域，光刻膠未保留 區域對應于上述圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除， 光刻膠保留區域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域的源 漏金屬層，剝離剩余的光刻膠，形成源電極（未圖示）、漏電極（未圖示）、數據線5和公共 電極線4,可以看出，跨接線2位于公共電極線4的延伸方向上，公共電極線4通過過孔3與 跨接線2連接，這樣相鄰的公共電極線4可以通過跨接線2連接起來，過孔3位于公共電極 線4下方，因此不會對顯示裝置的開口率造成影響。
[0076] S5、在完成S4的基板上形成公共電極6的圖形；
[0077] 具體地，如圖3所示，在完成S4的基板上通過濺射或熱蒸發的方法沉積厚度約為 300 ~ 1500人的透明導電層，透明導電層可以是ITO、IZO或者其他的透明金屬氧化物，在 透明導電層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保 留區域和光刻膠保留區域，其中，光刻膠保留區域對應于公共電極6的圖形所在區域，光刻 膠未保留區域對應于上述圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被 完全去除，光刻膠保留區域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保 留區域的透明導電層薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成公共電極6的圖形。如圖4-6所示，公 共電極6與公共電極線4直接連接，從而實現陣列基板上的公共電極6的連通，由于公共電 極6與公共電極線4不是通過過孔轉接，因此能夠優化公共電極6和公共電極線4的連接 情況，降低出現顯示不良的幾率。
[0078] S6、在完成S5的基板上形成包括有鈍化層過孔的鈍化層8 ;
[0079] 具體地，可以在完成S5的基板上采用磁控濺射、熱蒸發、PECVD或其它成膜方法沉 積厚度為2000 ~ 1000A的鈍化層8,鈍化層8可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物， 具體地，鈍化層材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)X，鈍化層8還可以使用A1203。鈍化層可以 是單層結構，也可以是采用氮化硅和氧化硅構成的兩層結構。其中，硅的氧化物對應的反應 氣體可以為SiH4,N20 ;氮化物或者氧氮化合物對應氣體可以是SiH4,NH3,隊或SiH2C12,NH3， N2。通過一次構圖工藝形成包括有鈍化層過孔的鈍化層8的圖形。
[0080] S7、在完成S6的基板上形成像素電極9的圖形。
[0081] 具體地，在完成S6的基板上通過濺射或熱蒸發的方法沉積厚度約為300 ~ 1500A的透明導電層，透明導電層可以是it〇、izo或者其他的透明金屬氧化物，在透明導 電層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域 和光刻膠保留區域，其中，光刻膠保留區域對應于像素電極9的圖形所在區域，光刻膠未保 留區域對應于上述圖形以外的區域；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去 除，光刻膠保留區域的光刻膠厚度保持不變；通過刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區域 的透明導電層薄膜，剝離剩余的光刻膠，形成像素電極9的圖形，像素電極9通過鈍化層過 孔與漏電極連接。
[0082] 經過上述步驟即可制作得到本實施例的陣列基板，陣列基板在AA'方向、BB'方向 以及CC'方向的截面分別如圖7、圖8和圖9所示。本實施例連接公共電極線和跨接線的過 孔設置在公共電極線下方，不會影響顯示裝置的開口率；另外陣列基板的公共電極和公共 電極線直接連接，而不是通過過孔連接，因此不需要設置用于連接公共電極線和公共電極 的過孔，能夠提高顯示裝置的開口率，同時公共電極和公共電極線直接連接，能夠優化公共 電極和公共電極線的連接情況，降低出現顯示不良的幾率。
[0083] 以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員 來說，在不脫離本發明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也 應視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1. 一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵電極、柵線、柵絕緣層、源電極、漏電極、 數據線、公共電極和公共電極線，其特征在于，所述公共電極線與所述公共電極直接連接。
2. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述源電極、漏電 極、數據線同層同材料設置，相鄰的兩個在所述柵線的平行方向上分布的公共電極線通過 跨接線電性連接。
3. 根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述跨接線位于與其電性連接的公 共電極線的延伸方向上。
4. 根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述跨接線為金屬線，并與所述柵電 極和柵線同層同材料設置。
5. 根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述跨接線通過第一過孔和第二過 孔將相鄰的兩個在所述柵線的平行方向上分布的公共電極線電性連接，其中，所述第一過 孔和所述第二過孔均位于所述公共電極線下方，貫穿所述柵絕緣層。
6. 根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔和所述第二過孔內設 置有用于將所述公共電極線和所述跨接線連接的公共電極線。
7. 根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔和所述第二過孔內設 置有用于將所述公共電極線和所述跨接線連接的公共電極。
8. -種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-7任一項所述的陣列基板。
9. 一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括形成在襯底基板上的柵電極、柵線、 柵絕緣層、源電極、漏電極、數據線、公共電極和公共電極線，其特征在于，所述制作方法包 括： 形成直接連接的公共電極線和公共電極。
10. 根據權利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 通過一次構圖工藝同時形成所述源電極、漏電極、數據線和所述公共電極線，相鄰的兩 個在所述柵線的平行方向上分布的公共電極線通過跨接線電性連接。
11. 根據權利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括： 通過一次構圖工藝同時形成所述柵電極、柵線和所述跨接線。
12. 根據權利要求11所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括： 形成貫穿所述柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和第二過孔均位于所述 公共電極線下方，所述跨接線通過所述第一過孔和第二過孔將相鄰的兩個在所述柵線的平 行方向上分布的公共電極線電性連接。
13. 根據權利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一過孔和 第二過孔具體為： 在形成柵絕緣層后，對所述柵絕緣層進行構圖形成所述第一過孔和第二過孔；或 在形成所述公共電極線后，對所述柵絕緣層進行構圖形成所述第一過孔和第二過孔。
【專利摘要】本發明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示技術領域。該陣列基板包括形成在襯底基板上的柵電極、柵線、柵絕緣層、源電極、漏電極、數據線、公共電極和公共電極線，其中，所述公共電極線與所述公共電極直接連接。本發明的技術方案能夠提高顯示裝置的開口率，同時優化公共電極和公共電極線的連接情況，降低出現顯示不良的幾率。
【IPC分類】H01L27-12, H01L21-768, H01L21-84, H01L23-52
【公開號】CN104835782
【申請號】CN201510260761
【發明人】陳傳寶, 王炎
【申請人】合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年5月20日