陣列基板及其制作方法、顯示面板與流程

本申請一般涉及顯示技術領域，尤其涉及陣列基板及其制作方法、包括該陣列基板的顯示面板。

背景技術：

TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示)具有亮度高、功耗低、壽命長等優點，發展多年來受到人們的廣泛關注。特別是隨著LCD在生活中的影響越來越大，市場需求份額激增，因此，如何降低LCD的生產成本成為發展的重點和研發的熱點。

在TFT-LCD工藝中，陣列基板制作最為復雜。一般來說，TFT-LCD陣列基板需要在襯底上制備遮光層、晶體管柵極、柵極絕緣層、有源層、晶體管源極和晶體管漏極等多層結構。現有的陣列基板的制作通常需要四次利用掩模板曝光顯影，進而刻蝕出每一層需要的圖案。但是利用掩模板制備陣列基板的成本和復雜度都很高，并且利用掩模板的次數越多其制造成本就會越高，且產品質量越難保證。

技術實現要素：

鑒于現有技術中的上述缺陷，本申請實施例提供一種陣列基板及其制作方法以及包括該陣列基板的顯示面板，來解決以上背景技術部分提到的技術問題。

為了實現上述目的，第一方面，本申請實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括在襯底的一側表面依次覆蓋遮光材料層、第一絕緣層、半導體層和源漏金屬層，并利用第一半色調掩模板曝光顯影形成晶體管源極、晶體管漏極、有源層和遮光層，其中，晶體管源極和晶體管漏極位于源漏金屬層，有源層位于半導體層，遮光層位于遮光材料層；在晶體管源極和晶體管漏極上覆蓋第二絕緣層，利用第二掩模板曝光顯影形成貫穿第二絕緣層的第一通孔，且第一通孔暴露晶體管漏極；在第二絕緣層上依次覆蓋電極材料層和柵極金屬層，利用第三半色調掩模板曝光顯影形成晶體管柵極、像素電極和公共電極，其中，像素電極和公共電極在電極材料層交替排列，像素電極覆蓋第一通孔，像素電極通過第一通孔與晶體管漏極電連接。

第二方面，本申請實施例還提供了一種陣列基板，包括：襯底；在襯底的一側表面沿第一方向依次設置的遮光層、第一絕緣層、有源層以及源漏極層，其中，源漏極層包括晶體管源極和晶體管漏極，第一方向與襯底的表面垂直；在源漏極層上沿第一方向設置的第二絕緣層，第二絕緣層上形成有貫穿該第二絕緣層的第一通孔；在第二絕緣層上沿第一方向依次設置的電極層和柵極層，其中，電極層包括交替排列的像素電極和公共電極，且像素電極通過第一通孔與晶體管漏極電連接，柵極層包括晶體管柵極。

第三方面，本申請實施例還提供了一種顯示面板，包括上述的陣列基板。

本申請實施例提供的陣列基板的制作方法，首先利用第一半色調掩模板在遮光材料層形成遮光層，在半導體層形成有源層，在源漏金屬層形成有晶體管源極和晶體管漏極，而后利用第二掩模板在覆蓋晶體管源極和晶體管漏極的第二絕緣層上形成暴露晶體管漏極的第一通孔，最后利用第三半色調掩模板在柵極金屬層形成晶體管柵極，在電極材料層形成像素電極和公共電極，且像素電極覆蓋第一通孔且與晶體管漏極電連接，從而實現了三次利用掩模板制作陣列基板，減少了陣列基板制作過程中使用掩模板的數目，降低了生產成本。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：

圖1示出了本申請的陣列基板的制作方法的一個實施例的流程圖；

圖2示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第一截面結構示意圖；

圖3示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第二截面結構示意圖；

圖4示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第三截面結構示意圖；

圖5示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第四截面結構示意圖；

圖6示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第五截面結構示意圖；

圖7示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第六截面結構示意圖；

圖8示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作的陣列基板的平面結構示意圖；

圖9A示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板中數據線的過程中的第一結構示意圖；

圖9B示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板中數據線的過程中的第二結構示意圖；

圖9C示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板中數據線的過程中的第三結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本申請的原理和特征作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關發明，而非對該發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發明相關的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。

