技術特征：
技術總結
本發明公開了一種超級結的溝槽填充方法，包括如下步驟：步驟一、提供表面形成有第一導電類型外延層的半導體晶圓；步驟二、形成硬質掩模層，光刻刻蝕形成多個溝槽；步驟三、進行第一次外延生長形成第一層第二導電類型外延層填充溝槽并在邊緣區域中的溝槽內的外延層完全合并后停止，停止后在中央區域的溝槽頂部中間區域形成V型開口；步驟四、以硬質掩模層為終止層對第一層第二導電類型外延層進行回刻；步驟五、進行第二次外延生長形成第二層第二導電類型外延層將中央區域的溝槽的V型開口完全填充。本發明能提高面內均勻性，減少缺陷產生并提高器件性能。
技術研發人員：伍洲
受保護的技術使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
技術研發日：2017.06.30
技術公布日：2017.10.20