技術總結
本發明提供了一種改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，包括：第一步驟：形成柵極結構，其中柵極結構包括低壓器件柵極結構、高壓器件柵極結構、以及記憶體單元柵極結構；第二步驟：在低壓器件柵極結構的側部、高壓器件柵極結構的側部、以及記憶體單元柵極結構的側部分別形成第一道柵極隔離側墻；第三步驟：涂覆光刻膠層，并且對光刻膠層進行光刻以暴露出低壓器件柵極結構；第四步驟：利用光刻后的光刻膠層，去除低壓器件柵極結構側部的第一道柵極隔離側墻；第五步驟：去除光刻膠層；第六步驟：在所述低壓器件柵極結構的側部、所述高壓器件柵極結構的側部、以及所述記憶體單元柵極結構的側部分別進一步形成第二道柵極隔離側墻。
技術研發人員：于濤
受保護的技術使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
文檔號碼：201610885991
技術研發日：2016.10.10
技術公布日：2017.01.04