覆蓋層、包括所述覆蓋層的OLED顯示面板和電子設備的制作方法

技術特征：

1.一種設置于OLED顯示面板陰極之上的覆蓋層，其特征在于，所述覆蓋層的材料包括具有式(I)結構的含N化合物：

式(I)中，n為大于等于2的整數；

B為不存在，或選自具有至少2個斷鍵的取代或未取代的C5～C10的環烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一種；

當B不存在時，n為2；

A₁、A₂均各自獨立地選自氫原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的鏈狀烷基、取代或未取代的C2～C6的鏈狀烯烴基、取代或未取代的C5～C10的環烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30雜環芳香基、取代或未取代的苯丙五元雜環或中的任意一種，且A₁、A₂中至少有一個選自取代或未取代的苯丙五元雜環或X₅選自氧原子、硫原子或中的任意1種；Ar選自鍵接于五元環碳碳雙鍵的取代或未取代的芳香族烴基、取代或未取代的芳香族雜環基、取代或未取代的稠合多芳香族中的任意一種。

2.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，n為大于等于2的偶數。

3.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，B為不存在或取代或未取代的C6～C30的芳香基中的任意一種。

4.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，所述取代或未取代的苯丙五元雜環選自如下結構中的任意一個：

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆均各自獨立的選自氫原子、氘原子、取代或未取代的C1～C6的鏈狀烷基、取代或未取代的C2～C6的鏈狀烯烴基、取代或未取代的C5～C10的環烷基、取代或未取代的C6～C30的芳香基、取代或未取代的C2～C30雜環芳香基中的任意一種。

5.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，A₁、A₂中至少有一個選自中的任意1種。

6.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，所述化合物包括：

中的任意1種。

7.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，所述覆蓋層的折射率n需要滿足如下條件：

450～650nm波長之間的折射率n_450～650nm>1.75，且450～650nm波長之間的消光系數在0.1以下；

450nm的折射率和530nm的折射率之差n_450nm-n_530nm<0.2；

510nm的折射率和620nm的折射率之差n_510nm-n_620nm<0.1。

8.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，所述覆蓋層的厚度為40～100nm。

9.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，所述覆蓋層形成于所述OLED顯示面板的半透明陰極遠離基板一側之后，能夠使覆蓋層和半透明陰極形成的疊層對450～650nm之間的光透過率≥65％。

10.如權利要求1所述的覆蓋層，其特征在于，所述半透明陰極材料選自金屬銀、鎂銀合金、銀鐿合金中的任意1種或至少2種，且所述半透明陰極材料中銀元素的含量大于80wt％。

11.一種OLED顯示面板，其特征在于，包括由下到上基板、陽極、有機疊層、陰極和覆蓋層，所述陰極為半透明陰極；

所述覆蓋層為權利要求1～10之一所述的覆蓋層。

12.如權利要求11所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有機疊層至少包括發光層，所述發光層包括藍色發光顏色像素區域、綠色發光顏色像素區域、紅色發光顏色像素區域中的任意1種或至少2種的組合。

13.如權利要求11所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述綠色發光顏色像素區域和紅色發光顏色像素區域采用磷光材料；

所述藍色發光顏色像素區域采用熒光材料。

14.如權利要求12所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有機疊層還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的任意1種或至少2種的組合。

15.如權利要求11所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述有機疊層和覆蓋層通過蒸鍍、濺射、旋涂、浸漬、離子鍍的方式形成。

16.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求11～15之一所述的OLED顯示面板。