OLED顯示裝置的陣列基板及其制作方法與流程

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種oled顯示裝置的陣列基板及其制作方法。

背景技術：

現有的oled顯示裝置的陣列基板制作工藝，包括：在主動層的工藝當中以連續沉積緩沖層與非晶硅層，第一道光罩即為薄膜晶體管溝道摻雜，第二道光罩定義出主動區域，沉積氧化硅作為柵極氧化層，沉積金屬層并以第三道光罩定義第一金屬層(或稱之為掃描電極)，由第一金屬層作為光罩，以低劑量的離子注入形成高阻值的輕摻雜漏區域，再以第四道及第五道光罩定義n型摻雜與p型摻雜低溫多晶硅區域利用氧化硅/氮化硅薄膜作為保護層，第六道與第七道光罩分別定義出接觸孔與第二金屬層(或稱之為信號電極)，搭配不同方式涂布的有機材料作為平坦化保護層，以第八道光罩定義導通孔，最後沉積透明導電電極，并以第九道光罩對其進行定義，配合高溫退火工藝將非晶態氧化銦錫轉換成多晶態氧化銦錫薄膜。

綜上所述，現有技術的oled顯示裝置的陣列基板制作工藝較為復雜，生產效率較低，而且制作工序較多，會使相關流程受到制程中產生的導電粒子的影響，進而影響產品的品質。

技術實現要素：

本發明提供一種oled顯示裝置的陣列基板制作方法，制作工序簡單，以解決現有技術的薄膜晶體管制作工藝較為復雜，生產效率較低，而且制作工序較多，會使相關流程受到制程中產生的導電粒子的影響，進而影響產品的品質的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明的oled顯示裝置的陣列基板制作方法，所述制作方法包括以下步驟：

提供一襯底基板；

利用第一掩膜板圖案，在所述襯底基板上形成半導體的圖形，其中包括每個驅動單元中的第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的有源區域；

在以上圖形的基礎上，利用第二掩膜板圖案，在所述襯底基板上形成第一薄膜晶體管的導電溝道及第二薄膜晶體管的導電溝道，并通過離子注入工藝，形成溝道摻雜區，以及位于溝道摻雜區兩側的源極摻雜區與漏極摻雜區；

在以上圖形的基礎上，形成絕緣層的圖形；

在以上圖形的基礎上，利用第三掩膜板圖案，形成第一金屬層的圖形，其中包括所述第一薄膜晶體管的柵極，以及所述第二薄膜晶體管的柵極；

在以上圖形的基礎上，形成中間介質層的圖形，利用第四掩膜板圖案，形成所述第一薄膜晶體管中的貫穿所述絕緣層及中間介質層的過孔，以及所述第二薄膜晶體管中的貫穿所述絕緣層及中間介質層的過孔；