請參考圖1，其為本申請的陣列基板的制作方法的一個實施例的流程圖100。如圖所示，本申請的陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟101，在襯底的一側表面依次覆蓋遮光材料層、第一絕緣層、半導體層和源漏金屬層，并利用第一半色調掩模板曝光顯影形成晶體管源極、晶體管漏極、有源層和遮光層。

在本實施例中，首先可以設置用于制作陣列基板的襯底，該襯底可以為玻璃襯底、石英襯底或有機材料制成的襯底等。之后可以在該襯底的一側表面依次形成覆蓋該襯底的遮光材料層、第一絕緣層、半導體層和源漏金屬層。而后可以利用預先設置的第一半色調掩模板對上述形成的遮光材料層、第一絕緣層、半導體層和源漏金屬層進行曝光顯影處理，最后可以在上述源漏金屬層刻蝕出晶體管源極和晶體管漏極，在半導體層刻蝕出有源層，在遮光材料層刻蝕出遮光層。

通常，可以在襯底上形成金屬層來制備上述遮光材料層，或者形成金屬層并對金屬層進行黑化處理形成金屬黑化物來制備上述遮光材料層。上述第一絕緣層可以為硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)等形成的絕緣層。上述半導體層可以為非晶相銦鎵鋅氧化物、氧化銦鋅、氧化鋅錫等半導體氧化物形成的半導體層，或者多晶硅、非晶硅等半導體層。上述第一絕緣層可以保證半導體層和遮光層之間相互絕緣，并且這里可以采用化學沉積等方法形成上述第一絕緣層，例如，在一定的壓力和溫度的條件下，由氣體SiH₄和N₂O按一定的比例共同沉積形成硅氮化物絕緣層。

需要說明的是，上述陣列基板中晶體管源極、晶體管漏極、有源層和遮光層等的形成過程可以包括金屬層和半導體層等的成膜、涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等一系列的工序。因涂布光刻膠、剝離光刻膠等工藝為本領域的常規手段，因此本申請在描述陣列基板制作過程時，不對涂布光刻膠、剝離光刻膠等過程進行具體的描述。本領域技術人員可以理解，未描述相關過程并不意味各實施例不存在或省略相關步驟。

在本實施例中，利用上述第一半色調掩模板可以對涂布在源漏金屬層上的光刻膠進行曝光，在光刻膠上可以形成未曝光區、部分曝光區和完全曝光區，顯影后，在未曝光區可以刻蝕出位于源漏金屬層的晶體管源極和晶體管漏極，在部分曝光區可以刻蝕出位于半導體層的有源層，在完全曝光區可以完全刻蝕源漏金屬層、半導體層、絕緣層和遮光材料層，最后在源漏金屬層形成晶體管源極和晶體管漏極，在半導體層形成有源層，在遮光材料層形成遮光層。

步驟102，在晶體管源極和晶體管漏極上覆蓋第二絕緣層，利用第二掩模板曝光顯影形成貫穿第二絕緣層的第一通孔，且第一通孔暴露晶體管漏極。

在本實施例中，基于步驟101形成的結構，可以在其上繼續覆蓋第二絕緣層，該第二絕緣層可以覆蓋暴露在外的晶體管源極、晶體管漏極、有源層等。而后可以利用第二掩模板曝光顯影，形成貫穿該第二絕緣層的第一通孔，以使該第一通孔可以暴露出上述晶體管漏極。

通常，上述第二絕緣層也可以為硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)等形成的絕緣層。上述第二掩模板可以為普通掩模板，陣列基板中的像素電極可以通過上述形成的第一通孔與晶體管漏極電連接。

