場效應晶體管的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及GaN類的場效應晶體管。
【背景技術】
[0002]歷來，作為GaN類的場效應晶體管，如專利文獻I (日本特開2012-23074號公報)所公開的那樣，在形成于指狀的源極電極和漏極電極上的絕緣膜設置通孔，形成通過該通孔與源極電極電連接的源極電極焊盤和與漏極電極電連接的漏極電極焊盤，作為焊盤元件(pad on element)構造實現緊湊化。
[0003]但是，在上述焊盤元件構造的場效應晶體管中，源極-漏極間的寄生電容容易變大。當該源極-漏極間的寄生電容大時，存在導致開關時的瞬時振蕩(ringing)、開關速度的降低、開關損失的增大等的不良的問題。
[0004]另一方面，在專利文獻2(日本特開2011-29386號公報)中公開了:將常導通型的GaN類的場效應晶體管和常截止型的Si類的MOS型場效應晶體管級聯(cascode)連接，以實現常截止動作的半導體器件。
[0005]在該半導體器件中，存在以下問題:在從導通轉換為截止時，上述GaN類的場效應晶體管的源極和上述Si類的場效應晶體管的漏極的連接點(級聯連接點)的電位瞬間上升，在級聯連接點產生電涌電壓，使低耐壓的Si類的MOS型場效應晶體管劣化，以致破壞。在該級聯連接點產生的電涌電壓被認為是因上述GaN類的場效應晶體管的源極-漏極間的寄生電容引起的。
[0006]現有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2012-23074號公報
[0009]專利文獻2:日本特開2011-29386號公報
【發明內容】
[0010]發明要解決的問題
[0011]因此，本發明的課題在于提供能夠減少源極-漏極間的寄生電容的場效應晶體管。
[0012]用于解決課題的技術方案
[0013]為了解決上述課題，本發明的場效應晶體管，其特征在于，包括:
[0014]設置在有源區域上的源極電極；
[0015]設置在上述有源區域上的漏極電極；和
[0016]設置在上述源極電極與上述漏極電極之間的柵極電極，
[0017]所場效應晶體管還包括源極電極焊盤和漏極電極焊盤中的至少一方，上述源極電極焊盤形成在上述源極電極上并且與上述源極電極電連接，上述漏極電極焊盤形成在上述漏極電極上并且與上述漏極電極電連接，
[0018]上述源極電極焊盤具有使其與上述漏極電極之間的寄生電容減少的缺口，
[0019]上述漏極電極焊盤具有使其與上述源極電極之間的寄生電容減少的缺口。
[0020]根據本發明的場效應晶體管，上述源極電極焊盤具有上述缺口，由此，能夠使上述漏極電極之間的寄生電容減少，上述漏極電極焊盤具有上述缺口，由此，能夠使上述源極電極之間的寄生電容減少。
[0021]另外，在本發明的場效應晶體管中，包括:
[0022]設置在有源區域上的源極電極；
[0023]設置在上述有源區域上的漏極電極；
[0024]設置在上述源極電極與上述漏極電極之間的柵極電極；
[0025]形成在上述源極電極上并且與上述源極電極電連接的源極電極焊盤；和
[0026]形成在上述漏極電極上并且與上述漏極電極電連接的漏極電極焊盤，
[0027]上述源極電極和漏極電極呈指狀延伸，
[0028]上述源極電極以在與作為上述漏極電極呈指狀延伸的方向的長度方向交叉的方向上與上述漏極電極相鄰的方式形成，并且在上述長度方向上延伸，
[0029]上述場效應晶體管包括在上述漏極電極、源極電極和柵極電極上形成的絕緣層，
[0030]上述源極電極焊盤中，覆蓋上述漏極電極的區域的面積小于覆蓋上述源極電極的區域的面積，
[0031]上述漏極電極焊盤中，覆蓋上述源極電極的區域的面積小于覆蓋上述漏極電極的區域的面積。
[0032]在本發明的場效應晶體管中，上述源極電極焊盤構成為使覆蓋上述漏極電極的區域的面積小于覆蓋上述源極電極的區域的面積，由此，能夠減少源極-漏極間的寄生電容。另外，上述漏極電極焊盤構成為使覆蓋上述源極電極的區域的面積小于覆蓋上述漏極電極的區域的面積，由此，能夠減少源極-漏極間的寄生電容。
[0033]另外，一個實施方式的場效應晶體管包括具有異質結的GaN類層疊體，
[0034]上述指狀的源極電極、上述指狀的漏極電極和上述絕緣層形成在上述GaN類層疊體上，
[0035]上述漏極電極焊盤經形成于上述絕緣層的通孔與上述漏極電極電連接，
[0036]上述源極電極焊盤經形成于上述絕緣層的通孔與上述源極電極電連接。
[0037]另外，一個實施方式的場效應晶體管中，上述指狀的漏極電極和上述指狀的源極電極在與上述長度方向交叉的方向上交替地排列有多個，
[0038]上述漏極電極焊盤具有:
[0039]用于接合的接合部；
[0040]沿上述漏極電極在長度方向上延伸的多個長度方向部；和
[0041]在與上述長度方向交叉的方向上延伸且與上述多個長度方向部相連的連結部，
[0042]上述連結部中，與上述接合部隔開第一距離的第一部分的面積，大于與上述接合部隔開比上述第一距離長的第二距離的第二部分的面積。