在以上圖形的基礎上，利用第五掩膜板圖案，形成第二金屬層的圖形，其中包括所述第一薄膜晶體管的源極與漏極、所述第二薄膜晶體管的源極與漏極以及數據線與像素電極。

在以上圖形的基礎上，形成保護層，利用第六掩膜板圖案，刻蝕掉所述像素電極表面的保護層。

在以上圖形的基礎上，形成空穴注入層及空穴傳輸層。

優選的，所述第二金屬層選用石墨烯薄膜材料。

優選的，所述在襯底基板上形成半導體的圖形之前，在所述襯底基板表面形成緩沖層。

依據上述發明目的，本發明還提供一種oled顯示裝置的陣列基板，包括：

襯底基板；

有源層，形成于所述襯底基板上，其中包括第一薄膜晶體管的溝道摻雜區、源極摻雜區及漏極摻雜區，以及第二薄膜晶體管的溝道摻雜區、源極摻雜區及漏極摻雜區；

柵極絕緣層，形成于所述襯底基板上；

第一金屬層，形成于所述襯底基板上，其中包括所述第一薄膜晶體管的柵極，以及所述第二薄膜晶體管的柵極；

中間介質層，形成于所述襯底基板上；

過孔，貫穿于所述中間介質層與柵極絕緣層；

第二金屬層，形成于所述襯底基板上，其中包括所述第一薄膜晶體管的源極與漏極、所述第二薄膜晶體管的源極與漏極以及數據線與像素電極；

其中，所述第一薄膜晶體管的源極連接所述數據線，所述第一薄膜晶體管的漏極連接所述第二薄膜晶體管的柵極，所述第二薄膜晶體管的漏極連接所述像素電極。

優選的，在所述襯底基板上形成保護層，并蝕刻掉所述像素電極表面的保護層。

優選的，在所述襯底基板上形成空穴注入層及空穴傳輸層。

優選的，所述第二金屬層選用石墨烯薄膜材料。

優選的，在所述有源層與所述襯底基板之間，形成有緩沖層。

本發明的有益效果為：相較于現有的陣列基板制作方法，本發明的制作方法，通過同一道光罩可得到數據線、源極、漏極及像素電極，節省了加工不同電極所需的光罩，減少了形成不同層電極之間電連接的過孔所需的光罩，進而減少了曝光的工藝處理從而降低了工序復雜度，節省了材料，在縮短了加工時間的同時降低了加工成本。

附圖說明

為了更清楚地說明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a至圖1f是本發明提供的oled顯示裝置的陣列基板的制造過程的示意圖；

圖2為本發明提供的oled顯示裝置的陣列基板截面示意圖。

具體實施方式

以下各實施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[內]、[外]、[側面]等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在圖中，結構相似的單元是用以相同標號表示。

本發明針對現有的oled顯示裝置的陣列基板制作方法，制作工藝較為復雜，生產效率較低，而且制作工序較多，成本增加，并且會使相關流程受到制程中產生的導電粒子的影響，進而影響產品的品質的技術問題，本實施例能夠解決該缺陷。

本發明所提供的陣列基板制作方法，主要包括以下步驟：

s101，參照圖1a，提供一襯底基板100；利用第一掩膜板圖案，在所述襯底基板100上形成半導體的圖形，其中包括每個驅動單元中的第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的有源區域101、102。

具體的，利用物理氣相沉積(physicalvapordeposition，簡稱pvd)工藝在襯底基板100上沉積一層a-si(非晶硅)薄膜，然后利用所述第一掩膜板圖案對a-si薄膜進行濕法蝕刻，形成第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的有源區域101、102。

s102，參照圖1b，在以上圖形的基礎上，利用第二掩膜板圖案，在所述襯底基板100上形成第一薄膜晶體管的導電溝道及第二薄膜晶體管的導電溝道，并通過離子注入工藝，形成第一薄膜晶體管的溝道摻雜區103、第二薄膜晶體管的溝道摻雜區104，位于第一薄膜晶體管的溝道摻雜區兩側的源極摻雜區105與漏極摻雜區106，以及位于第二薄膜晶體管的溝道摻雜區104兩側的源極摻雜區107與漏極摻雜區108。

s103，參照圖1c，在以上圖形的基礎上，形成絕緣層109的圖形。

具體的，利用化學氣相沉積(chemicalvapordeposition，簡稱cvd)工藝在所述襯底基板100及半導體圖形上沉積所述絕緣層109。

s104，參照圖1c，在以上圖形的基礎上，利用第三掩膜板圖案，形成第一金屬層的圖形，其中包括所述第一薄膜晶體管的柵極110，以及所述第二薄膜晶體管的柵極111。

具體的，利用pvd工藝在所述絕緣層109上沉積第一金屬層，然后利用所述第三掩膜板對所述第一金屬層進行濕法蝕刻，形成所述第一薄膜晶體管的柵極110，以及所述第二薄膜晶體管的柵極111。

s105，參照圖1d，在以上圖形的基礎上，形成中間介質層112的圖形，利用第四掩膜板圖案，形成所述第一薄膜晶體管中的貫穿所述絕緣層109及中間介質層的過孔113，以及所述第二薄膜晶體管中的貫穿所述絕緣層109及中間介質層的過孔114。