步驟103，在第二絕緣層上依次覆蓋電極材料層和柵極金屬層，利用第三半色調掩模板曝光顯影形成晶體管柵極、像素電極和公共電極。

在本實施例中，在上述第二絕緣層上依次覆蓋電極材料層和柵極金屬層，且該電極材料層可以覆蓋上述第一通孔。而后利用第三半色調掩模板曝光顯影可以形成晶體管柵極、像素電極和公共電極。具體地，可以利用第三半色調掩模板曝光顯影，在柵極金屬層刻蝕出晶體管柵極，在電極材料層刻蝕出像素電極和公共電極，從而實現了一次利用第三半色調掩模板刻蝕出晶體管柵極、像素電極和公共電極。這里，形成在電極材料層的像素電極和公共電極可以交替排列，并且在像素電極和公共電極之間可以形成控制液晶偏轉的電場。進一步地，上述形成的像素電極可以覆蓋上述第一通孔，從而使得像素電極可以通過第一通孔與上述晶體管漏極電連接。需要說明的是，上述有源層、晶體管源極、晶體管漏極和晶體管柵極可以構成薄膜晶體管TFT，并且這里的薄膜晶體管TFT為頂柵結構的薄膜晶體管結構。

在本實施例的一些可選的實現方式中，在利用上述第三半色調掩模板曝光顯影形成晶體管柵極、像素電極和公共電極的同時，還可以在電極材料層形成輔助柵極，上述晶體管柵極向襯底的正投影可以位于該輔助柵極向襯底的正投影內，且晶體管柵極與輔助柵極疊置接觸，可見該輔助柵極與晶體管柵極并聯電連接，這可以降低晶體管柵極的電阻，因此該輔助柵極可以降低因晶體管柵極電阻較大造成的信號衰減。

綜上所述，本申請實施例提供的陣列基板的制作方法，首先利用第一半色調掩模板在遮光材料層形成遮光層，在半導體層形成有源層，在源漏金屬層形成有晶體管源極和晶體管漏極，而后利用第二掩模板在覆蓋晶體管源極和晶體管漏極的第二絕緣層上形成暴露晶體管漏極的第一通孔，最后利用第三半色調掩模板在柵極金屬層形成晶體管柵極，在電極材料層形成像素電極和公共電極，且像素電極覆蓋第一通孔且與晶體管漏極電連接，從而實現了三次利用掩模板制作陣列基板，減少了陣列基板制作過程中使用掩模板的數目，降低了生產成本。

下面結合本申請的陣列基板的制作方法的各中間態的截面結構示意圖來具體描述陣列基板的制作工藝流程。

在本實施例中，預先設置陣列基板中的襯底210，之后在上述襯底210的一側表面依次覆蓋遮光材料層220、第一絕緣層230、半導體層240和源漏金屬層250，形成如圖2所示的結構，圖2示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第一截面結構示意圖。而后利用第一半色調掩模板對如圖2所示的結構進行曝光顯影，在源漏金屬層250刻蝕出晶體管源極201和晶體管漏極202，在半導體層240刻蝕出有源層203，在遮光材料層220刻蝕出遮光層204，形成如圖3所示的結構，圖3示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第二截面結構示意圖。可以理解的是，利用第一半色調掩模板在遮光材料層220上刻蝕遮光層204時，需要刻蝕覆蓋在該遮光材料層220上的第一絕緣層230，如圖3所示。

在本實施例中，在晶體管源極201和晶體管漏極202上覆蓋第二絕緣層260，如圖4所示，該第二絕緣層260可以覆蓋暴露在外的晶體管源極201、晶體管漏極202、有源層203等。圖4示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第三截面結構示意圖。而后利用第二掩模板曝光顯影，刻蝕上述第二絕緣層260形成貫穿該第二絕緣層260的第一通孔CH1，如圖5所示，該第一通孔CH1可以暴露出上述晶體管漏極202。圖5示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第四截面結構示意圖。

