技術特征：
技術總結
本發明涉及一種半導體裝置及其制造方法。實施方式的半導體裝置具有：積層體，具有經由層間絕緣膜而積層的多個第1導電膜；第1導電體，與所述積層體相接且在積層方向延伸；以及多個第1絕緣膜，與所述多個第1導電膜為同一層，配置于所述第1導電體與所述多個第1導電膜之間，且所述第1導電體具有沿著1個第1絕緣膜及1個第1導電膜上而突出的突出部，且所述突出部的側面與所述1個第1導電膜的上表面接觸。
技術研發人員：福田夏樹;岡嶋睦;大賀淳;田中利治;山口豪;高木剛;小村政則
受保護的技術使用者：東芝存儲器株式會社
技術研發日：2017.01.11
技術公布日：2017.09.08