具體的，利用所述第四掩膜板圖案對所述中間介質層112及絕緣層109進行干法蝕刻，形成貫穿所述絕緣層109及中間介質層的過孔，其中包括用于連接第一薄膜晶體管的源極與源極摻雜區105、漏極與漏極摻雜區106、漏極與第二薄膜晶體管的柵極111、第二薄膜晶體管的源極與源極摻雜區107、第二薄膜晶體管的漏極與漏極摻雜區108的過孔。

s106，參照圖1e，在以上圖形的基礎上，利用第五掩膜板圖案，形成第二金屬層的圖形，其中包括所述第一薄膜晶體管的源極115與漏極116、所述第二薄膜晶體管的源極與漏極118以及數據線與像素電極。

具體的，第二薄膜晶體管的源極于所述第一薄膜晶體管的漏極116位于同一層，且位于所述第一薄膜晶體管的漏極116后方，因此所述第二薄膜晶體管的源極被遮擋，在圖中未示出。

最后，參照圖1f，在以上圖形的基礎上，沉積pv保護層119，并將位于所述像素電極表面的保護層119蝕刻掉，陣列基板制備完成。

具體的，在制作半導體層之前，在襯底基本上形成有緩沖層。

具體的，由于所述第一薄膜晶體管的源漏極與第二薄膜晶體管的源漏極與所述像素電極同層制作，因此全部選用具有高導電性、高透明度的石墨烯薄膜材料。

根據本發明的上述方法，得到一種oled顯示裝置的陣列基板，參照圖2，本實施例的oled顯示裝置的陣列基板，包括：

襯底基板201；有源層，形成于所述襯底基板201上，其中包括第一薄膜晶體管t1的溝道摻雜區202、源極摻雜區203及漏極摻雜區204，以及第二薄膜晶體管t2的溝道摻雜區205、源極摻雜區206及漏極摻雜區207；柵極絕緣層208，形成于所述襯底基板201上；第一金屬層，形成于所述襯底基板201上，其中包括所述第一薄膜晶體管t1的柵極211，以及所述第二薄膜晶體管t2的柵極212；中間介質層213，形成于所述襯底基板201上；過孔，貫穿于所述中間介質層213與柵極絕緣層208；第二金屬層，形成于所述襯底基板201上，其中包括所述第一薄膜晶體管t1的源極214與漏極215、所述第二薄膜晶體管t2的源極與漏極216以及數據線與像素電極；其中，所述第一薄膜晶體管t1的源極214連接所述數據線，所述第一薄膜晶體管t1的漏極215連接所述第二薄膜晶體管t2的柵極212，所述第二薄膜晶體管t2的漏極216連接所述像素電極。

在上述步驟完成之后，在所述陣列基板的像素電極上依次制作空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極電極，即可得到oled顯示裝置。

oled顯示裝置中的驅動單元，由兩個薄膜晶體管(thinfilmtransistor，簡稱tft)和一個存儲電容cst組成；其中，第一薄膜晶體管t1的柵極輸入掃描信號vgate，第一薄膜晶體管t1的源極輸入數據信號vdata，第一薄膜晶體管t1的漏極連接第二薄膜晶體管t2的柵極；第二薄膜晶體管t2的源極連接數字電源vdd，第二薄膜晶體管的漏極連接數字地vss，存儲電容cst設置在第二薄膜晶體管t2的柵極與源極之間，發管二極管串聯在第二薄膜晶體管t2的漏極與數字地vss之間。

優選的，在所述襯底基板201上形成保護層217，并蝕刻掉所述像素電極表面的保護層217。

優選的，在所述襯底基板201上形成空穴注入層及空穴傳輸層。

優選的，所述第二金屬層選用石墨烯薄膜材料。

優選的，在所述有源層與所述襯底基板201之間，形成有緩沖層。

本發明的有益效果為：相較于現有的陣列基板制作方法，本發明的制作方法，通過同一道光罩可得到數據線、源極、漏極及像素電極，節省了加工不同電極所需的光罩，減少了形成不同層電極之間電連接的過孔所需的光罩，進而減少了曝光的工藝處理從而降低了工序復雜度，節省了材料，在縮短了加工時間的同時降低了加工成本。

綜上所述，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。