在本實施例中，在第二絕緣層260上依次覆蓋電極材料層270和柵極金屬層280，如圖6所示，上述電極材料層270可以通過上述第一通孔CH1與晶體管漏極202相接觸。圖6示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第五截面結構示意圖。而后利用第三半色調掩模板曝光顯影，可以在上述柵極金屬層280刻蝕出晶體管柵極205，在上述電極材料層270刻蝕出像素電極206和公共電極207，如圖7所示，并且位于像素電極206和公共電極207上的柵極金屬層280被刻蝕。圖7示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板過程中的第六截面結構示意圖。需要說明的是，在該陣列基板中像素電極206和公共電極207可以位于同一層且交替排列，以使像素電極206和公共電極207之間可以形成控制液晶偏轉的電場。進一步地，上述像素電極206可以覆蓋上述第一通孔CH1，如圖7所示，因此像素電極206可以通過第一通孔CH1與晶體管漏極202電連接。

在本實施例的一些可選的實現方式中，在利用第三半色調掩模板在電極材料層270上刻蝕像素電極206和公共電極207時，還可以在該電極材料層270上刻蝕形成輔助柵極2051，如圖7所示。上述晶體管柵極205向襯底210的正投影可以位于上述輔助柵極2051向襯底210的正投影內，上述晶體管柵極205可以與輔助柵極2051疊置，這時，柵極205與輔助柵極2051并聯電連接，這可以減小晶體管柵極205的電阻值，可見該輔助柵極2051可以降低因晶體管柵極205電阻較大造成的信號衰減。

在本實施例的一些可選的實現方式中，陣列基板可以包括顯示區(未示出)和用于設置封框膠的封框膠區(未示出)，該封框膠區可以環繞顯示區。需要說明的是，上述晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207可以設置在上述顯示區內，這可以使得該陣列基板所在的顯示面板在成盒時晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207可以均位于盒內，避免了晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207被外界的水、空氣等腐蝕。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述陣列基板的制作方法還可以包括形成一保護層(未示出)，該保護層可以覆蓋上述晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207，該保護層可以保護晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207，避免其被外界環境中的水、空氣等腐蝕。

采用上述實施例提供的陣列基板的制作方法制備的陣列基板的平面結構可以如圖8所示，上述圖7可以為沿圖8中陣列基板的虛線a的截面結構示意圖。可選地，采用上述陣列基板的制作方法制備的陣列基板時還可以制備該陣列基板上的多條數據線。請參考圖9A-圖9C，圖9A-圖9C示出了利用上述陣列基板的制作方法制作陣列基板中數據線的各中間態的截面結構示意圖。其中，圖9A示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板中數據線的過程中的第一結構示意圖，圖9B示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板中數據線的過程中的第二結構示意圖，圖9C示出了利用本申請陣列基板的制作方法制作陣列基板中數據線的過程中的第三結構示意圖，并且圖9C可以為沿圖8中的陣列基板的虛線b的截面結構示意圖。

在本實現方式中，在利用上述第一半色調掩模板曝光顯影形成如圖3所示的晶體管源極201、晶體管漏極202、有源層203和遮光層204的同時，還可以在源漏金屬層250形成多條數據線，并且上述遮光層204的圖案可以與數據線、晶體管源極201和晶體管漏極202相對應，如圖8所示。需要說明的是，上述每條數據線可以包括至少兩條并列排布的子數據線208，如圖8或圖9A所示。并且在同一條數據線中相鄰的子數據線208之間可以通過與之對應的連接線209電連接。需要說明的是，在利用第一半色調掩模板形成數據線時，不僅形成了多條子數據線208，還形成了與各子數據線208形狀對應的遮光層204，如圖8或圖9A所示。因此，位于每條數據線下的遮光層204可以分為至少兩段，降低了因與數據線對應的遮光層204過長導致的耦合干擾。

在本實現方式中，在利用上述第二掩模板曝光顯影形成如圖5所示的貫穿第二絕緣層260的第一通孔CH1時，還可以在第二絕緣層260上形成貫穿該第二絕緣層260的第二通孔CH2，如圖8或圖9B所示，各第二通孔CH2的位置與各子數據線208相對應，從而使得各第二通孔CH2可以暴露出對應的子數據線208。

