陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 隨著TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶體管）產業的進步及工藝的改善， AD_ADS(ADvancedSuperDimensionSwitch，高級超維場轉換，簡稱ADS)廣視角技術已被 應用到越來越多的產品當中，包括手機、數碼相機、平板電腦、筆記本電腦、及液晶電視等， 其優良的顯示特性已被越來越多的用戶所推崇，市場競爭力很強。
[0003] ADS技術是通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電 極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子 都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以 提高TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜場效應晶體管液晶顯 示器）產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開□率、低色差、無擠 壓水波紋（pushMura)等優點。
[0004] 現有的ADS陣列基板一般采用柵金屬層來制作公共電極線，采用透明導電層來制 作公共電極，并通過設置在像素區域的過孔將公共電極線和公共電極連接起來，由于過孔 的數量較多，因此會影響顯示裝置的開口率；并且由于公共電極線和公共電極是通過過孔 搭接在一起，因此，在過孔處還存在搭接不良的風險，導致出現顯示不良的幾率增加。
【發明內容】
[0005] 本發明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠提 高顯示裝置的開口率，同時優化公共電極和公共電極線的連接情況，降低出現顯示不良的 幾率。
[0006] 為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：
[0007] -方面，提供一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵電極、柵線、柵絕緣層、源 電極、漏電極、數據線、公共電極和公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極直接連接。
[0008] 進一步地，所述公共電極線與所述源電極、漏電極、數據線同層同材料設置，相鄰 的兩個在所述柵線的平行方向上分布的公共電極線通過跨接線電性連接。
[0009] 進一步地，所述跨接線位于與其電性連接的公共電極線的延伸方向上。
[0010] 進一步地，所述跨接線為金屬線，并與所述柵電極和柵線同層同材料設置。
[0011] 進一步地，所述跨接線通過第一過孔和第二過孔將相鄰的兩個在所述柵線的平行 方向上分布的公共電極線電性連接，其中，所述第一過孔和所述第二過孔均位于所述公共 電極線下方，貫穿所述柵絕緣層。
[0012] 進一步地，所述第一過孔和所述第二過孔內設置有用于將所述公共電極線和所述 跨接線連接的公共電極線。
[0013] 進一步地，所述第一過孔和所述第二過孔內設置有用于將所述公共電極線和所述 跨接線連接的公共電極。
[0014] 本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0015] 本發明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括形成在襯底 基板上的柵電極、柵線、柵絕緣層、源電極、漏電極、數據線、公共電極和公共電極線，所述制 作方法包括：
[0016] 形成直接連接的公共電極線和公共電極。
[0017] 進一步地，所述制作方法包括：
[0018] 通過一次構圖工藝同時形成所述源電極、漏電極、數據線和所述公共電極線，相鄰 的兩個在所述柵線的平行方向上分布的公共電極線通過跨接線電性連接。
[0019] 進一步地，所述制作方法還包括：
[0020] 通過一次構圖工藝同時形成所述柵電極、柵線和所述跨接線。
[0021 ] 進一步地，所述制作方法還包括：
[0022] 形成貫穿所述柵絕緣層的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔和第二過孔均位于 所述公共電極線下方，所述跨接線通過所述第一過孔和第二過孔將相鄰的兩個在所述柵線 的平行方向上分布的公共電極線電性連接。
[0023] 進一步地，形成所述第一過孔和第二過孔具體為：
[0024] 在形成柵絕緣層后，對所述柵絕緣層進行構圖形成所述第一過孔和第二過孔；或
[0025] 在形成所述公共電極線后，對所述柵絕緣層進行構圖形成所述第一過孔和第二過 孔。
[0026] 本發明的實施例具有以下有益效果：
[0027] 上述方案中，陣列基板的公共電極和公共電極線直接連接，而不是通過過孔連接， 因此不需要設置用于連接公共電極線和公共電極的過孔，能夠提高顯示裝置的開口率，同 時公共電極和公共電極線直接連接，能夠優化公共電極和公共電極線的連接情況，降低出 現顯示不良的幾率。
【附圖說明】
[0028] 圖1為本發明實施例形成柵線和跨接線后的示意圖；
[0029] 圖2為本發明實施例形成數據線和公共電極線后的示意圖；
[0030] 圖3為本發明實施例形成公共電極后的示意圖；
[0031] 圖4為圖3所示結構AA'方向上的截面示意圖；
[0032] 圖5為圖3所示結構BB'方向上的截面示意圖；
[0033] 圖6為圖3所示結構CC'方向上的截面示意圖；
[0034] 圖7為本發明實施例陣列基板的AA'方向上的截面示意圖；
[0035] 圖8為本發明實施例陣列基板的BB'方向上的截面示意圖；
[0036] 圖9為本發明實施例陣列基板的CC'方向上的截面示意圖。
[0037] 附圖標記
[0038] 1柵線 2跨接線 3過孔
[0039] 4公共電極線 5數據線 6公共電極
[0040] 7柵絕緣層 8鈍化層 9像素電極
【具體實施方式】
[0041] 為使本發明的實施例要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合 附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0042] 本發明的實施例針對現有技術中公共電極線和公共電極通過過孔連接，造成像素 區域過孔的數量較多，影響顯示裝置的開口率；并且由于公共電極線和公共電極是通過過 孔搭接在一起，在過孔處還存在搭接不良的風險的問題，提供一種陣列基板及其制作方法、 顯示裝置，能夠提高顯示裝置的開口率，同時優化公共電極和公共電極線的連接情況，降低 出現顯示不良的幾率。
[0043] 實施例一
[0044]本實施例提供了一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的柵電極、柵線、柵絕緣 層、源電極、漏電極、數據線、公共電極和公共電極線，其中，所述公共電極線與所述公共電 極直接連接。
[0045] 本實施例陣列基板的公共電極和公共電極線直接連接，而不是通過過孔連接，因 此不需要設置用于連接公共電極線和公共電極的過孔，能夠提高顯示裝置的開口率，同時 公共電極和公共電極線直接連接，能夠優化公共電極和公共電極線的連接情況，降低出現 顯示不良的幾率。
[0046] -具體實施例中，公共電極線與源電極、漏電極、數據線同層同材料設置，這樣可 以通過一次構圖工藝同時形成公共電極線與源電極、漏電極、數據線，減少了制作陣列基板 的構圖工藝的次數，相鄰的兩個在柵線的平行方向上分布的公共電極線通過跨接線電性連 接。
[0047] 優選地，跨接線位于與其電性連接的公共電極線的