1.一種用于制造一半導體結構的方法，其特征在于，該方法包含：
形成一柵極結構于一基板上；
形成一襯里層以覆蓋該柵極結構及該基板；
形成一間隔物層于該襯里層上；
連續提供一蝕刻氣體以移除該間隔物層的一部分，及該蝕刻氣體具有一第一壓力；以及
將該基板維持在一第二壓力下，該第二壓力大于該第一壓力。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過排出該蝕刻氣體及該蝕刻氣體的一副產物將該基板維持于該第二壓力。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該間隔物層的該部分被移除以形成一錐形間隔物，該錐形間隔物鄰近于該襯里層。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，該錐形間隔物的一頂部寬度小于該錐形間隔物的一底部寬度。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該柵極結構包含：
一柵極絕緣層；
一浮動柵極位于該柵極絕緣層上；
一柵極間介電層位于該浮動柵極上；以及
一控制柵極位于該柵極間介電層上。
6.一種用于制造一半導體結構的方法，其特征在于，該方法包含：
形成兩個柵極結構于一基板上；
形成一間隔物層以覆蓋該兩個柵極結構，及一間隙位于該兩個柵極結構之間；
根據該間隙的一深寬比而移除該間隔物層的一部分，以分別在該兩個柵極結構的側壁上形成錐形間隔物，及該基板與該錐形間隔物的一側表面之間的一夾角相對于該間隙的該深寬比增大而減少；及
形成一層間介電層以完全充填該間隙。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，該間隙的該深寬比介于2至6的一范圍中。
8.一種用于制造一半導體結構的方法，其特征在于，該方法包含：
將一基板置于一真空腔室中，該基板上具有一柵極結構及覆蓋該柵極結構的一間隔物層；
將一蝕刻氣體供應至該真空腔室內；
將該蝕刻氣體控制在一第一壓力下；及
使用一排氣元件以將該真空腔室維持在大于該第一壓力的一第二壓力下，及通過該蝕刻氣體移除該間隔物層的一部分以形成一錐形間隔物。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，該基板與該錐形間隔物的一側表面之間的一夾角介于40度至75度的一范圍中。
10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，該錐形間隔物的一頂部寬度小于該錐形間隔物的一底部寬度。