在本實現方式中，在利用上述第三半色調掩模板曝光顯影形成如圖7所示的晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207的同時，還可以在電極材料層形成多條連接線209，如圖8或圖9C所示。這里的連接線209可以與上述像素電極205和公共電極209位于同一層，并且每條連接線209的兩端可以覆蓋相鄰子數據線208對應的兩個第二通孔CH2，如圖8或9C所示，可見相鄰的子數據線208可以通過連接線209相互電連接。因此，任一數據線中的各子數據線208可以通過對應的連接線209相互電連接。

可選地，在利用上述第三半色調掩模板曝光顯影形成位于電極材料層的連接線209的同時，還可以形成位于柵極金屬層的多條第一走線2091。這里，每條第一走線2091可以與各連接線209一一對應，如圖9C所示，并且各第一走線2091向襯底210的正投影可以位于對應的連接線209向襯底210的正投影內。上述柵極金屬層和電極材料層疊置接觸，因此上述第一走線2091可以與對應的連接線209相互電連接，并且第一走線2091與連接線209并聯，可見第一走線2091可以減小連接線209的電阻。每條數據線可以包括多條通過連接線209電連接的子數據線208，因此第一走線2091可以減小各數據線的電阻，降低數據線上的信號衰減。

通常，上述陣列基板還可以包括多條扇出引線(未示出)，各扇出引線可以與數據線對應電連接，以使各扇出引線可以通過各與之電連接的數據線為各像素電極提供數據信號。這里，可以在利用第一半色調掩模板曝光顯影形成上述晶體管源極、晶體管漏極、有源層和遮光層時，在源漏金屬層形成上述扇出引線，可見該陣列基板中的各扇出引線可以均位于同一層。

或者，上述陣列基板可以包括位于不同層的第一扇出引線(未示出)和第二扇出引線(未示出)，并且第一扇出引線和第二扇出引線可以與對應的數據線電連接，用于通過對應的數據線為各像素電極提供數據信號。這里，可以在利用上述第一半色調掩模板曝光顯影形成晶體管源極、晶體管漏極、有源層和遮光層時，在源漏金屬層形成上述第一扇出引線，可以在利用第三半色調掩模板曝光顯影形成晶體管柵極、像素電極和公共電極時，在柵極金屬層形成上述第二扇出引線。本領域技術人員可以根據實際的需要在陣列基板中設置位于同一層的扇出引線或設置位于不同層的第一扇出引線和第二扇出引線。

可以理解的是，在上述陣列基板的制作過程中采用的刻蝕工藝可以是濕法刻蝕或者干法刻蝕。當采用濕法刻蝕時，可以針對陣列基板中形成各層的材料等的不同，采用不同的刻蝕液。當采用干法刻蝕時，可以針對陣列基板中形成各層的材料的不同，采用不同的刻蝕氣體。本領域的技術人員可以理解，針對上述陣列基板種形成各層結構的材料等的不同，可以選擇不同的刻蝕液或刻蝕氣體，這里不再贅述。

綜上所述，本申請提供的陣列基板的制作方法，可以利用第一半色調掩模板制備晶體管源極201、晶體管漏極202、有源層203以及遮光層204，利用第二掩模板制備用于電連接像素電極206和晶體管漏極202的第一通孔CH1，利用第三半色調掩模板制備晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207，可見本申請的上述實施例提供的陣列基板的制作方法可以三次利用掩模板完成陣列基板的制作，降低了陣列基板的生產成本。

此外，本申請還提供了一種陣列基板，這里可以采用上述實施例提供的陣列基板的制作方法制備該陣列基板，該陣列基板的截面結構可以如圖7所示，且該陣列基板的平面結構可以如圖8所示。

