覆蓋上述源極電極88的接近長度方向上的中央的部分的長度方向部76的端部76A接近的位置的第一連結部79B的面積，大于設置在與長度方向部76的端部76B接近的位置的第二連結部79A的面積。另外，設置在與覆蓋上述源極電極88的接近長度方向上的中央的部分的長度方向部76的端部76A接近的位置的第一連結部80B的面積，大于設置在與長度方向部76的端部76B接近的位置的第二連結部80A的面積。由此，能夠提高源極電極焊盤66的集電效率。
[0156]S卩，與位于源極電極焊盤66的長度方向部76的周邊側的端部76B的通孔81相比，在源極電極焊盤66的長度方向部76的中央側的端部76A的通孔81流動更多的電流，因此，通過使設置在與元件的中央側的端部76A接近的位置的連結部80B比設置在與元件的周邊側的端部76B接近的位置的連結部80A粗，能夠提高作為連結部配線的可靠性。
[0157]另外，該第二實施方式中，利用在與上述漏極電極焊盤65的長度方向上的兩端部72A、72B對應的部位的層間絕緣層58形成的通孔74，使上述漏極電極焊盤65與上述漏極電極87電連接，因此，能夠提高漏極電極焊盤65的集電效率。另外，利用在與上述源極電極焊盤66的長度方向上的兩端部76A、76B對應的部位的層間絕緣層58形成的通孔30，使上述源極電極焊盤16與上述源極電極38電連接，因此，能夠提高源極電極焊盤66的集電效率。
[0158](第三實施方式)
[0159]圖5是作為本發明的第三實施方式的GaNHFET (異質結場效應晶體管)的平面示意圖。另外，圖6是表示圖5的C-C線截面的截面圖。
[0160]該第三實施方式的GaNHFET，與上述的第一實施方式同樣，在Si襯底101上依次層疊不摻雜GaN層102、不摻雜AlGaN層103，構成由該不摻雜GaN層102和不摻雜AlGaN層103形成異質結的GaN類層疊體。
[0161]在上述不摻雜GaN層102與不摻雜AlGaN層53的界面產生2DEG( 二維電子氣)106。另外，在上述GaN類層疊體上依次形成有保護膜107、層間絕緣膜108。作為上述保護膜107的材料例如在此使用SiN，但是也可以使用Si02、Al203等。另外，作為上述層間絕緣膜108的材料例如在此使用聚酰亞胺，但是也可以使用SOG(Spin On Glass:旋涂玻璃)、BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass:硼磷娃玻璃)等的絕緣材料。另外，上述SiN保護膜107的膜厚在此作為一個例子采用150nm，但是可以在20nm?250nm的范圍內設定。
[0162]另外，在上述GaN類層疊體中形成有到達不摻雜GaN層102的凹槽，在該凹槽形成有成為歐姆電極的漏極電極基部111和源極電極基部112。該漏極電極基部111和源極電極基部112，作為一個例子，采用將Ti層、Al層、TiN層依次層疊而成的Ti/Al/TiN電極。另外，在上述漏極電極基部111上由與漏極電極基部111同樣的材料形成有漏極電極配線135。另外，在上述源極電極基部112上由與源極電極基部112同樣的材料形成有源極電極配線136。上述漏極電極基部111和漏極電極配線135構成漏極電極137。另外，上述源極電極基部112和源極電極配線136構成源極電極138。
[0163]另外，在上述保護膜107形成有開口，在該開口形成有柵極電極113。該柵極電極113例如由TiN制造而成，形成為與不摻雜AlGaN層103進行肖特基接合的肖特基電極。
[0164]如圖5所示，該第三實施方式包括多個指狀的漏極電極137和多個指狀的源極電極138。上述源極電極138和漏極電極137在與作為上述漏極電極137和源極電極138呈指狀延伸的方向的長度方向交叉的方向上交替地排列。
[0165]如圖5、圖6所示，在上述層間絕緣膜108上形成有漏極電極焊盤115和源極電極焊盤116。
[0166]上述漏極電極焊盤115具有沿上述漏極電極137在長度方向上延伸的多個長度方向部122、123。該長度方向部123的與長度方向正交的方向上的寬度尺寸大于上述長度方向部122的寬度尺寸，該長度方向部123兼作為接合部。上述長度方向部123位于寬度方向的一端的長度方向部122與寬度方向的另一端的長度方向部122之間，位于漏極電極焊盤115的大致中央。
[0167]另外，上述漏極電極焊盤115具有在與上述長度方向交叉的方向上延伸且與上述長度方向部122、123相連的連結部125。該連結部125位于比上述漏極電極137和源極電極138的一端更靠長度方向外方的位置。在與上述漏極電極焊盤115所具有的長度方向部122,123的長度方向上的兩端部122A、122B、123A、123B對應的部位的層間絕緣膜108形成有通孔124。經該通孔124，上述漏極電極焊盤115的各長度方向部122、123與各漏極電極137電連接。
[0168]另一方面，上述源極電極焊盤116具有沿上述源極電極138在長度方向上延伸的多個長度方向部126、127。該長度方向部127的與長度方向正交的方向的寬度尺寸大于上述長度方向部126的寬度尺寸，該長度方向部127兼作為接合部。上述長度方向部127位于寬度方向的一端的長度方向部126與寬度方向的另一端的長度方向部126之間，位于源極電極焊盤116的大致中央。
