1.生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)采用r面藍寶石襯底，選取晶體取向；
(2)對r面藍寶石襯底進行表面清潔處理；
(3)將步驟(2)處理后的r面藍寶石襯底轉移到脈沖激光沉積設備的超高真空生長室，生長非極性GaN緩沖層，形成橫向外延區，工藝條件為：襯底溫度升至250～550℃，采用脈沖激光轟擊GaN靶材，同時通入N2等離子體，反應室壓力為1-20mTorr、激光能量為150～400mJ，激光頻率為2～30Hz；
(4)采用MOCVD工藝橫向外延過生長非極性非摻雜u-GaN層，工藝條件為：襯底溫度為950～1100℃，通入TMGa，反應室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為80～150；
(5)采用MOCVD工藝生長非極性n型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為1000～1100℃，通入TGGa和SiH4，保持SiH4的流量為60～90sccm，反應室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為80～150；摻雜電子濃度1.0×1017～6.0×1019cm-3；
(6)采用MOCVD工藝生長非極性InGaN/GaN量子阱，工藝條件為：壘層，襯底溫度為750～850℃，關閉H2，通入TEGa與氨氣，反應室壓力為200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為500～1500，厚度為10～13nm；阱層，襯底溫度為750～850℃，關閉H2，通入TEGa、TMIn與氨氣，反應室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為500～1500，厚度為2～3nm；
(7)采用MOCVD工藝生長非極性p型摻雜GaN薄膜，工藝條件為：襯底溫度為900～1050℃，通入TMGa、CP2Mg與氨氣，保持CP2Mg的流量為250～450sccm，反應室壓力為80～200Torr，Ⅴ/Ⅲ比為950～1150；摻雜空穴濃度1.0×1016～4.0×1018cm-3。
2.根據權利要求1所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，所述非極性低溫GaN緩沖層的厚度為150～500nm。
3.根據權利要求1所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，所述非極性非摻雜u-GaN層的厚度為2850～3500nm。
4.根據權利要求1所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，所述非極性n型摻雜GaN薄膜的厚度為300～700nm。
5.根據權利要求1所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，所述非極性InGaN/GaN量子阱為5～10個周期的InGaN阱層/GaN壘層，其中InGaN阱層的厚度為2～3nm；GaN壘層的厚度為10～13nm。
6.根據權利要求1所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，所述非極性p型摻雜GaN薄膜的厚度為350～500nm。
7.根據權利要求1所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述對r面藍寶石襯底進行表面清潔處理，具體為：
將r面藍寶石襯底放入去離子水中室溫下超聲清洗5～10分鐘，去除r面藍寶石襯底表面粘污顆粒，再依次經過乙醇洗滌，去除表面有機物；清洗后的r面藍寶石襯底用高純干燥氮氣吹干；之后將r面藍寶石襯底放入PLD生長室，在真空條件下，將襯底溫度升至850～900℃，烘烤20～30分鐘，除去r面藍寶石襯底表面殘余的雜質，然后通入N2等離子體，保溫30～60分鐘，使襯底表面形成AlN籽晶層，為GaN生長提供模板。
8.根據權利要求1所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述選取晶體取向，具體為：以(10-12)面偏(1-100)方向0.2°為外延面，晶體外延取向關系為：GaN的(0001)面平行于r面藍寶石的(-1011)面。
9.權利要求1～8任一項所述的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的制備方法制備得到的生長在r面藍寶石襯底上的非極性LED外延片的應用，其特征在于，用于制備LED、LD、光電探測器和太陽能電池。