式中，該鐵芯I利用燒結技術，使導磁率μ =60。
[0036]步驟106，制作絕緣層，在該日字形的鐵芯I燒結后，于該鐵芯I表面上制作有一絕緣層2(如圖3所示)。在本圖式中，該絕緣層2為絕緣漆。
[0037]步驟108，制作電極層，在鐵芯I表面的絕緣層2制作完成后，以利用印刷技術印刷一層銅層，再于銅層上電鍍銀層，或者是印刷銀層后，再于銀層上電鍍錫的方式在絕緣層2表面預定位置上制作一電極層3 (如圖4)。
[0038]步驟110，備有一銅線，將該銅線穿過該二穿槽13的纏繞于該鐵芯I的纏繞部12上以形成線圈4，在該線圈4纏繞后的二端各具有一線頭41 (如圖5所示)。在本圖式中，該線圈為扁平裸銅線。
[0039]步驟112，連接電極層，在線圈4纏繞后，將線圈4 二端的線頭41電性連結在電極層3上(如圖6所示)。
[0040]步驟114，封膠制作，以磁性膠包覆該線圈4區域上以形成一閉磁路結構5，該閉磁路結構5在制作后，使該電極層3外露，且也形成一晶片式的電感器(如圖7、圖8所示)。在本圖式中，該閉磁路結構5可以避免產生漏磁現象。
[0041]上述的鐵芯I是采鐵硅粉末或軟磁材料的鐵鎳50粉末(FeNi50)燒結使導磁率μ =60。由于導磁率高，該線圈4所繞的圈數少，銅損為0.67w，等效直流阻抗DCR (DCResistance)為6.74mohm,因此電流小,具有耐電流高及耐熱高等特性。
[0042]請參閱圖疒圖8，為本發明的晶片式電感器的各視角結構示意圖。如圖所示:本發明的晶片式電感器結構，包括:一鐵芯1、一絕緣層2、一電極層3、一線圈4及一閉磁路結構5。
[0043]該鐵芯1，其上具有一框體11，該框體11內具有一纏繞部12，該纏繞部12與該框體11之間具有二穿槽13。在本圖式中，該鐵芯I為日字形，且以鐵硅粉末材料(FeSi)或軟磁材料的鐵鎳50粉末(FeNi50)為材料，利用燒結技術使導磁率μ =60。
[0044]該絕緣層2，包覆于該鐵芯I的外表面上。在本圖式中，該絕緣層2為絕緣漆。
[0045]該電極層3，設于該鐵芯I 一側的絕緣層2表面上，該電極層3上具有一銅層，于該銅層上設有一銀層，或者該電極層3為一銀層，于該銀層上設有一錫層。
[0046]該線圈4，以穿過該二穿槽13，并纏繞設于該纏繞部12，其上具有二線頭41，該二線頭41電性連結于該電極層3上。該線圈4為扁平裸銅線。
[0047]該閉磁路結構5，設于該線圈4上，以包覆該線圈4的扁平裸銅線，在該閉磁路結構5包覆該線圈4后，形成一晶片式電感器結構(如圖7所示)，可以讓晶片式電感器結構以表面黏著技術的黏著于該電路板(圖中未示)上。在本圖式中，該閉磁路結構5為磁性膠可以避免產生漏磁現象。
[0048]上述的鐵芯I是采鐵硅粉末或軟磁材料的鐵鎳50粉末(FeNi50)燒結使導磁率μ =60。由于導磁率高，該線圈4所繞的圈數少，銅損約為0.67w，等效使直流阻抗DCR (DCResistance)約為6.74mohm,因此電流小,具有耐電流高及耐熱高等特性。
[0049]上述僅為本發明的較佳實施例而已，并非用來限定本發明實施的范圍。即凡根據本發明申請專利范圍所做的均等變化與修飾，都為本發明專利范圍所涵蓋。
【主權項】
1.一種晶片式電感器的制造方法，其特征在于，包括: a)、備有一鐵芯粉末； b)、將該鐵芯粉末壓制成一個日字形粉芯； c)、壓制完成的日字形粉芯進行燒結，使該“日”字形粉芯形成“日”字形的鐵芯； d)、在該鐵芯燒后，于該鐵芯表面上制作一層絕緣層； e)、在該絕緣層的表面上制作一電極層； f)、于該鐵芯的纏繞部上纏繞一線圈，該線圈與該電極層電性連結'及 g)、以該線圈區域進行封膠以形成一閉磁路結構，該閉磁路結構在制作后，使該電極層外露，形成一晶片式的電感器。
2.如權利要求權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在a步驟的鐵芯粉末為鐵硅末材料或軟磁材料的鐵鎳50粉末。
3.如權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在b步驟中利用熱固制程將鐵芯粉末壓制成一個為“日”字形粉芯。
4.如權利要求3所述的制作方法，其特征在于，在c步驟中是以低溫燒結使該日字形粉芯形成“日”字形的鐵芯。
5.如權利要求4所述的制作方法,其特征在于,該鐵芯上具有一框體,該框體內具有一纏繞部，該纏繞部與該框體之間具有二穿槽。
6.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，該鐵芯以燒結技術使導磁率μ=60。
7.如權利要求6所述的制作方法，其特征在于，在d步驟中的絕緣層為絕緣漆。
8.如權利要求7所述的制作方法，其中，在e步驟中的電極層是以印刷技術印刷一層銅層，再于銅層上電鍍銀層，或者是印刷銀層后，再于銀層上電鍍錫的方式來制作電極層。
9.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，在f步驟中的線圈上具有二線頭，該二線頭分別與電極層電性連結。
10.如權利要求9所述的制作方法，其特征在于，該線圈為扁平裸銅線。
11.如權利要求10所述的制作方法，其特征在于，g步驟的磁閉磁路結構為磁性膠。
12.如權利要求11述之制作方法，其特征在于，該晶片式電感器銅損為0.67W。
13.如權利要求12所述的制作方法，其特征在于，該晶片式電感器的等效直流阻抗為.6.74mohm。
【專利摘要】本發明公開了一種晶片式電感器的制造方法，首先，備有一鐵芯粉末，將該鐵芯粉末壓制成一個日字形粉芯，壓制完成的日字形粉芯進行燒結，使該日字形粉芯形成日字形的鐵芯。接著，在該鐵芯燒后，于該鐵芯表面上制作一層絕緣層，在該絕緣層的表面上制作一電極層，再在該鐵芯的纏繞部上纏繞一線圈，該線圈與該電極層電性連結。最后，將該線圈區域進行封膠以形成一閉磁路結構，該閉磁路結構在制作后，使該電極層外露，形成一晶片式的電感器。
【IPC分類】H01F27-29, H01F41-00, H01R43-16, H01F41-02
【公開號】CN104681267
【申請號】CN201310604400
【發明人】趙宜泰
【申請人】昆山瑪冀電子有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年11月26日