在本實施例中，上述陣列基板至少可以包括襯底210、以及在該襯底210的一側表面沿第一方向D1依次設置的遮光層204、第一絕緣層220、有源層203以及源漏極層，其中，源漏極層可以包括晶體管源極201和晶體管漏極202，第一方向D1與襯底210的表面垂直，如圖7所示。陣列基板還可以包括在上述源漏極層上沿第一方向D1設置的第二絕緣層260，并且該第二絕緣層260上還可以形成有貫穿該第二絕緣層260的第一通孔CH1，如圖7所示。陣列基板還可以包括在第二絕緣層260上沿第一方向D1依次設置的電極層和柵極層，其中，電極層可以包括交替排列的像素電極206和公共電極207，并且像素電極206可以通過上述第一通孔CH1與晶體管漏極202電連接，柵極層可以包括晶體管柵極205，如圖7所示。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述陣列基板還可以包括輔助柵極2051，如圖7所示，該輔助柵極2051可以位于上述電極層，即輔助柵極2051可以與上述像素電極206和公共電極207位于同一層。上述晶體管柵極205向襯底210的正投影可以位于輔助柵極2051向襯底210的正投影內。需要說明的是，上述輔助柵極2051與像素電極206和公共電極207電性絕緣，且輔助柵極2051可以與晶體管柵極205疊置接觸，如圖7所示，即輔助柵極2051可以與晶體管柵極205并聯電連接，可見輔助柵極2051可以減小晶體管柵極205的電阻。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述陣列基板可以包括顯示區和用于設置封框膠的封框膠區，并且封框膠區環繞顯示區。上述晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207可以位于上述顯示區內。上述陣列基板所在的顯示面板通過封框膠封裝成盒時，上述晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207可以位于盒內，避免晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207被外界水、空氣等腐蝕。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述陣列基板還可以包括保護層，該保護層可以覆蓋上述晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207。該保護層可以保護晶體管柵極205、像素電極206和公共電極207不被外界的水、空氣等腐蝕。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述陣列基板還可以包括多條數據線。這里，數據線的截面結構可以如圖9C所示，每條數據線可以包括至少兩條并列排布的子數據線208，并且同一條數據線中的不同子數據線208可以通過連接線209電連接。需要說的是，各子數據線208可以位于上述源漏極層，即各子數據線208可以與上述第晶體管源極201和晶體管漏極202位于同一層。上述連接線209可以位于上述電極層，即各連接線209可以與上述像素電極206和公共電極207位于同一層。上述陣列基板還可以包括第二通孔CH2，各第二通孔CH2可以與子數據線208對應，且第二通孔CH2貫穿第二絕緣層260，如圖9C所示，上述連接線209的兩端可以覆蓋相鄰子數據線208對應的兩個第二通孔CH2，以使同一數據線中相鄰的子數據線208可以通過對應的第二通孔CH2分別與連接線209電連接。需要說明的是，位于各子數據線208下的遮光層204也被刻蝕成與各子數據線208對應的形狀，因此位于每條數據線下的遮光層204可以分為至少兩段，降低了因數據線對應的遮光層204過長導致的耦合干擾。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述陣列基板還可以包括與各連接線209一一對應的第一走線2091，如圖9C所示，各第一走線2091位于上述柵極層，即該第一走線2091可以與晶體管柵極205位于同一層。上述第一走線2091向襯底210的正投影位于對應的連接線209向襯底210的正投影內，可見各第一走線2091可以與對應的連接線209并聯，降低了各連接線2091的電阻，即降低了各數據線的電阻。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述陣列基板還可以包括多條扇出引線，各扇出引線可以與數據線電連接，用于通過對應的數據線為各像素電極提供數據信號，其中，多條扇出引線可以包括第一扇出引線和第二扇出引線。需要說明的是，第一扇出引線和第二扇出引線可以均位于上述源漏極層，或者第一扇出引線和第二扇出引線可以分別位于源漏極層和柵極層。

最后，本申請實施例還提供一種顯示面板，包括上述實施例中的陣列基板。上述顯示面板中陣列基板的具體結構和原理與上述實施例相同，這里不再贅述。需要說明的是，該顯示面板可以使用在液晶電視、液晶顯示器等顯示裝置中。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術原理的說明。本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的發明范圍，并不限于上述技術特征的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述發明構思的情況下，由上述技術特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術特征進行互相替換而形成的技術方案。