行處理的被處理基板，其特征為，所述放置臺具備:在俯視時被所述被處理基板所覆蓋的放置面；及鄰接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不與還原性自由基發生還原反應的材料所覆蓋。
[0011]根據本發明，抑制還原性自由基中的活性物質失去活性，能夠提高等離子體處理效率。
【附圖說明】
[0012]圖1是用于例示第I實施方式所涉及的等離子體處理裝置的模式剖視圖。
圖2(a)及圖2(b)是在從斷面觀察被處理基板W時的圖。
圖3(a)?圖3(c)是比較第I實施方式與現有實施方式的灰化速率分布圖。
圖4(a)?圖4(c)是用于例示第2實施方式所涉及的等離子體處理方法的模式剖視圖。
圖5(a)?圖5(e)是被處理基板W及放置臺4的剖視圖。
【具體實施方式】
[0013]以下，在本實施方式中“灰化”、“剝離抗蝕層”、“去除抗蝕層”是相同意思。另外，“活性物質”、“自由基”是相同意思。
[0014]第I實施方式
以下，參照附圖對實施方式進行例示。并且，在各附圖中，對相同的構成要素標注相同的符號并適當省略詳細說明。
[0015]在本實施方式中，例示對形成在玻璃基板等非處理基板W的被處理面上的抗蝕層進行剝離處理的等離子體處理裝置。
[0016]圖1是用于例示第I實施方式所涉及的等離子體處理裝置100的模式剖視圖。圖1所示的等離子體處理裝置100是等離子體發生區域從處理容器I隔離的等離子體處理裝置，一般稱之為遠程等離子體處理裝置。
[0017]等離子體處理裝置100具備處理容器1、等離子體發生部3、減壓部8。等離子體發生部3設置有放電管7、微波發生部10、導入波導管6、氣體供給部2等。
[0018]處理容器I
處理容器I是以可維持減壓氣氛的方式被密封的容器。被處理基板W如下，放置在設置于處理容器I內的放置臺4上，通過因在等離子體發生區域P中發生的等離子體而生成的等離子體生成物來進行灰化處理。放置臺4中內置加熱器等溫度控制單元4a，可進行被處理基板W的溫度控制。對放置臺4進行后述。
[0019]搬入搬出口 9
在處理容器I的側壁上設置有將被處理基板W搬入、搬出于處理容器I內的搬入搬出口 9。搬入搬出口 9處設置有閘閥9a。閘閥9a具有門9b，通過閥門開閉機構(未圖示)對門9b進行開閉，從而開放、關閉搬入搬出口 9。門9b具備O型環等密封構件9c，在用門9b關閉搬入搬出口 9時，能夠密封搬入搬出口 9與門9b的接觸面。
[0020]排氣口 8a
在處理容器I內的底部附近設置有排氣口 8a，通過壓力控制部8b連接有減壓部8。減壓部8通過壓力控制部Sb在對處理容器I內的壓力進行控制的同時進行排氣，處理容器I內部的壓力成為規定的壓力為止進行減壓。
[0021]放電管7、氣體搬運部5
在內部具有等離子體發生區域的放電管7通過氣體搬運部5連接于處理容器I。氣體搬運部5與設置在處理容器I的上頂附近的未圖示的開口部相連接。在等離子體發生區域P中生成的等離子體生成物能夠經由該氣體搬運部5而到達被處理基板W的主面。
[0022]氣體供給部2
氣體供給部2通過以規定的比例混合2種以上的處理氣體的氣體混合部5a向放電管7內部的等離子體發生區域P導入規定量的處理氣體G。通過在等離子體發生區域P中激發該處理氣體G，從而生成等離子體生成物。處理氣體G可以是含氫的氣體與非活性氣體的混合氣體。作為非活性氣體可以是氮或氦或氬。也可以將處理氣體G只視為氫氣。此時，也可以不設置氣體混合部5a。當處理氣體G為含氫的氣體時，生成氫自由基等的等離子體生成物。
[0023]微波發生部10
微波發生部10使規定能量(例如2.45GHz)的微波M發生震蕩，而向導入波導管6放射。
[0024]導入波導管6
導入波導管6傳播從微波發生部10放射的微波M而向放電管7內部的等離子體發生區域P導入微波M。
因被導入的微波M而得到能量，從而在等離子體發生區域P中形成處理氣體G的等離子體。包含在等離子體中的自由基等活性物質通過氣體搬運部5被供給到處理容器I內的被處理基板W上，進行抗蝕層的灰化處理。
[0025]在此，在從等離子體發生區域P到達被處理基板W表面期間，當暴露于氫自由基的構件的表面由包含石英(S12)或氧化鋁膜(Al2O3)等含氧材料所形成時，在氫自由基到達構件表面時發生還原反應。即，有助于被處理基板W的處理的氫自由基在從等離子體發生區域P到達被處理基板W表面期間因與暴露于氫自由基的構件表面的還原反應而被消耗從而失去活性。其結果，被處理基板W的處理效率降低。在構件表面包含氮化物時也相同。
[0026]于是，用硅(Si)覆蓋在從等離子體發生區域P到達被處理基板W表面期間暴露于氫自由基的構件表面。由于硅(Si)不含氧，因此不會與氫自由基發生還原反應，能夠抑制在構件表面上自由基失去活性。其結果，能夠抑制被處理基板W的處理效率降低。
[0027]在此，作為在從等離子體發生區域P到達被處理基板W表面期間暴露于氫自由基的構件，以下進一步例示放置被處理基板W的放置臺4而進行說明。
[0028]放置臺4
在放置臺4的表面由石英(S12)或氧化鋁膜(Al2O3)等含氧材料所形成時，當氫自由基到達構件表面時發生還原反應。<