[0043]在本實施方式中，構成為與上述漏極電極焊盤的接合部接近的上述連結部的第一部分的面積，大于從上述漏極電極焊盤的接合部遠離的上述連結部的第二部分的面積，由此能夠提尚集電效率。
[0044]另外，在一個實施方式的場效應晶體管中，上述指狀的漏極電極和上述指狀的源極電極在與上述長度方向交叉的方向上交替地排列有多個，
[0045]上述源極電極焊盤具有:
[0046]用于接合的接合部；
[0047]沿上述源極電極在長度方向上延伸的多個長度方向部；和
[0048]在與上述長度方向交叉的方向上延伸且與上述多個長度方向部相連的連結部，
[0049]上述連結部中，與上述接合部隔開第一距離的第一部分的面積，大于與上述接合部隔開比上述第一距離長的第二距離的第二部分的面積。
[0050]在本實施方式中，上述源極電極焊盤的連結部構成為與上述接合部接近的第一部分的面積大于從上述接合部遠離的第二部分的面積，由此能夠提高集電效率。
[0051]另外，一個實施方式的場效應晶體管中，上述指狀的漏極電極和上述指狀的源極電極在與上述長度方向交叉的方向上交替地排列有多個，
[0052]上述漏極電極焊盤具有:
[0053]用于接合的接合部；
[0054]沿上述漏極電極在長度方向上延伸的多個長度方向部；和
[0055]在與上述長度方向交叉的方向上延伸且與上述多個長度方向部相連，并且到達上述接合部的連結部，
[0056]上述接合部配置在上述漏極電極焊盤的大致中央。
[0057]在本實施方式中，上述接合部配置在上述漏極電極焊盤的大致中央，因此能夠提高集電效率。
[0058]另外，在一個實施方式的場效應晶體管中，上述指狀的漏極電極和上述指狀的源極電極在與上述長度方向交叉的方向上交替地排列有多個，
[0059]上述源極電極焊盤具有:
[0060]用于接合的接合部；
[0061]沿上述源極電極在長度方向上延伸的多個長度方向部；和
[0062]在與上述長度方向交叉的方向上延伸且與上述多個長度方向部相連，并且到達上述接合部的連結部，
[0063]上述接合部配置在上述源極電極焊盤的大致中央。
[0064]在本實施方式中，上述接合部配置在上述源極電極焊盤的大致中央，因此能夠提高集電效率。
[0065]另外，在一個實施方式的場效應晶體管中，用于將上述漏極電極焊盤與上述漏極電極電連接的通孔形成在上述絕緣層中的與上述漏極電極焊盤的長度方向上的兩端部對應的部位。
[0066]在本實施方式中，利用在與上述漏極電極焊盤的長度方向上的兩端部對應的部位的絕緣層形成的通孔，使上述漏極電極焊盤與上述漏極電極電連接，因此能夠提高集電效率。
[0067]另外，一個實施方式的場效應晶體管中，用于將上述源極電極焊盤與上述源極電極電連接的通孔形成在上述絕緣層中的與上述源極電極焊盤的長度方向上的兩端部對應的部位。
[0068]在本實施方式中，利用在與上述源極電極焊盤的長度方向上的兩端部對應的部位的絕緣層形成的通孔，使上述源極電極焊盤與上述源極電極電連接，因此能夠提高集電效率。
[0069]另外，一個實施方式的場效應晶體管中，上述漏極電極焊盤的連結部包括:
[0070]與上述多個長度方向部相連的第一連結部；和
[0071]第二連結部，其與上述多個長度方向部相連，并且，上述第二連結部與上述漏極電極的長度方向上的中央之間的長度方向上的距離，比上述第一連結部與上述漏極電極的長度方向上的中央之間的長度方向上的距離長，
[0072]上述第一連結部的面積大于上述第二連結部的面積。
[0073]在本實施方式中，通過使比第二連結部更接近漏極電極的長度方向上的中央的第一連結部的面積大于上述第二連結部的面積，能夠提高上述漏極電極焊盤的集電效率，并且能夠提高配線的可靠性。
[0074]另外，一個實施方式的場效應晶體管中，上述源極電極焊盤的連結部包括:
[0075]與上述多個長度方向部相連的第一連結部；和
[0076]第二連結部，其與上述多個長度方向部相連，并且，上述第二連結部與上述源極電極的長度方向上的中央之間的長度方向上的距離，比上述第一連結部與上述源極電極的長度方向上的中央之間的長度方向上的距離長，
[0077]上述第一連結部的面積大于上述第二連結部的面積
[0078]在本實施方式中，通過使比第二連結部更接近源極電極的長度方向上的中央的第一連結部的面積大于上述第二連結部的面積，能夠提高上述源極電極焊盤的集電效率，并且能夠提高作為配線的可靠性。
[0079]另外，在本發明的級聯連接電路中，包括上述的場效應晶體管，
[0080]上述場效應晶體管為常導通型的場效應晶體管，
[0081]還包括漏極與上述常導通型的場效應晶體管的源極電連接的常截止型的硅類的MOS型場效應晶體管，
[0082]將上述常導通型的場效應晶體管的柵極與上述常截止型的硅類的MOS型場效應晶體管的源極電連接，通過對上述常截止型的硅類的MOS型場效應晶體管的柵極施加控制電壓而進行導通截止控制。
[0083]根據該級聯連接電路，能夠使上述常