1.一種改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于包括：
第一步驟：形成柵極結構，其中柵極結構包括低壓器件柵極結構、高壓器件柵極結構、以及記憶體單元柵極結構；
第二步驟：在低壓器件柵極結構的側部、高壓器件柵極結構的側部、以及記憶體單元柵極結構的側部分別形成第一道柵極隔離側墻；
第三步驟：涂覆光刻膠層，并且對光刻膠層進行光刻以暴露出低壓器件柵極結構；
第四步驟：利用光刻后的光刻膠層，去除低壓器件柵極結構側部的第一道柵極隔離側墻；
第五步驟：去除光刻膠層；
第六步驟：在所述低壓器件柵極結構的側部、所述高壓器件柵極結構的側部、以及所述記憶體單元柵極結構的側部分別進一步形成第二道柵極隔離側墻。
2.根據權利要求1所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，所述存儲器裝置是嵌入式閃存。
3.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，所述記憶體單元柵極結構是分柵形式的記憶體單元柵極結構。
4.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，在第二步驟中，通過沉積柵極隔離側墻材料層以及對柵極隔離側墻材料層進行刻蝕，在低壓器件柵極結構的側部、高壓器件柵極結構的側部、以及記憶體單元柵極結構的側部分別形成第一道柵極隔離側墻。
5.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，所述第一道柵極隔離側墻的材料是二氧化硅。
6.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，在第四步驟中，利用光刻后的光刻膠層，對低壓器件柵極結構進行離子注入以形成低壓器件的淺摻雜源漏極。
7.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，在第六步驟中，通過沉積柵極隔離側墻材料層以及對柵極隔離側墻材料層進行刻蝕，在低壓器件柵極結構的側部、高壓器件柵極結構的側部、以及記憶體單元柵極結構的側部分別形成第二道柵極隔離側墻。
8.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，所述第二道柵極隔離側墻的材料是二氧化硅或是二氧化硅、氮化硅和氧化硅(ONO)三層復合結構。
9.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，在所述低壓器件柵極結構的側部僅僅形成有所述第二道柵極隔離側墻，而沒有所述第一道柵極隔離側墻。
10.根據權利要求1或2所述的改善存儲器裝置中記憶體單元和高壓器件漏電的方法，其特征在于，在所述高壓器件柵極結構的側部、以及所述記憶體單元柵極結構的側部依次形成有所述第一道柵極隔離側墻和所述第二道柵極隔離側墻。