一種低干擾電感結構的制造方法與流程

本發明涉及一種半導體器件，尤指涉及一種低干擾電感結構的制造方法。

背景技術：

常規的電感結構的形成方法，包括：提供一襯底；在所述襯底表面熱氧化一層氧化硅；在所述氧化硅，在氧化硅上形成一層銅層；刻蝕所述銅層，形成電感圖案，然后進行引出電極。該方法形成的電感結構，首先，不利于阻斷其電磁干擾，會影響其他器件的正常工作；其次，電感結構占用的襯底表面積較大，不利于高密度化的器件集成，且多個平行的電感結構間的電磁干擾較大，容易互相串擾。

技術實現要素：

基于解決上述問題，本發明提供了一種低干擾電感結構的制造方法，包括：

提供一襯底，并在所述襯底的上表面形成一溝槽；

在所述溝槽底部形成第一電感結構，所述第一電感結構包括第一中間電極、第一邊緣電極、第一電感圖案、連接所述第一中間電極與所述第一電感圖案的第一導電通孔以及連接所述第一邊緣電極與所述第一電感圖案的第一斜面連接層；

其中，所述第一邊緣電極位于所述襯底的上表面，所述第一中間電極位于所述襯底的下表面，所述第一導電通孔貫穿所述溝槽的底部與所述襯底的下表面。

根據本發明的實施例，還包括在所述溝槽底部與側面沉積一層絕緣層。

根據本發明的實施例，所述第一斜面連接層和第一電感圖案均位于所述絕緣層上。

根據本發明的實施例，所述第一導電通孔形成方法具體包括：通過激光鉆孔的方式形成貫通所述溝槽隔離結構的底部與所述襯底的下表面的通孔，并用導電物質填充所述通孔。

根據本發明的實施例，還包括用隔離材料填充所述溝槽，以形成溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構的上表面高于所述襯底的上表面。

根據本發明的實施例，還包括在所述溝槽隔離結構中形成一個凹槽，并在所述凹槽中形成第二電感圖案和第二斜面連接層，以及在所述溝槽隔離結構的上表面形成第二邊緣電極，所述第二電感圖案、第二斜面連接層與所述第二邊緣電極一體成型并互相電連接。

根據本發明的實施例，還包括在所述凹槽中填充隔離材料直至形成與所述溝槽隔離結構的上表面齊平的頂面。

根據本發明的實施例，還包括在所述凹槽中的隔離材料中形成第二導電通孔以及在所述頂面上形成第二中間電極。

本發明的技術方案，利用溝槽隔離結構中設置電感結構，節省襯底表面的占用面積，且利用溝槽隔離結構的隔離材料進行多個熔絲結構的互相隔離，簡單易行；此外，兩個電感結構形成于隔離結構中，減少其相互干擾，也能夠有效地避免其對其他器件的干擾。

附圖說明

圖1為本發明低干擾電感結構的剖面圖；

圖2為本發明低干擾電感結構的俯視圖；

圖3-8位本發明的低干擾電感結構的制造方法的流程示意圖。

具體實施方式

參見圖1和2，本發明提供了一種低干擾電感結構，包括：

襯底1；

在所述襯底1上表面的溝槽隔離結構2，所述溝槽隔離結構2的頂面高于所述襯底1的上表面；

位于所述溝槽隔離結構2底部的第一電感結構，所述第一電感結構包括第一中間電極9a、第一邊緣電極7a、第一電感圖案5a、連接所述第一中間電極9a與所述第一電感圖案5a的第一導電通孔8a以及連接所述第一邊緣電極7a與所述第一電感圖案5a的第一斜面連接層6a；其中，所述第一邊緣電極7a位于所述襯底1的上表面，所述第一中間電極9a位于所述襯底1的下表面，所述第一導電通孔8a貫穿所述溝槽隔離結構2的底部與所述襯底1的下表面。

其中，在所述溝槽隔離結構2底部與側面還具有一層絕緣層3。所溝槽隔離結構2包括填充的隔離材料，優選為二氧化硅。

此外，在第一電感結構的上方位置還包括在所述溝槽隔離結構2中的第二電感結構。例如，可以在溝槽隔離結構2中形成凹槽4，在其底部及側面形成所述第二電感結構。所述第二電感結構包括第二中間電極9b、第二邊緣電極7b、第二電感圖案5b、連接所述第二中間電極9b與所述第二電感圖案5b的第二導電通孔8b以及連接所述第二邊緣電極7b與所述第二電感圖案5b的第二斜面連接層6b；其中，所述第二邊緣電極7b位于所述溝槽隔離結構2的上表面，所述第二中間電極9b位于所述溝槽隔離結構2的上表面，所述第二導電通孔8b貫穿所述溝槽隔離結構2的一部分（凹槽4的深度）并從所述溝槽隔離結構2的上表面露出。其中，所述第一電感圖案5a位于所述溝槽隔離結構2的深度大于所述第二電感圖案5b位于所述溝槽隔離結構2的深度。

其具體的制造方法可參見圖3-8，包括以下步驟：

（1）參見圖3，提供一襯底1，并在所述襯底1的上表面形成一溝槽8；

（2）參見圖4，在所述溝槽8底部與側面沉積一層絕緣層3；

（3）參見圖5，在所述溝槽8底部形成第一電感結構，所述第一電感結構包括第一中間電極9a、第一邊緣電極7a、第一電感圖案5a、連接所述第一中間電極9a與所述第一電感圖案5a的第一導電通孔8a以及連接所述第一邊緣電極7a與所述第一電感圖案5a的第一斜面連接層6a；其中，所述第一邊緣電極7a位于所述襯底1的上表面，所述第一中間電極9a位于所述襯底1的下表面，所述第一導電通孔8a貫穿所述溝槽隔離結構2的底部與所述襯底1的下表面。所述第一導電通孔8a形成方法具體包括：通過激光鉆孔的方式形成貫通所述溝槽隔離結構2的底部與所述襯底的下表面的通孔，并用導電物質填充所述通孔。并且，所述第一斜面連接層6a和第一電感圖案5a均位于所述絕緣層3上；

（4）參見圖6，用隔離材料填充所述溝槽8，以形成溝槽隔離結構2，所述溝槽隔離結構2的上表面高于所述襯底1的上表面；并在所述溝槽隔離結構2中形成一個凹槽10；

（5）參見圖7，并在所述凹槽10中形成第二電感圖案5b和第二斜面連接層6b，以及在所述溝槽隔離結構2的上表面形成第二邊緣電極7b，所述第二電感圖案5b、第二斜面連接層6b與所述第二邊緣電極7b一體成型并互相電連接。

（6）參見圖8，在所述凹槽10中填充隔離材料直至形成與所述溝槽隔離結構的上表面齊平的頂面，接著，在所述凹槽10中的隔離材料中形成第二導電通孔8b以及在所述頂面上形成第二中間電極9b。

最后應說明的是：顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本發明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本發明的保護范圍之中。