導電類型離子注入，所述第二導電類型與平面VDMOS有源區導電類型相同，與第一導電類型相反。
[0051]可見，在本發明實施例提供的平面VDMOS環區制造方法中，通過優化環區制作流程，首先完成終端環區的刻蝕及注入，而后再完成截止環區的刻蝕及注入。有效地避免了終端環區側壁形貌受到截止環區制備過程中去膠不凈的影響，改善了終端環區側壁形貌，解決了器件耐壓降低和可靠性不高的技術問題。
[0052]在本發明的一個實施例中，優選地，第一導電類型可以為N型，相應地，第二導電類型可以為P型。
[0053]在本發明的另一個實施例中，優選地，第一導電類型可以為P型，相應地，第二導電類型可以為N型。
[0054]在本發明的一個實施例中，終端環區的終端環結構可以為一個終端環，或多個終端環并列的方式。
[0055]在本發明的另一個實施例中，為了能使等勢線逐步平緩地終結于平面VDMOS器件表面，當終端環區包括多個終端環時，優選地，終端環間隙可以采用等差增加的方案，即由內而外的間隔等差增加。
[0056]下面以具體制備一種平面VDMOS的環區為例，來詳細說明本發明實施例的實現過程，參見圖11:
[0057]步驟1101:完成終端環區的光刻、刻蝕及P+離子注入。
[0058]在一個有源區為N型的平面VDMOS器件中，終端環的離子注入類型需要為P型。在本步驟中，首先進行終端環區的光刻、刻蝕和離子注入過程，其中終端環為5個，由內而外的間隔依次為:lum、2um、3um和4um。
[0059]步驟1102:完成截止環區的光刻、刻蝕及N+離子注入。
[0060]本步驟中，在完成終端環區的制備過程后，再進行截止環區的制備過程，這樣可以有效避免截止環區制備中去膠不凈影響終端環區形貌的問題。制備完成后環區形貌如圖
12、圖13所示。
[0061]至此，則完成了本發明實施例平面VDMOS環區的制備過程。
[0062]本發明一個實施例還提供一種平面VDMOS環區制造系統，如圖14，包括:
[0063]終端環制造單元1401，用于完成終端環區的光刻、刻蝕及第一導電類型離子注A ；
[0064]截止環制造單元1402，用于完成截止環區的光刻、刻蝕及第二導電類型離子注入，所述第二導電類型與平面VDMOS有源區導電類型相同，與第一導電類型相反。
[0065]在本發明的一個實施例中，優選地，第一導電類型可以為N型，相應地，第二導電類型可以為P型。
[0066]在本發明的另一個實施例中，優選地，第一導電類型可以為P型，相應地，第二導電類型可以為N型。
[0067]在本發明的一個實施例中，終端環區的終端環結構可以為一個終端環，或多個終端環并列的方式。
[0068]在本發明的另一個實施例中，為了能使等勢線逐步平緩地終結于平面VDMOS器件表面，當終端環區包括多個終端環時，優選地，終端環間隙可以采用等差增加的方案，即由內而外的間隔等差增加。
[0069]可見，本發明實施例具有如下有益效果:
[0070]在本發明實施例提供的平面VDMOS環區制造方法和系統中，通過優化環區制作流程，首先完成終端環區的刻蝕及注入，而后再完成截止環區的刻蝕及注入。有效地避免了終端環區側壁形貌受到截止環區制備過程中去膠不凈的影響，改善了終端環區側壁形貌，解決了器件耐壓降低和可靠性不高的技術問題。
[0071]最后應說明的是:以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和范圍。
【主權項】
1.一種平面VDMOS環區制造方法，其特征在于，包括: 完成終端環區的光刻、刻蝕及第一導電類型離子注入； 完成截止環區的光刻、刻蝕及第二導電類型離子注入，所述第二導電類型與平面VDMOS有源區導電類型相同，與第一導電類型相反。
2.根據權利要求1所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于: 所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。
3.根據權利要求1所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于: 所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于: 所述終端環區包括一個或多個終端環。
5.根據權利要求4所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于: 當所述終端環區包括多個終端環時，所述終端環由內而外的間隔等差增加。
6.一種平面VDMOS環區制造系統，其特征在于，包括: 終端環制造單元，用于完成終端環區的光刻、刻蝕及第一導電類型離子注入； 截止環制造單元，用于完成截止環區的光刻、刻蝕及第二導電類型離子注入，所述第二導電類型與平面VDMOS有源區導電類型相同，與第一導電類型相反。
7.根據權利要求6所述的平面VDMOS環區制造系統，其特征在于: 所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。
8.根據權利要求6所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于: 所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。
9.根據權利要求6至8中任一項所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于: 所述終端環區包括一個或多個終端環。
10.根據權利要求9所述的平面VDMOS環區制造方法，其特征在于: 當所述終端環區包括多個終端環時，所述終端環由內而外的間隔等差增加。
【專利摘要】本發明提供一種平面VDMOS環區制造方法和系統，包括：完成終端環區的光刻、刻蝕及第一導電類型離子注入；完成截止環區的光刻、刻蝕及第二導電類型離子注入，所述第二導電類型與平面VDMOS有源區導電類型相同，與第一導電類型相反。在本發明提供的平面VDMOS環區制造方法和系統中，通過優化環區制作流程，首先完成終端環區的刻蝕及注入，而后再完成截止環區的刻蝕及注入。有效地避免了終端環區側壁形貌受到截止環區制備過程中去膠不凈的影響，改善了終端環區側壁形貌，解決了器件耐壓降低和可靠性不高的技術問題。
【IPC分類】H01L21-336
【公開號】CN104810285
【申請號】CN201410032189
【發明人】趙圣哲
【申請人】北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2014年1月23日