[0169]另外，上述源極電極焊盤116具有在與上述長度方向交叉的方向上延伸且與上述長度方向部126、127相連的連結部128。該連結部128位于比上述源極電極138和漏極電極137的一端更靠長度方向外方的位置。在與上述源極電極焊盤116所具有的長度方向部126,127的長度方向上的兩端部126A、126B、127A、127B對應的部位的層間絕緣膜108形成有通孔130。經該通孔130，上述源極電極焊盤116的各長度方向部126、127與各源極電極138電連接。
[0170]此外，雖然在圖5中未圖示，但是上述柵極電極113通過柵極電極連接配線與柵極電極焊盤連接。
[0171]上述結構的第三實施方式的GaNHFET為常導通型，通過對上述柵極電極113施加負電壓而被截止。
[0172]如圖5所示，該第三實施方式的源極電極焊盤116中，中央的長度方向部127局部地覆蓋I根漏極電極122和2根源極電極138。另外，兩端的2個長度方向部126局部地覆蓋源極電極138，但不覆蓋漏極電極137。另外，該源極電極焊盤116的連結部128不覆蓋漏極電極137。因此，能夠減少源極電極焊盤116與漏極電極137之間的寄生電容。
[0173]另外，該第三實施方式的漏極電極焊盤115中，中央的長度方向部123和兩端的2個長度方向部122覆蓋漏極電極137，但不覆蓋源極電極138。另外，該漏極電極焊盤115的連結部125不覆蓋源極電極138。因此，能夠減少漏極電極焊盤115與源極電極138之間的寄生電容。
[0174]通過這樣的源極電極焊盤116和漏極電極焊盤115的結構，在該第三實施方式中，能夠減少源極-漏極間的寄生電容。因此，根據該第三實施方式，能夠減少作為源極-漏極間的寄生電容與柵極-漏極間的寄生電容之和的輸出電容。由此，能夠防止開關時的瞬時振蕩，能夠提尚開關速度，能夠減少開關損失。另外，輸出電容減少，所以尚頻增益提尚。
[0175]另外，該第三實施方式中，利用在與上述漏極電極焊盤115的長度方向部122、123的長度方向上的兩端部122A、122B、123A、123B對應的部位的層間絕緣層108形成的通孔124，使上述漏極電極焊盤115與上述漏極電極137電連接，因此，能夠提高漏極電極焊盤115的集電效率。另外，利用在與上述源極電極焊盤116的長度方向部126、127的長度方向上的兩端部126A、126B、127A、127B對應的部位的層間絕緣層108形成的通孔130，使上述源極電極焊盤116與上述源極電極138電連接，因此，能夠提高源極電極焊盤116的集電效率。
[0176](第二實施方式的比較例)
[0177]接著，圖7表示上述的第二實施方式的比較例的平面示意圖。該比較例替代上述的第二實施方式的漏極電極焊盤65和源極電極焊盤66，而具有漏極電極焊盤165和源極電極焊盤166，僅這點與上述的第二實施方式不同。由此，該比較例中，對與上述的第二實施方式相同的部位標注相同的附圖標記，主要說明與上述第二實施方式不同的點。
[0178]如圖7所示，該比較例所具備的漏極電極焊盤165整體為四邊形狀，覆蓋漏極電極87的面積僅比覆蓋源極電極88的面積少大約一成。另外，該比較例所具備的源極電極焊盤166整體為四邊形狀，覆蓋源極電極88的面積僅比覆蓋漏極電極87的面積少大約一成。
[0179]S卩，在該比較例中，漏極電極焊盤165覆蓋漏極電極87的面積與源極電極焊盤166覆蓋漏極電極87的面積大致相同，并且，源極電極焊盤166覆蓋源極電極88的面積與漏極電極焊盤165覆蓋源極電極88的面積大致相同。
[0180]因此，與上述的第二實施方式的源極電極焊盤66與漏極電極87之間的寄生電容相比，該比較例的上述源極電極焊盤166與漏極電極87之間的寄生電容變大。
[0181]另外，與上述的第二實施方式的漏極電極焊盤65與源極電極88之間的寄生電容相比，該比較例的上述漏極電極焊盤165與源極電極88之間的寄生電容變大。
[0182]因此，在該比較例中，與上述的第二實施方式相比，源極-漏極間的寄生電容變大，因此容易產生開關時的瞬時振蕩、開關速度的降低、開關損失的增大等的不良。
[0183]圖8是對上述的第二實施方式的3個樣本的源極-漏極間的寄生電容Cds (pF)和上述比較例的3個樣本的源極-漏極間的寄生電容Cds (pF)的測定結果進行繪圖而得到的圖。圖8的縱軸為源極-漏極間的寄生電容Cds(pF)，圖8的橫軸為源極-漏極間的電壓Vds (V)。
[0184]在圖8中，空心的四邊標記□、空心的菱形標記?和空心的三角印Λ分別表示上述第二實施方式的3個樣本的源極-漏極間的寄生電容Cds(pF)的測定結果。另外，在圖8中，空心的圓圈標記O和否定標記X和十字標記+分別表示上述比較例的3個樣本的源極-漏極間的寄生電容Cds (pF)的測定結果。
[0185]當使源極-漏極間的電壓Vds(V)為300V時，上述第二實施方式的3個樣本的源極-漏極間的寄生電容Cds (pF)的3點中值為22.5pFo對此，當使源極-漏極間的電壓Vds (V)為300V時，上述比較例的3個樣本的源極-漏極間的寄生電容Cds (pF)的3點中值為29.0pF。即，與上述比較例的樣本的源極-漏極間的寄生電容Cds (pF)相比，能夠使上述第二實施方式